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    • 2. 发明申请
    • 有機半導体材料およびこれを用いた有機半導体デバイス並びにそれらの製造方法
    • 有机半导体材料,有机半导体器件及其生产方法
    • WO2008032715A1
    • 2008-03-20
    • PCT/JP2007/067675
    • 2007-09-11
    • 国立大学法人広島大学学校法人東海大学瀧宮 和男功刀 義人
    • 瀧宮 和男功刀 義人
    • H01L51/30C07D333/72C09K11/06H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40H01L51/50
    • C07D333/72H01L51/0051H01L51/0068
    •  溶接法を利用可能で、大気中でも安定にn型トランジスタ動作が可能な有機半導体材料およびこれを用いた有機半導体デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。  有機半導体材料は、一般式(1) 【化1】(式中、R 1 ~R 4 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基であって当該アルキル基中の1個又はそれ以上の炭素原子が酸素原子および/または硫黄原子に置換されていてもよく、当該アルキル基中の1個又はそれ以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよいアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アルキル基であって当該アルキル基中の1個又はそれ以上の水素原子がアリール基に置換されたアルキル基からなる群より選ばれる原子または官能基を表し、R 5 ,R 6 はそれぞれ独立して硫黄原子またはセレン原子を表し、a,bおよびcは整数を表す)で表される化合物を含む。
    • 公开了一种有机半导体材料,其能够即使在大气中也稳定地显示n型晶体管的作用,并且可以进行焊接工艺。 还公开了使用这种有机半导体材料的有机半导体器件及其制造方法。 具体公开了包含由以下通式(1)表示的化合物的有机半导体材料。 [化学式1](式中,R 1〜R 4)独立地表示选自氢原子,卤素原子的原子或官能团 ,其中一个或多个碳原子可以被氧原子和/或硫原子和一个或多个氢原子取代的烷基可以被卤素原子,烷氧基,烷硫基,芳基和 烷基,其中一个或多个氢原子被芳基取代; R 5和R 6独立地表示硫原子或硒原子;和a,b和c 分别表示整数。)
    • 7. 发明申请
    • 芳香族化合物の製造方法
    • 生产芳香化合物的方法
    • WO2008146597A1
    • 2008-12-04
    • PCT/JP2008/058764
    • 2008-05-13
    • 日本化薬株式会社国立大学法人広島大学桑原 博一池田 征明瀧宮 和男
    • 桑原 博一池田 征明瀧宮 和男
    • C07D495/04C07D495/22C07D517/04
    • C07D495/04C07D495/22C07D517/04
    •  本発明は、一般式(1) (式(1)中、R 1 は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、エステル基、置換基を有してよい炭素数1~18のアルキル基等を表す。R 2 は、ハロゲン原子を表す。R 3 は水素原子、C≡C-R 1 、R 2 を示す。nは0~4の整数を表す。nが2以上の場合、R 3 は同一でも異なっていてもよい。)で表される化合物と硫黄化合物(硫黄、硫化水素、金属水硫化物、及び金属硫化物からなる群から選ばれる少なくとも一種)又はセレン化合物を反応させることを特徴とする、一般式(2) (一般式(2)中、R 1 、R 3 、nは一般式(1)と同じ意味を示す。Xは、硫黄原子又はセレン原子を示す。) で表される芳香族化合物の製造方法に関する。
    • 公开了下述通式(2)表示的芳香族化合物的制造方法,其特征在于,将下述通式(1)表示的化合物与硫化合物(选自下述的至少一种 由硫,硫化氢,金属氢硫化物和金属硫化物组成)或硒化合物。 (式(1)中,R 1表示氢原子,卤素原子,羟基,氰基,硝基,酯基,可具有取代基的碳原子数为1〜18的烷基等; R 2 表示卤素原子; R3表示氢原子,C = C-R1或R2; n表示0-4的整数,当n不小于2时,R 3可以相同或不同。 (式(2)中,R 1,R 3,n如式(1)所定义,X表示硫原子或硒原子。