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1. 发明申请

WO2009093360A1 回路シミュレータおよび回路シミュレーション方法审中-公开
标题翻译：电路仿真器和电路仿真方法
公开(公告)号：WO2009093360A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/JP2008/069020
申请日：2008-10-21
申请人：日本電気株式会社 , 田能村昌宏 , 丸橋建一 , 嶋脇秀徳
发明人：田能村昌宏 , 丸橋建一 , 嶋脇秀徳
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/00
CPC分类号： G06F17/5036
摘要：　本発明の回路シミュレータは、トランジスタのモデルパラメータを入力するためのトランジスタ入力部と、前記トランジスタ入力部から供給されたトランジスタモデルパラメータを参照して、出力電力を計算する出力電力シミュレーション部と、前記トランジスタモデルパラメータを参照して、寿命を計算する寿命シミュレーション部と、前記出力電力シミュレーション部から供給された出力電力と前記寿命シミュレーション部から供給された寿命との等高線図を、負荷インピーダンス上に表示する表示部と、前記表示部で負荷インピーダンス上に表示された出力電力と寿命を参照して、所望の負荷インピーダンスを抽出する負荷インピーダンス抽出部と、を有することを特徴とする。
摘要翻译：电路模拟器的特征在于包括用于输入晶体管的模型参数的晶体管输入部分，参考从晶体管输入部分提供的晶体管模型参数来计算输出功率的输出功率模拟部分，用于计算寿命的寿命模拟部分参考晶体管模型参数，显示部分，显示从输出功率模拟部分提供的输出功率的轮廓图和从生命模拟部分提供的寿命对负载阻抗的影响;以及负载阻抗提取部分，用于提取参考由显示部分显示的负载阻抗上显示的输出功率和寿命所需的负载阻抗。

2. 发明申请

WO2009057385A1 電力増幅器、電力増幅器の制御方法审中-公开
标题翻译：功率放大器和功率放大器控制方法
公开(公告)号：WO2009057385A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/066095
申请日：2008-09-05
申请人：日本電気株式会社 , 丸橋建一 , 田能村昌宏 , 嶋脇秀徳
发明人：丸橋建一 , 田能村昌宏 , 嶋脇秀徳
IPC分类号： H03F3/24 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/56 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/604 , H03F3/72 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/387 , H03F2200/423 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236
摘要：　本発明の電力増幅器は、ゲート長が１８０ｎｍ以下であるＭＯＳトランジスタ（１）と、ＭＯＳトランジスタ（１）のドレイン端子に接続された出力側整合回路（５）と、を有する。また、ＭＯＳトランジスタ（１）は、ＤＣ状態で許容できる電圧値で規格化された電圧Ｖｄ＿ｎが０．５～０．９であり、このＶｄ＿ｎがドレイン－ソース間電圧として印加される。また、ドレイン端子から出力整合回路（５）をみた負荷インピーダンスをＭＯＳトランジスタ（１）のゲート幅Ｗ（ｍｍ）で規格化した値がＺＬ（＝ＲＬ＋ｊ・ＸＬ）であり、ＺＬの実部（ＲＬ）は、ＲＬ＞０．６４×Ｖｄ＿ｎ＋０．１９（Ω・ｍｍ）で、かつ、ＲＬ＜０．６４×Ｖｄ＿ｎ＋１．７３（Ω・ｍｍ）である。
摘要翻译：功率放大器包括栅极长度为180nm以下的MOS晶体管（1）和与MOS晶体管（1）的漏极端子连接的输出侧匹配电路（5）。此外，MOS晶体管（1）的电压Vd_n为0.5〜0.9，由直流状态允许的电压值归一化，施加Vd_n作为漏极 - 源极电压。此外，从漏极端子观察输出匹配电路（5）时的负载阻抗由MOS晶体管（1）的栅极宽度W（mm）归一化为ZL（= RL + j·XL），其中实际 ZL的部分（RL）为RL> 0.64×Vd_n + 0.19（O·mm），RL <0.64×Vd_n + 1.73（O·mm）。

