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1. 发明申请

WO2012115236A1 新規複素環式化合物及びその中間体の製造方法並びにその用途审中-公开
标题翻译：新型杂环化合物，生产中间体的方法及其用途
公开(公告)号：WO2012115236A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/JP2012/054604
申请日：2012-02-24
申请人：国立大学法人広島大学 , 日本化薬株式会社 , 瀧宮和男 , 新見一樹 , 桑原博一 , 貞光雄一 , 狩野英成
发明人：瀧宮　和男 , 新見　一樹 , 桑原　博一 , 貞光　雄一 , 狩野　英成
IPC分类号： C07D495/04 , C07C319/18 , C07C319/20 , C07C321/28 , C07C323/21 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
摘要：　下記式（１）で表される新規複素環式化合物及び該化合物からなる半導体層を有する電界効果トランジスタを提供する。そして、その新規複素環式化合物の製造を可能とする、中間体の製造方法を提供する。（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子、Ｃ２－Ｃ１６アルキル基、又はアリール基を表すが、Ｒ１がそれぞれ独立にＣ２－Ｃ１６アルキル基又はアリール基を表すとき、Ｒ２は水素原子又はそれぞれ独立にアリール基を表し、Ｒ１が水素原子を表すとき、Ｒ２はそれぞれ独立にアリール基を表す。）
摘要翻译：提供由式（1）表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。还提供了一种制备能够制备上述新型杂环化合物的中间体的方法。（式中，R 1，R 2表示氢原子，C 16-16烷基或芳基，但R 1各自独立地表示C 2-6烷基或芳基时，R 2表示氢原子，表示芳基;当R 1表示氢原子时，R 2各自独立地表示芳基。

2. 发明申请

WO2012115218A1 ジアントラ［２，３－ｂ：２'，３'－ｆ］チエノ［３，２－ｂ］チオフェンの製造方法並びにその用途审中-公开
标题翻译：二磺基[2,3-B：2'，3'-F]噻吩并[3,2-b]噻吩的制备方法及其用途
公开(公告)号：WO2012115218A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：PCT/JP2012/054528
申请日：2012-02-24
申请人：国立大学法人広島大学 , 日本化薬株式会社 , 瀧宮和男 , 新見一樹 , 桑原博一 , 貞光雄一 , 狩野英成
发明人：瀧宮　和男 , 新見　一樹 , 桑原　博一 , 貞光　雄一 , 狩野　英成
IPC分类号： C07D495/04 , H01L21/363 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/055 , C07D495/04 , H01L51/0005 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：　特定のアントラセン誘導体をＳＭｅ化し、その後、特定のスズ化合物と反応させ、そして環化することにより、ジアントラ［２，３－ｂ：２'，３'－ｆ］チエノ［３，２－ｂ］チオフェンを製造する。
摘要翻译：通过使特定的蒽衍生物进行硫甲基化，使蒽衍生物与特定的锡化合物反应，生成二蒽并[2,3-b：2'，3'-f]噻吩并[3,2-b] 使反应的蒽和锡化合物进行环化。

3. 发明申请

WO2007125671A1 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：WO2007125671A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/053092
申请日：2007-02-20
申请人：日本化薬株式会社 , 国立大学法人広島大学 , 池田征明 , 桑原博一 , 安達千波矢 , 瀧宮和男
发明人：池田征明 , 桑原博一 , 安達千波矢 , 瀧宮和男
IPC分类号： H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0566
摘要： Disclosed is a field effect transistor characterized by containing at least one compound represented by the formula (1), (2) or (3) below, and an electron-transporting semiconductor material. (1) (2) (3) (In the formulae, X 1 -X 6 independently represent a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom, and R 1 -R 6 independently represent an optionally substituted aromatic group.)
摘要翻译：公开了一种场效应晶体管，其特征在于含有至少一种由下式（1），（2）或（3）表示的化合物和电子传输半导体材料。（1）（2）（3）（式中，X 1 -X 6）独立地表示硫原子，硒原子或碲原子， SUB 1 -R 6独立地表示任选取代的芳族基团。）

