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1. 发明申请

WO2005086180A1 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及びこれらの製造方法及びこれらを用いた液晶表示装置及び関連する装置及び方法、並びに、スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜した透明導電膜及び透明電極及び関連する装置及び方法审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管和薄膜晶体管基板及其使用这些和相关装置的方法和液晶显示单元的制造方法和方法，以及使用该透明电极形成的溅射靶和透明导电膜及相关装置和方法
公开(公告)号：WO2005086180A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/003489
申请日：2005-03-02
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 笘井重和 , 松原雅人
发明人：井上一吉 , 笘井重和 , 松原雅人
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： H01L29/78696 , C04B35/01 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3289 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L23/53219 , H01L23/53247 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　エッチングによる残渣などの発生が、ほとんどない透明導電膜を備える薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置を提供する。　透明基板と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられた透明画素電極と、を具備してなる薄膜トランジスタ型基板において、前記透明画素電極が、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、及び酸化ニオブから選ばれた一種又は二種以上の酸化物と、を含む透明導電膜であり、前記透明画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続している薄膜トランジスタ型基板、及びその製造方法、及びその薄膜トランジスタ型基板を用いた液晶表示装置である。
摘要翻译：具有通过蚀刻几乎没有残留物等的透明导电膜的薄膜晶体管基板和制造方法，以及使用该薄膜晶体管基板的液晶显示装置。薄膜晶体管基板包括透明基板，设置在透明基板上的源电极，设置在透明基板上的漏电极和设置在透明基板上的透明像素电极，其中透明像素电极是透明导电膜含有氧化铟作为主要成分和选自氧化钨，氧化钼，氧化镍和氧化铌的一种或两种以上的氧化物，透明像素电极与源电极或漏电极电连接; 和一种生产方法; 以及使用该薄膜晶体管基板的液晶显示单元。

2. 发明申请

WO2005086179A1 半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置审中-公开
标题翻译：半导体/半导体电极基板，其制造方法和使用这种半导体/半导体电极基板的液晶显示器
公开(公告)号：WO2005086179A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/002602
申请日：2005-02-18
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 笘井重和 , 松原雅人
发明人：井上一吉 , 笘井重和 , 松原雅人
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/133555
摘要：　エッチングによる残渣などの発生がほとんどなく、且つ、金属反射層（金属層）のエッチャントに対して耐性のある透明導電層を備える半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及び、その半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置を提供する。　透明基板と、前記透明基板上に設けられ、酸化インジウムを主成分として含み、さらに、酸化タングステン、酸化モリブデン、及び酸化ニオブから選ばれた一種または二種以上の酸化物を含む透明導電層と、前記透明基板上に設けられるとともに、外光を反射し、且つ前記透明導電層と電気的に接続された金属反射層と、を具備してなる半透過・半反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置である。この半透過・半反射電極基板は、残渣の発生がほとんどなく、加工性に優れ、歩留りも向上する。　
摘要翻译：公开了一种半透射/半反射电极基板，其包括几乎不会蚀刻残留物并具有抵抗金属反射层（金属层）的蚀刻剂的透明导电层。还公开了使用这种半透射/半反射电极基板制造这种半透射/半反射电极基板和液晶显示器的方法。具体公开了一种半透射/半反射电极基板，其包括透明基板，形成在透明基板上的透明导电层，主要包含氧化铟，并且还含有一种以上选自氧化钨，氧化钼和铌的氧化物氧化物和金属反射层，其形成在透明基板上以反射外部光并电连接到透明导电层; 制造这种基板的方法; 以及使用这种基板的液晶显示器。该半透射/半反射电极基板几乎不具有残留物，并且具有优异的加工性和提高的产率。