3. 发明申请

WO2008114646A1 バラン回路及び集積回路装置审中-公开
标题翻译：巴伦电路和集成电路设备
公开(公告)号：WO2008114646A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054354
申请日：2008-03-11
申请人：日本電気株式会社 , 濱田康宏 , 岸本修也 , 丸橋建一 , 伊東正治 , 田能村昌宏 , 折橋直行
发明人：濱田康宏 , 岸本修也 , 丸橋建一 , 伊東正治 , 田能村昌宏 , 折橋直行
IPC分类号： H01P5/10
CPC分类号： H01P5/10
摘要：　信号の入出力ポートとなる第１～第３のＣＰＷ線路と、第２のＣＰＷ線路の中心導体と第１のＣＰＷ線路の接地導体を中継し、第２のＣＰＷ線路の接地導体と第１のＣＰＷ線路の中心導体を中継する第１の差動型伝送線路と、第３のＣＰＷ線路の中心導体と第１のＣＰＷ線路の中心導体を中継し、第３のＣＰＷ線路の接地導体と第１のＣＰＷ線路の接地導体を中継する第２の差動型伝送線路と、第１～第３のＣＰＷ線路の少なくとも二つの接地導体どうしを接続する接続部とを有する。差動型伝送線路は、基板上の誘電体層内に形成された第１の配線及びその下層に配置される第２の配線と、基板と第２の配線間に配置される固定電位の下層配線とを備える。
摘要翻译：包括第一至第三CPW线变为信号I / O端口的平衡 - 不平衡转换电路，用于将第二CPW线的中心导体和第一CPW线的接地导体连接并用于连接第二CPW的接地导体的第一差分传输线线和第一CPW线的中心导体，用于连接第一和第三CPW线的中心导体并用于连接第一和第三CPW线的接地导体的第二差分传输线，以及用于连接至少两个第一至第三CPW线的接地导体。差分传输线具有形成在基板上的电介质层中的第一线，布置在下层中的第二线，以及布置在基板和第二线之间的固定电位的底线。

4. 发明申请

WO2008075611A1 回路シミュレータ、回路シミュレーション方法およびプログラム审中-公开
标题翻译：电路仿真器，电路仿真方法和程序
公开(公告)号：WO2008075611A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074033
申请日：2007-12-13
申请人：日本電気株式会社 , 田能村昌宏 , 黒田尚孝 , 川中雅史
发明人：田能村昌宏 , 黒田尚孝 , 川中雅史
IPC分类号： G06F17/50 , H01L21/82
CPC分类号： G06F17/5036
摘要：　素子の自己発熱による温度変化だけでなく、隣接する発熱素子からの熱伝達による温度変化をも考慮して回路素子の特性を正確に予測する。シミュレーション部４が、電気回路網入力部２から供給された電気回路網と熱回路網入力部３から供給された熱回路網とを参照し、半導体集積回路を構成する複数の素子のそれぞれについて、当該素子の自己発熱量により生じる第１の発熱温度と他の素子から当該素子に流入する熱量によって生じる第２の発熱温度を求め、該第１および第２の発熱温度に基づいて当該素子の素子温度を算出し、該素子温度での当該素子における電圧値および電流値を予め与えられている当該素子の温度依存性を示すデータに基づいて算出する。
摘要翻译：通过考虑由于元件的自加热引起的温度变化以及由于邻接的加热器元件的热传递引起的温度变化，可以精确地预测电路元件的特性。参照从电网输入部（2）提供的电网和从热网输入部（3）供给的热网，模拟部（4）确定由该元件的热量产生的第一发热温度分别为构成半导体集成电路的多个元件的其他元件的热量流入该元件而产生的第二发热温度基于第一和第二发热温度计算该元件的元件温度，以及然后基于先前提供的指示该元件的温度依赖性的数据来计算元件温度下该元件中的电压值和当前值。

5. 发明申请

WO2007023629A1 トランスインピーダンス増幅器审中-公开
标题翻译：转移放大器
公开(公告)号：WO2007023629A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/314554
申请日：2006-07-24
申请人：日本電気株式会社 , 田能村昌宏 , 松永高治
发明人：田能村昌宏 , 松永高治
IPC分类号： H03F1/34 , H03F1/42 , H03F3/08
CPC分类号： H03F1/42 , H03F1/08 , H03F1/34 , H03F2200/36
摘要：　本発明は、ピーキングと接地インダクタンスによる特性劣化を解決するものであり、高ゲイン化・広帯域化を図ることができるトランスインピーダンス増幅器を提供する。このためトランスインピーダンス増幅器は、２つ以上の極周波数を有する帰還回路であって、極周波数の中で最小極周波数以下の周波数領域においてフィルター特性が周波数に対して平坦であり、かつ、極周波数の中で最大極周波数以上の周波数領域においてフィルター特性が周波数に対して平坦であり、かつ、最小極周波数と最大極周波数の間の周波数領域では、周波数に対して負の傾き部分を少なくとも一つ含むフィルター特性を有する帰還回路を具備するように構成する。
摘要翻译：提供了跨阻放大器，用于解决峰值和接地电感引起的特性劣化问题，并获得高增益和宽带宽。跨阻放大器是具有两个或更多个极性频率并且具有相对于频率区域中的频率平坦的滤波器特性的反馈电路，其频率区域小于或等于极坐标频率之间的最小极坐标频率，并且相对于频率是平坦的在频率区域中，极坐标频率之中的极坐标频率的极大值以上，并且包括相对于最小极坐标频率与最大极坐标频率之间的频率区域的频率的至少一个负斜率部分。

