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1. 发明申请

WO2007029384A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2007029384A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/310928
申请日：2006-05-31
申请人：日本電気株式会社 , 星野茂樹 , 谷岡道修 , 田浦徹
发明人：星野茂樹 , 谷岡道修 , 田浦徹
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/645 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01L21/6835 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2224/16225 , H01L2225/06527 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、インターポーザ２上に複数のＬＳＩチップ１が積層される。Ｓｉ基板１ａを用いて形成されたＬＳＩチップ１の回路形成面には信号伝送のための信号用コイル１ｂが形成されている。信号用コイル１ｂは、ＬＡＩチップ１内部に形成された回路と接続されている。Ｓｉ基板１ａの信号用コイル１ｂの中心部には貫通孔１ｄが形成されている。インターポーザ２上には、貫通導電体２ｄを介してはんだボール５に接続された信号用コイル２ｃが形成されている。信号用コイル１ｂ，２ｃの中心部には磁性材料からなる磁性体ピン３が挿入されている。
摘要翻译：多个LSI芯片（1）堆叠在插入件（2）上。在使用Si衬底（1a）形成的LSI芯片（1）的电路形成表面上形成用于信号传输的信号线圈（1b）。信号线圈（1b）与形成在LAI芯片（1）内的电路连接。在Si衬底（1a）上的信号线圈（1b）的中心部分形成通孔（1d）。在插入件（2）上形成有通过馈通导体（2d）与焊球（5）连接的信号线圈（2c）。在信号线圈（1b，2c）的中心部分，插入由磁性材料制成的磁性针（3）。

2. 发明申请

WO2007029422A1 半導体装置の検査装置及び電源供給ユニット审中-公开
标题翻译：半导体器件检测设备和电源单元
公开(公告)号：WO2007029422A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/314292
申请日：2006-07-19
申请人：日本電気株式会社 , 谷岡道修 , 星野茂樹 , 田浦徹
发明人：谷岡道修 , 星野茂樹 , 田浦徹
IPC分类号： G01R31/312 , G01R1/067
CPC分类号： G01R31/2886 , G01R1/06711 , G01R3/00 , G01R31/3025
摘要：　本発明に係る半導体装置の検査装置は、検査用ＬＳＩと、電源供給ユニットと、検査用ＬＳＩ及び電源供給ユニットとテスターと間の接続用に設けられた中間基板とから構成される。検査用ＬＳＩは、検査回路及び波形整形回路と、被検査半導体装置と対向するように設けられた誘電体材料層と、この誘電体材料層の前記被検査半導体装置と対向する面における被検査半導体装置の外部端子電極の位置に対応する位置に配置された電極と、誘電体材料層を貫通すると共に前記電極に接続されて外部と信号送受信するための第１の貫通電極と、を有する。前記電源供給ユニットは、前記被検査半導体装置の電源電極に対応する位置に配置されその先端に金属突起を備えた弾性を有する相互に独立したプローブピンと、このプローブピンに電気的に接続され第１の配線層が形成された基材と、この基材を貫通した第２の貫通電極と、を有する。
摘要翻译：半导体装置检查装置设置有用于检查的LSI，供电单元和用于连接用于检查的LSI的中间基板，电源单元和测试器。检查用LSI具备检查电路和波形整形电路，布置成面对要检查的半导体器件的电介质材料层; 布置在与要检查的半导体器件的外部端子电极的位置相对应的位置处的电极在电介质材料层的平面上并面向待检查的半导体器件; 以及第一穿透电极，其穿透介电材料层并连接到电极以向外部发送信号和从外部接收信号。电源单元设置有独立的弹性探针，其布置在与要检查的半导体器件的电源电极相对应的位置处，并且在前端具有金属突起; 基底材料，与第一布线层电连接到探针; 以及穿透基材的第二穿透电极。

3. 发明申请

WO2006028238A1 テストキャリア审中-公开
标题翻译：测试载体
公开(公告)号：WO2006028238A1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：PCT/JP2005/016691
申请日：2005-09-06
申请人：日本電気株式会社 , 株式会社ルネサステクノロジ , 谷岡道修 , 秋山雪治
发明人：谷岡道修 , 秋山雪治
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R1/0466 , G01R1/0483 , G01R3/00
摘要：半導体装置をベアチップの状態で保持して検査装置に電気的に接続することにより、検査を実施するためのテストキャリアであって、半導体装置の外部電極に対応した位置に設けられた弾性を有するプローブピンと、プローブピンと電気的に接続され、かつ基材に形成された第１の配線層と、プローブピンが半導体装置の外部電極と接触する部分に形成された金属突起と、金属突起の表面に形成された金属層と、第１の配線層上に形成された第２の配線層とを有し、金属層と第２の配線層とが分離されている。
摘要翻译：提供了一种测试载体，用于通过将半导体器件保持在裸芯片状态并通过将半导体器件电连接到检查装置来检查半导体器件。测试载体设置有探针，该探针设置在与半导体器件的外部电极对应的位置，具有弹性; 第一布线层，其电连接到所述探针，并形成在基材上; 金属突起部，形成在所述探针与所述半导体装置的外部电极接触的部分; 形成在金属突出部的表面上的金属层; 以及形成在第一布线层上的第二布线层。分离金属层和第二布线层。

4. 发明申请

WO2004092749A1 検査プローブ审中-公开
标题翻译：检查方法
公开(公告)号：WO2004092749A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/005347
申请日：2004-04-15
申请人：日本電気株式会社 , ヤマハ株式会社 , 谷岡道修 , 服部敦夫
发明人：谷岡道修 , 服部敦夫
IPC分类号： G01R1/073
CPC分类号： G01R1/07342 , G01R1/06727
摘要：従来のウエハ検査用プローブは、４０μｍピッチ以下の微細ピッチの場合、構成材料や製造方法により、位置精度確保が困難であること、微細ピン径になるため接触時にピン破壊が発生すること、接触力不足により良好な接触が得られないこと、耐久性が不足するという問題点があった。この問題点を解決するために、本発明による検査プローブは、弾性を有するプローブピン（３）と配線層（５）を備える基材（４）と基材を設置するバックアップ板（７）と検査基板（８）と柔軟性を有する基板（６）とで構成されたプローブ構造であって、プローブピン先端に半導体装置の電極材料に応じて接触性の良い材料層（１０）を形成し、配線層に低抵抗金属層（９）を形成した構造を有し、接触性の良い材料層と低抵抗金属層は分離されたことを特徴とする。このような構造により、４０μｍピッチ以下の超微細ピッチにおいて、非常に高い接触信頼性と機械的耐久性を得ることができる。
摘要翻译：传统的检查探针存在这样的问题：当间距最高达40μm时，根据构成材料和制造方法难以确保位置精度，当细直径销接触时发生销断裂由于接触不足而无法获得接触，耐久性不足。一种具有探针结构的检查探针，包括弹性探针（3），布线层（5），载置基板（4），在其上安装基板的支撑板（7），检查基板（8）和柔性衬底（6），其特征在于，在探针的前端形成有根据半导体器件的电极材料的良好接触材料层（10），并且布线层具有由低电阻形成的结构金属层（9），其中良好接触材料层与低电阻金属层分离。这种结构可以提供非常高的接触可靠性和机械耐久性，其间距非常细，最高达40μm。

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