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1. 发明申请

WO2008114707A1 面発光型半導体レーザ审中-公开
标题翻译：平面发射型半导体激光器
公开(公告)号：WO2008114707A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054703
申请日：2008-03-14
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木尚文 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：鈴木尚文 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/06226 , H01S5/1039 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/227 , H01S5/3095
摘要：　本発明は、実効的な共振器長を低減し、より高速な直接変調を実現可能な面発光型半導体レーザを提供する。本発明の面発光型半導体レーザでは、発振波長λ ０に対して、共振部分の光路長Ｌを０．９×λ ０ ≦Ｌ≦１．１×λ ０とし、誘電体ＤＢＲの高屈折率層と低屈折率層の屈折率をｎＨ１，ｎＬ１、誘電体ＤＢＲと接する半導体内の光路長λ ０／４内の平均屈折率をｎＳ１、半導体ＤＢＲの高屈折率層と低屈折率層の屈折率をｎＨ２，ｎＬ２とする時、利用する各材料を、下記条件（１）、（２）を満すように選択する。（１）：ｎＨ１＞ｆ（ｎＳ１）ｎＬ１２＋ｇ（ｎＳ１）ｎＬ１＋ｈ（ｎＳ１）ｆ（ｎＳ１）＝０．０２６６ｎＳ１２－０．２４０７ｎＳ１＋０．６３４７ｇ（ｎＳ１）＝－０．０５０８ｎＳ１２＋０．４３３５ｎＳ１－０．００８５ｈ（ｎＳ１）＝０．０３８２ｎＳ１２－０．３１９４ｎＳ１＋０．７３９８（２）ｎＨ２－ｎＬ２＞０．４
摘要翻译：提供一种平面发射型半导体激光器，其中有效的谐振器长度减小并实现更高速的直接调制。当谐振部分相对于振荡波长λ0<0>的光路长度（L）被设定为0.9OE <0> = L = 1.1OE < 电介质DBR的高折射率层和低折射率层的折射率为n L1和n L1，光路中的平均折射率与电介质（DBR）接触为半导体的半导体中的长度λ<0 / 4，高折射率层的折射率和低选择半导体的折射率层（DBR）为n H 2和n L2，选择各种待使用的材料以满足以下条件（1）和（2）。（1）：N _{H1 > F（N _{S1 ）N _L1}}

2. 发明申请

WO2008078595A1 面発光レーザ审中-公开
标题翻译：表面发射激光
公开(公告)号：WO2008078595A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074275
申请日：2007-12-18
申请人：日本電気株式会社 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/3095 , H01S5/3211
摘要：　本発明の面発光レーザは、第１の層１１３および第１の層１１３よりも高屈折率の第１の高屈折率層を含む第１の多層膜ブラッグ反射鏡１１と、第２の層１３１および第２の層１３１よりも高屈折率の第２の高屈折率層を含む第２の多層膜ブラッグ反射鏡１３と、これらの多層膜ブラッグ反射鏡に挟まれ、活性層部を含む光共振器部１２とを有する。そして、第１の多層膜ブラッグ反射鏡１１について光共振器部１２に接している層が第１の層１１３であり、第２の多層膜ブラッグ反射鏡１３について光共振器部１２に接している層が第２の層１３１である。共振器部１２の実効的な屈折率ｎ eff が第１および第２の層１１３、１３１よりも大きく、かつ、光共振器部１２の光路長ｎ eff Ｌが面発光レーザの発振波長λと０．５λ＜ｎ eff Ｌ≦０．７λの関係にある。さらに、光共振器部１２と第１の多層膜ブラッグ反射鏡１１または第２の多層膜ブラッグ反射鏡１３との境界からΔＬ（＝ｎ eff Ｌ－０．５λ）離れた位置に活性層部１２１が設けられている。
摘要翻译：表面发射激光器设置有第一层（113），包括具有比第一层（113）更高的折射率的高折射率层的第一多层布拉格反射镜（11），第二层（131）包括具有比第二层（131）更高的折射率的第二高折射率层的第二多层布拉格反射镜（13），以及保持在这些多层布拉格反射镜之间的光谐振器单元（12），包括活动层此外，对于第一多层布拉格反射镜（11），与光谐振器单元（12）接触的层是第一层（113），并且相对于第二多层布拉格反射镜（13），层与光谐振器单元（12）接触是第二层（131）。谐振器单元（12）的有效折射率n eff eff大于第一层（113）或第二层（131），并且光学长度n eff L谐振器单元（12）与振荡波长λ 的表面发射激光器以满足以下关系：0.5≤N≤LL=0.7Ω。此外，有源层（121）位于距离光谐振器单元（12）和第一多层布拉格（B）之间的边界的距离ΔL（= n×eff×L-0.5λ）反射镜（11）或第二多层布拉格反射镜（13）。

