基本信息:
- 专利标题： 水素センサ
- 专利标题（英）：Hydrogen sensor
- 专利标题（中）：氢传感器
- 申请号：PCT/JP2008/059833 申请日：2008-05-28
- 公开(公告)号：WO2008149752A1 公开(公告)日：2008-12-11
- 发明人： 内山直樹 , 吉村和記
- 申请人： 株式会社アツミテック , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 内山直樹 , 吉村和記
- 申请人地址： 〒4310192 静岡県浜松市西区雄踏町宇布見7111番地 Shizuoka JP
- 专利权人： 株式会社アツミテック,独立行政法人産業技術総合研究所,内山直樹,吉村和記
- 当前专利权人： 株式会社アツミテック,独立行政法人産業技術総合研究所,内山直樹,吉村和記
- 当前专利权人地址： 〒4310192 静岡県浜松市西区雄踏町宇布見７１１１番地 Shizuoka JP
- 代理机构： 長門侃二
- 优先权： JP2007-148001 20070604
- 主分类号： G01N31/00
- IPC分类号： G01N31/00 ; G01N21/77 ; G01N31/10 ; G01N31/22
摘要：
水素センサ(10a,10b,10c,10d)では、基板(11)上に薄膜層(12)が形成され、薄膜層(12)上にバッファー層(13)が積層される。更に、水素ガスに触れると薄膜層(12)を水素化して薄膜層(12)の光学的反射率を変化させる触媒層(14)がバッファー層(13)上に積層される。薄膜層(12)から触媒層(14)へ拡散した成分は、バッファー層(13)から触媒層(14)に拡散した成分と結合し、触媒層(14)の酸化が防止される。その結果、薄膜層(12)の水素化の繰り返しに伴って生じる触媒層(14)等の酸化が防止され、水素センサ(10a,10b,10c,10d)の水素検出感度の低下が抑制される。
摘要（中）：
在氢传感器（10a，10b，10c，10d）中，在基板（11）上形成薄膜层（12），在薄膜层（12）上层叠缓冲层（13）。 此外，催化剂层（14）层叠在缓冲层（13）上。 当催化剂层与氢气接触并改变薄膜层（12）的光学反射率时，催化剂层使薄膜层（12）氢化。 从薄膜层（12）向催化剂层（14）扩散的成分与从缓冲层（13）扩散到催化剂层（14）的成分接合，并且防止催化剂层（14）被氧化。 结果，由于薄膜层（12）的氢化反复，催化剂层（14）等被防止氧化，氢传感器（10a，10b，10c，10d）的氢气检测灵敏度下降 ）被抑制。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N31/00 | 利用本组规定的化学方法对非生物材料的测试或分析；此类方法专用的装置 |