3. 发明申请

WO2005103320A1 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜审中-公开
标题翻译：氧化铅/氧化锌/氧化镁溅射靶和透明导电膜
公开(公告)号：WO2005103320A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/002903
申请日：2005-02-23
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松原雅人 , 笘井重和 , 島根幸朗
发明人：井上一吉 , 松原雅人 , 笘井重和 , 島根幸朗
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01B1/08 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L31/022466
摘要：　スパッタリング時に、ノジュールを発生しないターゲットを提供する。また、エッチング性に優れ、且つ、特に４００～４５０ｎｍ域の透明性に優れた非晶質透明導電膜を提供する。　酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含むスパッタリングターゲットであり、このスパッタリングターゲットは、スパッタリング時に、ノジュールを発生しない。また、酸化インジウムと、酸化亜鉛と、酸化マグネシウムと、を含む非晶質透明導電膜であり、この非晶質透明導電膜は、エッチング性に優れ、且つ４００～４５０ｎｍ域の光線透過率が高い。
摘要翻译：公开了在溅射期间不形成结节的靶。还公开了一种非晶透明导电膜，其具有优异的蚀刻性能和优异的透明度，特别是在400-450nm区域。具体公开了包含在溅射期间不形成结节的氧化铟，氧化锌和氧化镁的溅射靶。还公开了含有氧化铟，氧化锌和氧化镁的非晶透明导电膜，其蚀刻性能优异，并且在400-450nm区域具有高透光率。

4. 发明申请

WO2007010702A1 Ｉｎ・Ｓｍ酸化物系スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：在Sm氧化物溅射目标
公开(公告)号：WO2007010702A1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：PCT/JP2006/312412
申请日：2006-06-21
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 田中信夫 , 笘井重和 , 松原雅人 , 海上暁 , 矢野公規
发明人：井上一吉 , 田中信夫 , 笘井重和 , 松原雅人 , 海上暁 , 矢野公規
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/50
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/50 , C04B35/62655 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08
摘要：　ＩｎとＳｍを主成分とする酸化物の焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。及び、ＩｎとＳｍを主成分とする酸化物の焼結体に正四価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種が、全カチオン元素の合計量に対して２０原子％以下でドープされていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
摘要翻译：一种溅射靶，其特征在于由含有In和Sm作为主要成分的氧化物烧结体组成。此外，提供了一种溅射靶，其特征在于，包含含有In和Sm的氧化物的烧结体，所述氧化物以Sm为主要成分，所述主要成分掺杂有至少一种元素，所述元素的原子价为正四价以上，基数为20原子％以下所有阳离子元素的总和。

5. 发明申请

WO2006095733A1 非晶質透明導電膜、ターゲット及び非晶質透明導電膜の製造方法审中-公开
标题翻译：非晶透明导电膜，非晶导体膜的目标和生产方法
公开(公告)号：WO2006095733A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2006/304373
申请日：2006-03-07
申请人：出光興産株式会社 , 島根幸朗 , 井上一吉 , 松原雅人 , 田中信夫 , 笘井重和 , 矢野公規 , 松崎滋夫
发明人：島根幸朗 , 井上一吉 , 松原雅人 , 田中信夫 , 笘井重和 , 矢野公規 , 松崎滋夫
IPC分类号： H01B5/14 , C23C14/34 , H01B13/00
CPC分类号： C23C16/407 , C23C14/3414 , C23C16/40
摘要： An amorphous transparent conductive film, a target and a production method for an amorphous transparent conductive film. While various display units actively have been introduced into OA apparatuses recently, display units have a structure of sandwiching a display element between transparent conductive films. Currently, an ITO film is mainly used as the transparent conductive film, but it has a damaged wiring problem because strong acid is used for etching. Although an attempt is being made to form an ITO film in the form of an amorphous film at low temperature and etch it with weak acid, but this method has a high resistance problem in an amorphous condition. The above problem is resolved by using an amorphous transparent conductive film or the like that satisfies the relation A>B when the maximum value of (RDF) at an interatomic distance of 0.30-0.36 nm in a radial distribution function (RDF) determined by X-ray scattering measuring is A, and a maximum value of (RDF) at an interatomic distance of 0.36-0.42 nm is B.
摘要翻译：无定形透明导电膜，靶和非晶形透明导电膜的制造方法。尽管各种显示单元最近已经被主动地引入到OA设备中，但是显示单元具有将显示元件夹在透明导电膜之间的结构。目前，ITO膜主要用作透明导电膜，但是由于使用强酸而进行蚀刻，导致了布线问题。尽管正在尝试在低温下形成非晶膜形式的ITO膜，并用弱酸蚀刻，但是该方法在非晶态下具有高电阻问题。当通过X确定的径向分布函数（RDF）中，当原子间距离为0.30-0.36nm处的（RDF）的最大值为X时，通过使用满足关系A> B的非晶透明导电膜等来解决上述问题射线散射测量为A，原子间距离为0.36-0.42nm的（RDF）最大值为B.