4. 发明申请

WO2009038120A1 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：WO2009038120A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/066842
申请日：2008-09-18
申请人：日本化薬株式会社 , 国立大学法人広島大学 , 桑原博一 , 由井樹人 , 池田征明 , 瀧宮和男
发明人：桑原博一 , 由井樹人 , 池田征明 , 瀧宮和男
IPC分类号： H01L51/30 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/05
CPC分类号： C07D517/04 , C07D495/04 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：　特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、閾値電圧が低く、エネルギー消費が少ない電界効果トランジスタを提供する。　下記式（１）で表される少なくとも１種の化合物を半導体材料として用い、該化合物により半導体層が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタとする。（式（１）中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＣ１－Ｃ１４のアルキル基を表す。但し、Ｘ１及びＸ２のいずれもがセレン原子の場合には、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＣ１－Ｃ４のアルキル基を表す。）
摘要翻译：公开了通过使用特定的有机化合物作为半导体材料，具有实际的载流子迁移率，低阈值电压和低能耗的场效应晶体管。具体公开了一种场效应晶体管，其特征在于通过使用至少一种由下式（1）表示的化合物作为半导体材料形成半导体层。（式（1）中，X1和X2独立地表示硫原子，硒原子或碲原子，R1和R2分别表示C1-C14烷基，X1，X2均为硒原子时，R1，R2 独立地表示C1-C4烷基。）

5. 发明申请

WO2010098372A1 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：WO2010098372A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/JP2010/052923
申请日：2010-02-25
申请人：国立大学法人広島大学 , 日本化薬株式会社 , 桑原博一 , 池田征明 , 瀧宮和男
发明人：桑原　博一 , 池田　征明 , 瀧宮　和男
IPC分类号： C07D495/04 , C07C319/14 , C07C323/22 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： C07D495/04 , C07C319/14 , H01L51/0005 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C07C323/22
摘要：　下記式（１）で表される複素環式化合物及び該化合物からなる半導体層を有する電界効果トランジスタ。（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に硫黄原子又はセレン原子を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＣ５－Ｃ１６アルキル基を表す。）
摘要翻译：由式（1）表示的杂环化合物和具有包含该化合物的半导体层的场效应晶体管。（式中，X1和X2各自独立地表示硫原子或硒原子，R1和R2各自独立地表示C5-16烷基。）

6. 发明申请

WO2010058833A1 新規な複素環式化合物及びその利用审中-公开
标题翻译：新型杂环化合物及其用途
公开(公告)号：WO2010058833A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/JP2009/069688
申请日：2009-11-20
申请人：国立大学法人広島大学 , 日本化薬株式会社 , 桑原博一 , 池田征明 , 瀧宮和男
发明人：桑原　博一 , 池田　征明 , 瀧宮　和男
IPC分类号： C07D495/14 , C07D517/14 , C09K11/06 , C09K19/34 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC分类号： C09K19/3491 , C07D495/14 , C07D517/14 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K19/40 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1092 , C09K2211/1096 , G02F1/133634 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5048 , H05B33/14 , Y02E10/549
摘要：　式（１）で表されることを特徴とする複素環式化合物及びその組成物。またこの化合物を用いた有機エレクトロニクスデバイス。（式（１）中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立に硫黄原子又はセレン原子を表し、Ｒ１～Ｒ６がそれぞれ独立に芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシル基、メルカプト基、アルキルチオ基、ボロン酸基、ニトロ基、置換アミノ基、アミド基、アシル基、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、スルホ基、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基又は水素原子を表す。ただし全てが水素原子となる場合を除く。）　式（１）で表わされる化合物は有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、液晶素子などの有機エレクトロニクスデバイスに好適に用いることができる。
摘要翻译：公开了以式（1）表示的杂环化合物和化合物的组成。还公开了使用该化合物的有机电子器件。（式（1）中，X1，X2和X3各自独立地表示硫原子或硒原子; R1-R6分别独立地表示芳香族烃基，脂肪族烃基，卤素原子，羟基，烷氧基基团，巯基，烷硫基，硼酸基，硝基，取代氨基，酰胺基，酰基，羧基，酰氧基，氰基，磺基，氨磺酰基基团，烷基氨磺酰基，氨基甲酰基，烷基氨基甲酰基或氢原子，条件是所有的R 1 -R 6不同时为氢原子。）式（1）表示的化合物适用于有机电子器件如有机EL元件，有机晶体管元件和液晶元件。