6. 发明申请

WO2009101870A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009101870A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/JP2009/051700
申请日：2009-02-02
申请人：日本電気株式会社 , 田能村昌宏
发明人：田能村昌宏
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/74 , H01L21/76 , H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/8258 , H01L21/7605 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L29/802
摘要：　配線の断線やショートを生じずに、低コスト化と素子間の電気的絶縁を図ることができる半導体装置を提供する。　半導体素子、並びに、半導体素子の直下に存在する低抵抗層を、接地された貫通ビアで囲むため、半導体素子は電気的に遮蔽される。そのため、隣接素子間との電気的絶縁が可能になる。従って、再成長技術や溝を形成する必要が無いため、配線の断線やショートを生じずに、低コストで電気的絶縁が可能になる。
摘要翻译：提供了一种低成本的半导体器件，其中元件彼此电绝缘，而不会发生布线的断开和短路。由于半导体元件正下方存在的半导体元件和低电阻层被接地的通孔包围，所以半导体元件被电屏蔽。因此，半导体元件可以与相邻元件电绝缘。由于不需要再生技术和形成沟槽，所以以低成本提供电绝缘，而不会产生断线和布线短路。

7. 发明申请

WO2009096098A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009096098A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2008/072713
申请日：2008-12-14
申请人：日本電気株式会社 , 田能村昌宏 , 黒田尚孝
发明人：田能村昌宏 , 黒田尚孝
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/32
CPC分类号： H03F1/32 , H03F1/30 , H03F2200/447
摘要：　増幅器の自己発熱に起因した振幅歪、並びに、位相歪を解決する半導体装置を提供する。　ベースバンド信号を発生するベースバンド信号発生手段と、発生したベースバンド信号をＲＦ信号に変換するＲＦ信号変換手段と、電力エネルギーを増幅する電力増幅手段と、熱エネルギーを発生する発熱手段と、ベースバンド信号に基づいて電力増幅手段から発生した発熱量と、発熱手段から発生した発熱量とを一定にする制御手段と、発熱手段から発生した発熱量を電力増幅手段に伝熱する伝熱手段とを有する。
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其中消除了由放大器本身产生的热量引起的幅度失真和相位失真。半导体器件设置有产生基带信号的基带信号发生装置， RF信号转换装置，用于将所生成的基带信号转换成RF信号; 用于放大电力能量的功率放大装置; 用于产生热能的发热装置; 用于根据所述基带信号固定从所述功率放大装置产生的发热量和从所述发热装置产生的发热量的控制装置; 以及用于将从发热装置产生的发热量传递到功率放大装置的热传递装置。

8. 发明申请

WO2005096365A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2005096365A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006165
申请日：2005-03-30
申请人：日本電気株式会社 , NEC化合物デバイス株式会社 , 黒田尚孝 , 田能村昌宏 , 黒澤直人
发明人：黒田尚孝 , 田能村昌宏 , 黒澤直人
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L23/367 , H01L27/0605 , H01L27/0664 , H01L29/66318 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　チップ面積の大型化を抑制しつつ、充分に高い放熱性能を有した半導体装置を提供する。　半導体装置１において、半導体基板１０上には、複数のＨＢＴ２０と複数のダイオード３０とが１次元的に交互に配置されている。ダイオード３０のアノード電極３６は、共通エミッタ配線４２を介して、ＨＢＴ２０のエミッタ電極２７と接続されている。ダイオード３０は、エミッタ電極２７から共通エミッタ配線４２を通じて伝わってきた熱を半導体基板１０へと放散する放熱手段として機能するとともに、ＨＢＴ２０のエミッタ－コレクタ間に並列接続された保護ダイオードとしても機能するものである。
摘要翻译：公开了具有足够高的散热性能的半导体器件，其中抑制了芯片面积的增加。在半导体器件（1）中，多个HBT（20）和多个二极管（30）在半导体衬底（10）上一维地交替布置。二极管（30）的阳极电极（36）经由公共发射极配线（42）与HBT（20）的发射极（27）连接。二极管（30）用作散热装置，用于将从发射电极（27）经由公共发射极配线（42）传输的热辐射到半导体衬底（10），同时还用作并联连接在发射器和HBT（20）的收藏家。

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