6. 发明申请

WO2005098080A1 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法审中-公开
标题翻译：氧化铅/氧化铈喷溅目标，透明导电膜和生产透明导电膜的方法
公开(公告)号：WO2005098080A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/002705
申请日：2005-02-21
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松原雅人 , 笘井重和
发明人：井上一吉 , 松原雅人 , 笘井重和
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/5806
摘要：　弱酸（有機酸など）によるエッチングにより残渣等の発生がない透明電極を構成する透明導電膜を提供する。また、その透明導電膜を作製するためのスパッタリングターゲットを提供する。　酸化インジウムと酸化セリウムからなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｘ線回折により結晶ピークを観察した場合、酸化インジウム及び酸化セリウムに由来するピークの存在が観察され、且つ、ＥＰＭＡ測定を行った場合、酸化インジウム中に分散した酸化セリウム粒子の直径が、５μｍ以下であると測定されることを特教とするスパッタリングターゲットである。このスパッタリングターゲットを用いてスパッタ法により透明導電膜を成膜する。この透明導電膜は、弱酸（有機酸など）によるエッチングにより残渣等の発生がほとんどない。　
摘要翻译：用于通过用弱酸（例如有机酸）蚀刻而构成不产生残渣等的透明电极的透明导电膜。此外，提供了一种用于制造透明导电膜的溅射靶。特别地，提供了由氧化铟和氧化铈构成的溅射靶，其特征在于，在通过X射线衍射法观察晶体峰时，观察到归属于氧化铟和氧化铈的峰的存在， EPMA测量中，分散在氧化铟中的氧化铈颗粒的直径被测量为<=5μm。通过使用该溅射靶的溅射技术形成透明导电膜。这种透明导电膜基本上没有通过用弱酸（例如有机酸）蚀刻而产生残留物等。

7. 发明申请

WO2007004473A1 ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造方法审中-公开
标题翻译：生产IZO溅射靶的工艺
公开(公告)号：WO2007004473A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/JP2006/312825
申请日：2006-06-27
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 海上暁 , 松原雅人
发明人：井上一吉 , 海上暁 , 松原雅人
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , B82Y30/00 , C04B35/453 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C23C14/086
摘要：　ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減することにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供する。また、焼結温度を下げることにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供する。　特定の性状を有する酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末とを、又はこれらの粉末を主成分とする原料粉末を混合粉砕して微粉末を得る混合粉砕工程、前記微粉末を成型して成型物を得る成型工程、前記成型物を酸素雰囲気中１２５０～１４５０°Cで、又は前記成型物を加圧下、酸素雰囲気中１１００～１２５０°Cで焼結して焼結体を得る焼結工程を含むことを特徴とするＩＺＯスパッタリングターゲットの製造方法である。
摘要翻译：可以在保持IZO溅射靶所要求的性能的同时降低台阶数，从而提高生产率和降低生产成本的IZO溅射靶制造方法。还提供了可以使用降低的烧结温度从而实现生产率提高和生产成本降低的生产方法。制造IZO溅射靶的方法的特征在于包括：混合/粉碎步骤，其中将具有特定性质的氧化铟粉末和氧化锌粉末或包含这些粉末作为主要成分的原料粉末混合并粉碎，得到细粉; 模制步骤，其中模制细粉以获得模制品; 以及烧结步骤，其中模塑在氧气氛中在1,250-1,450℃下烧结或在含氧气氛中在1,100-1,250℃下烧结，从而得到烧结体。

8. 发明申请

WO2005062678A3 有機エレクトロルミネッセンス素子、導電積層体及び表示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2005062678A3
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：PCT/JP2004/018263
申请日：2004-12-08
申请人：出光興産株式会社 , 苫井重和 , 井上一吉 , 渋谷忠夫 , 酒井俊男 , 松原雅人
发明人：苫井重和 , 井上一吉 , 渋谷忠夫 , 酒井俊男 , 松原雅人
IPC分类号： H05B33/26
摘要：　陰極５０と、陽極２０と、陰極５０と陽極２０の間に介在する発光層４０からなり、陽極２０の少なくとも発光層４０に接する部分が、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウムから選ばれる少なくとも１つ以上の元素と、クロム、タングステン、タンタル、ニオブ、銀、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、シリコンから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。この素子では、陽極から発光層に正孔が効率よく注入され、有機ＥＬ素子の駆動電圧のさらなる低電圧化、及び低電圧駆動による長寿命化が可能になる。