7. 发明申请

WO2005016910A1 ピリジルテトラヒドロピリジン類およびピリジルピペリジン類とそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：吡咯烷酮衍生物，吡啶并吡啶，以及生产二氯乙酸的方法
公开(公告)号：WO2005016910A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/012140
申请日：2004-08-18
申请人：三協化学株式会社 , 桑原博一 , 園田隆之 , 齋藤廣満 , 新井秀洋
发明人：桑原博一 , 園田隆之 , 齋藤廣満 , 新井秀洋
IPC分类号： C07D401/04
CPC分类号： C07D409/14 , C07D401/04 , C07D401/14
摘要：本発明は医薬品や農薬、電子写真感光体、染料等の中間体として有用なピリジン誘導体を提供するものである。具体的には新規なピリジルテトラヒドロピリジン類および新規なピリジルピペリジン類、および、ビピリジン誘導体とハロゲン化べンジル類またはベンジルオキシカルボニルハライド類とを反応し、その反応物をパラジウム触媒類、白金触媒類、ルテニウム触媒類、またはロジウム触媒類を用いて還元することによるピリジン誘導体の製造方法に関する。
摘要翻译：本发明提供了可用作药物，杀虫剂，电子照相感光体，染料等的中间体的吡啶衍生物，更具体地说，是新的吡啶基四氢吡啶类和新的吡啶基哌啶类; 以及制备吡啶衍生物的方法，其包括使联吡啶衍生物与苄基卤或苄氧基羰基卤反应，并通过使用钯催化剂，铂催化剂，钌催化剂或铑催化剂还原所得产物。

8. 发明申请

WO2008047896A1 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008047896A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/070416
申请日：2007-10-19
申请人：日本化薬株式会社 , 国立大学法人広島大学 , 瀧宮和男 , 江端英昭 , 桑原博一 , 池田征明 , 由井樹人
发明人：瀧宮和男 , 江端英昭 , 桑原博一 , 池田征明 , 由井樹人
IPC分类号： H01L51/30 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0071 , H01L51/0074 , H01L51/0076 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：　本発明は、下記式（１）で表される化合物を半導体材料として用いることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。（式（１）中、Ｘ 1 及びＸ 2 はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子、テルル原子を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換Ｃ１－Ｃ３６脂肪族炭化水素基を表す。）
摘要翻译：公开了一种场效应晶体管，其特征在于使用下述式（1）表示的化合物作为半导体材料。（式（1）中，X 1和X 2独立地表示硫原子，硒原子或碲原子; R 1， >和R 2独立地表示未取代或卤代取代的C 1 -C 36脂族烃基）。

9. 发明申请

WO2008146597A1 芳香族化合物の製造方法审中-公开
标题翻译：生产芳香化合物的方法
公开(公告)号：WO2008146597A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/058764
申请日：2008-05-13
申请人：日本化薬株式会社 , 国立大学法人広島大学 , 桑原博一 , 池田征明 , 瀧宮和男
发明人：桑原博一 , 池田征明 , 瀧宮和男
IPC分类号： C07D495/04 , C07D495/22 , C07D517/04
CPC分类号： C07D495/04 , C07D495/22 , C07D517/04
摘要：　本発明は、一般式（１）（式（１）中、Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、エステル基、置換基を有してよい炭素数１～１８のアルキル基等を表す。Ｒ２は、ハロゲン原子を表す。Ｒ３は水素原子、Ｃ≡Ｃ－Ｒ１、Ｒ２を示す。ｎは０～４の整数を表す。ｎが２以上の場合、Ｒ３は同一でも異なっていてもよい。）で表される化合物と硫黄化合物（硫黄、硫化水素、金属水硫化物、及び金属硫化物からなる群から選ばれる少なくとも一種）又はセレン化合物を反応させることを特徴とする、一般式（２）（一般式（２）中、Ｒ１、Ｒ３、ｎは一般式（１）と同じ意味を示す。Ｘは、硫黄原子又はセレン原子を示す。）で表される芳香族化合物の製造方法に関する。
摘要翻译：公开了下述通式（2）表示的芳香族化合物的制造方法，其特征在于，将下述通式（1）表示的化合物与硫化合物（选自下述的至少一种由硫，硫化氢，金属氢硫化物和金属硫化物组成）或硒化合物。（式（1）中，R 1表示氢原子，卤素原子，羟基，氰基，硝基，酯基，可具有取代基的碳原子数为1〜18的烷基等; R 2 表示卤素原子; R3表示氢原子，C = C-R1或R2; n表示0-4的整数，当n不小于2时，R 3可以相同或不同。（式（2）中，R 1，R 3，n如式（1）所定义，X表示硫原子或硒原子。

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