3. 发明申请

WO2009119172A1 面発光レーザ审中-公开
标题翻译：表面发射激光
公开(公告)号：WO2009119172A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/052335
申请日：2009-02-12
申请人：日本電気株式会社 , 屋敷健一郎 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：屋敷健一郎 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/18308 , H01S5/3095
摘要：　本発明に係る面発光レーザは、第１の反射鏡１０２と、複数の高屈折率層１２４と複数の低屈折率層１２３とが交互に積層された第２の反射鏡１０９と、第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０９の間に形成された活性層１０４及び電流狭窄構造とを備えた面発光レーザであって、複数の高屈折率層１２４及び複数の低屈折率層１２３のうちの少なくとも１層において、発光領域１２２ａと発光周辺領域１２２ｂとを構成する材料が異なり、発光周辺領域１２２ｂを構成する材料よりも発光領域１２２ａを構成する材料の方が、屈折率の温度に対する変化率が小さいことを特徴とするものである。
摘要翻译：公开了一种表面发射层，其包括第一反射器（102），第二反射器（109），其中多个高折射率层（124）和多个低折射率层（123）交替布置以及形成在第一反射器（102）和第二反射器（109）之间的有源层（104）和电流变窄结构。表面发射层的特征在于，在高折射率层（124）中的至少一层中，发光区域周围的发光区域（122a）和周边区域（122b）由不同的材料制成，低折射率层（123），构成发光区域（122a）的材料的温度变化比构成周边区域（122b）的材料的折射率变化小。

4. 发明申请

WO2009101739A1 面発光レーザ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：表面发射激光器及其制造方法
公开(公告)号：WO2009101739A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2008/071460
申请日：2008-11-26
申请人：日本電気株式会社 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/183 , H01L31/12 , H01S5/026 , H01S5/187
CPC分类号： H01L31/153 , H01S5/0264 , H01S5/18311 , H01S5/18369
摘要：　外部電源が不要な光検出器を供え、高速かつ信頼特性の高い面発光レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る面発光レーザは、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された第１の反射鏡１０２と、第１の反射鏡１０２上に形成された第２の反射鏡１０７と、第１及び第２の反射鏡１０２、１０７の間に形成された活性層１０４及び電流狭窄構造１０６と、半導体基板１０１上にモノリシックに形成され、出射するレーザ光を検出するフォトボルタイプの光検出器とを備えたものである。
摘要翻译：提供了一种具有不需要外部电源的光检测器的高速且高可靠性的表面发射激光器，以及用于制造这种表面发射激光器的方法。表面发射激光器设置有半导体衬底（101）; 形成在半导体衬底（101）上的第一反射镜（102）; 形成在第一反射镜（102）上的第二反射镜（107）形成在第一和第二反射镜（102,107）之间的有源层（104）和电流限制结构（106）。以及光电式光检测器，其单片地形成在半导体基板（101）上并检测发射的激光束。