9. 发明申请

WO2007148538A1 ストリッピング組成物、ＴＦＴ基板の製造方法及びストリッピング組成物のリサイクル方法审中-公开
标题翻译：剥离组合物，TFT基板制造方法和剥离组合物回收方法
公开(公告)号：WO2007148538A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/061508
申请日：2007-06-07
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松原雅人 , 白木安司
发明人：井上一吉 , 松原雅人 , 白木安司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , G03F7/425 , H01L27/1214 , H01L29/66765
摘要：　品質及び生産性を向上させることができ、また、作業環境を改善することのできる、ストリッピング組成物、ＴＦＴ基板の製造方法及びストリッピング組成物のリサイクル方法の提供を目的とする。　ＴＦＴ基板の製造方法は、ガラス基板１０１０に薄膜トランジスタ１０５０、保護用絶縁膜１０５４、レジスト１０５５を形成し、アンダーカット部１５５４を形成する工程と、互いに分離された導電体膜１６１１及び画素電極１６１２を形成する工程と、ストリッピング組成物を供給し、再形成レジスト１５５３を溶解することにより、導電体膜１６１１を剥離させるストリッピング工程と、導電体膜１６１１が含まれた使用済みストリッピング組成物に、レジスト上の導電体膜１６１１を溶解させ、該使用済みストリッピング組成物を再利用するリサイクル工程とを有する。
摘要翻译：提供能够提高质量和生产率并改善工作环境的剥离组合物，TFT基板制造方法和剥离组合物回收方法。 TFT基板的制造方法包括在玻璃基板（1010）上形成薄膜晶体管（1050），保护绝缘膜（1054）和抗蚀剂（1055），从而形成底切部（1554）的工序，形成彼此分离的导体膜（1611）和像素电极（1612），所述剥离步骤进料汽提组合物并熔化重整的抗蚀剂（1553），从而剥离导体膜（1611），并且再循环步骤将抗蚀剂上的导体膜（1611）熔化到含有导体膜（1611）的废旧汽提组合物中，从而重新使用所使用的汽提组合物。

10. 发明申请

WO2007086280A1 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極审中-公开
标题翻译：层叠结构和使用该电路的电路的电极
公开(公告)号：WO2007086280A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/050497
申请日：2007-01-16
申请人：出光興産株式会社 , 梅野聡 , 本田克典 , 井上一吉 , 松原雅人
发明人：梅野聡 , 本田克典 , 井上一吉 , 松原雅人
IPC分类号： G02F1/1343 , H01B5/02 , H01B5/14 , C23C14/08 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/086 , G02F1/13439 , G02F2001/13629 , H01J9/02 , H01L51/5206 , H01L51/5209
摘要： A thin film composed of a thin film of ITO and a thin film of molybdenum stacked on top of each other has hitherto been used as a part of an electric circuit, for example, in liquid crystal displays. However, it is known that, when the thin film of molybdenum is formed on the thin film of ITO, internal stress takes place in each of the thin films, disadvantageously leading to separation of the thin film or breaking. To overcome this problem, a laminated film forming technique, which can simplify the step of film formation and the step of etching while preventing cracking and breaking caused by stress between the thin film of ITO and the thin film of molybdenum, has been demanded. As a result of extensive and intensive studies for solving the above problem, it was found that, when the thickness of a transparent electroconductive film is not more than 35 nm, the adhesion of the transparent electroconductive thin film and the thin film of molybdenum metal can be enhanced. By virtue of this finding, the prevention of cracking and breaking and an improvement in yield by the simplification of the process could have been simultaneously realized.
摘要翻译：迄今为止，已经使用由ITO的薄膜和堆积在其上方的钼薄膜构成的薄膜作为电路的一部分，例如在液晶显示器中。然而，已知当ITO的薄膜上形成钼薄膜时，在各薄膜中产生内应力，导致薄膜分离或断裂。为了克服这个问题，需要可以简化薄膜形成步骤的薄膜形成技术和在ITO薄膜和钼薄膜之间防止由应力引起的开裂和断裂的同时进行蚀刻的步骤。作为解决上述问题的广泛而深入的研究的结果，发现当透明导电膜的厚度不大于35nm时，透明导电薄膜和钼金属薄膜的粘附能够加强。凭借这一发现，可以同时实现通过简化工艺来防止开裂和断裂以及产率的提高。

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