5. 发明申请

WO2009125635A1 半導体レーザ及び半導体レーザの変調方法审中-公开
标题翻译：半导体激光器的半导体激光和调制方法
公开(公告)号：WO2009125635A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/JP2009/053985
申请日：2009-03-03
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木尚文 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：鈴木尚文 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/026 , G02F1/017 , H01S5/187
CPC分类号： H01S5/18308 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , G02F2201/066 , G02F2202/102 , H01S5/0425 , H01S5/0624 , H01S5/0655 , H01S5/18302 , H01S5/18394 , H01S5/187
摘要：　本発明は、光インターコネクション用光源の大幅な消費電力低減が可能な半導体レーザ及び半導体レーザの変調方法を提供するものである。本発明に係る半導体レーザ１００は、面発光レーザ１０６と、面発光レーザ１０６上に電気的に分離して形成された変調器１１３とを有する。面発光レーザ１０６は、ｎ型半導体基板１０１上に、ｎ型ＤＢＲ層１０２、活性層１０３、電流狭窄構造１０４、ｐ型ＤＢＲ層１０５を有する。そして、その上のアンドープ半導体層１０７上に、ｎ型半導体層１０８、量子井戸からなる吸収層１０９、及びｐ型半導体層１１０を有する変調部１１３が形成されている。変調器１１３は、複数の電極の組を有し、当該電極の組に異なる信号を入力することで、面発光レーザ１０６の横モードを変調する。
摘要翻译：提供了可以大幅度降低光互连用光源的功耗的半导体激光器。还提供了半导体激光器的调制方法。半导体激光器（100）包括表面发射激光器（106）和形成在表面发射激光器（106）上的调制器（113），同时电隔离。表面发射激光器（106）具有n型DBR层（102），有源层（103），电流收缩结构（104）和形成在n型半导体上的p型DBR层（105）基板（101）。在未掺杂的半导体层（107）上形成具有n型半导体层（108）的调制部（113），由量子阱构成的吸收层（109）和p型半导体层（110）。调制器（113）具有一组多个电极，并且通过向该组电极输入不同的信号来调制表面发射激光器（106）的横向模式。

6. 发明申请

WO2009119171A1 面発光レーザ审中-公开
标题翻译：表面发射激光
公开(公告)号：WO2009119171A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/052334
申请日：2009-02-12
申请人：日本電気株式会社 , 屋敷健一郎 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：屋敷健一郎 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18341 , H01S5/18308 , H01S5/3095
摘要：　本発明に係る面発光レーザは、第１の反射鏡１０２と、複数の高屈折率層１２４と複数の低屈折率層１２３とが交互に積層された第２の反射鏡１０９と、第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０９の間に形成された活性層１０４及び電流狭窄構造とを備えた面発光レーザであって、複数の高屈折率層１２４及び複数の低屈折率層１２３のうちの少なくとも１層において、発光領域１２２ａと発光周辺領域１２２ｂとを構成する材料が異なり、発光周辺領域１２２ｂを構成する材料よりも発光領域１２２ａを構成する材料の方が、屈折率の温度に対する変化率が大きいことを特徴とするものである。
摘要翻译：公开了一种表面发射激光器，其包括第一反射器（102），第二反射器（109），其中多个高折射率层（124）和多个低折射率层（123）交替布置以及形成在第一反射器（102）和第二反射器（109）之间的有源层（104）和电流变窄结构。表面发射层的特征在于，在高折射率层（124）中的至少一层中，发光区域周围的发光区域（122a）和周边区域（122b）由不同的材料制成，低折射率层（123），构成发光区域（122a）的材料的温度变化比构成周边区域（122b）的材料的折射率变化大。

7. 发明申请

WO2009101740A1 半導体受光素子审中-公开
标题翻译：半导体接收元件
公开(公告)号：WO2009101740A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2008/071461
申请日：2008-11-26
申请人：日本電気株式会社 , 辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
发明人：辻正芳 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎 , 畠山大 , 深津公良 , 赤川武志
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00
摘要：　本発明は、低コストで外部電源が不要であって、かつ、光吸収が少ない受光素子を提供することを目的とする。本発明に係る半導体受光素子は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成され、Ｔｙｐｅ－ＩＩの多重量子井戸構造を有する光吸収層１０３とを備え、前記量子井戸構造における分極距離が２０ｎｍ以上であることを特徴とする光－電圧変換型の半導体受光素子である。当該半導体受光素子における光吸収率が１０％以下あることが好ましい。
摘要翻译：提供了一种低成本的光接收元件，不需要外部电源并吸收少量的光。半导体光接收元件是光电压转换型的，并且设置有半导体衬底（101）和形成在半导体衬底（101）上并具有多量子阱结构的光吸收层（103） II型。在量子阱结构中，极化距离为20nm以上。半导体光接收元件的光吸收率优选为10％以下。

8. 发明申请

WO2009078232A1 面発光レーザ审中-公开
标题翻译：表面发光激光
公开(公告)号：WO2009078232A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/070456
申请日：2008-11-11
申请人：日本電気株式会社 , 深津公良 , 辻正芳 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 屋敷健一郎 , 赤川武志 , 阿南隆由
发明人：深津公良 , 辻正芳 , 鈴木尚文 , 畠山大 , 屋敷健一郎 , 赤川武志 , 阿南隆由
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0261 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/06825 , H01S5/18311 , H01S2301/176
摘要：　本発明に係る面発光レーザは、ｎ型ＤＢＲ層１０２とｐ型ＤＢＲ層１０７との間に形成された活性層１０４とを有する面発光レーザ部と、前記面発光レーザ部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１３とを備えた面発行レーザであって、ＥＳＤ保護部１１３は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０８、１１２と、第１及び第２の半導体層１０８、１１２の間に形成され、前記第１及び第２の半導体層の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０１７ｃｍ－３以下である第３の半導体層１１０とを備えるものである。
摘要翻译：表面发光激光器设置有表面发光激光器部分，其具有在n型DBR层（102）和p型DBR层（107）之间形成的有源层（104）。以及与表面发光激光部并联电连接的ESD保护部（113）。 ESD保护部分（113）设置有包含第一导电类型杂质的第一和第二半导体层（108,112）; 并且形成在第一和第二半导体层（108,112）之间的第三半导体层（110）具有比第一半导体层和第二半导体层的带隙宽的带隙，并且具有杂质浓度为1×10 17 cm -3以下。

9. 发明申请

WO2007097110A1 光通信システムおよび光送信機审中-公开
标题翻译：光通信系统和光发射机
公开(公告)号：WO2007097110A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/JP2006/326107
申请日：2006-12-27
申请人：日本電気株式会社 , 辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎
发明人：辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎
IPC分类号： H01S5/183 , H01L31/10 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L31/0203 , H01L31/0304 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/18311 , H01S5/34306
摘要：　光信号でデータ伝送を行なう光通信システムであって第１の光送信機と第１の光受信機とを有している。第１の光送信機は、活性層がＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（０．１５≦ｘ≦０．３５）量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、発振波長が１０００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下である第１の面発光レーザを備え、その第１の面発光レーザで生成した光信号を送信する。第１の光受信機は、第１の光伝送路を介して第１の光送信機と接続され、第１の光送信機から送信された光信号を第１の光伝送路を介して受信する。
摘要翻译：提供了一种用于具有光信号的数据传输的光通信系统。光通信系统包括第一光发射机和第一光接收机。第一光发射机具有多路量子阱结构，其中有源层具有In 1 x 1 Ga x As（0.15 = x = 0.35）的量子阱层，并且设置有振荡波长为1000nm至1100nm的第一表面发射激光器，使得第一光发射器发射由第一表面发射激光器产生的光信号。第一光接收器通过第一光传输线与第一光发射机连接，使得第一光接收机通过第一光传输线接收从第一光发射机发送的光信号。

10. 发明申请

WO2007097111A1 車載光通信システムおよび車載光送信機审中-公开
标题翻译：车辆安装光通信系统和车载安全光传输器
公开(公告)号：WO2007097111A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/JP2006/326201
申请日：2006-12-28
申请人：日本電気株式会社 , 辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎
发明人：辻正芳 , 畠山大 , 深津公良 , 阿南隆由 , 鈴木尚文 , 屋敷健一郎
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/323 , H04B10/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/18311 , H01S5/34306 , H04B10/1125
摘要：　車両に搭載され光信号でデータ伝送を行なう車載光通信システムは、第１の光送信機と光受信機とを有している。第１の光送信機は、車両に設置され、活性層がＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（０．１５≦ｘ≦０．３５）量子井戸層を有する多重量子井戸構造であり、発振波長が１０００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下である第１の面発光レーザを備え、その第１の面発光レーザで生成した光信号を送信する。光受信機は、車両に設置され、第１の光送信機と第１の光伝送路を介して接続され、第１の光送信機から送信された光信号を第１の光伝送路を介して受信する。
摘要翻译：使用光信号执行数据传输的车载光通信系统包括第一光发射机和光接收机。安装在车辆上的第一光发射器具有多量子阱结构，其中有源层具有量子阱层， As（其中0.15 = x = 0.35），并且包括其振荡波长在1000nm和1100nm之间的第一表面发射激光器。第一光发射器发射由第一表面发射激光器产生的光信号。安装在车辆上并通过第一光传输路径连接到第一光发射机的光接收器经由第一光传输路径接收由第一光发射机传输的光信号。

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