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1. 发明申请

WO2013179676A1 スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：WO2013179676A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/JP2013/003445
申请日：2013-05-31
申请人：出光興産株式会社 , 西村麻美 , 松崎滋夫 , 大山正嗣
发明人：西村　麻美 , 松崎　滋夫 , 大山　正嗣
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3409 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429
摘要：インジウム元素、スズ元素及び亜鉛元素を含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットにおいて、前記酸化物焼結体は、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍで表される六方晶層状化合物、ＩｎＸＯ３（ＺｎＯ）ｎで表される六方晶層状化合物、ＳｎＯ２で表されるルチル構造化合物、及びＺｎＳｎＯ３で表されるイルメナイト構造化合物から選ばれる１以上と、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含み、スピネル構造化合物の凝集物が全体の５％以下であるスパッタリングターゲット。（式中、Ｘはインジウム元素及び亜鉛元素と共に六方晶層状化合物を形成することができる金属元素であり、ｍは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。）
摘要翻译：由含有铟元素，锡元素和锌元素的氧化物烧结体形成的溅射靶。氧化物烧结体含有由Zn 2 SnO 4表示的尖晶石结构化合物和选自由In2O3（ZnO）m表示的六方晶片状化合物，InXO 3（ZnO）n表示的六方晶片状化合物，SnO 2所示的金红石结构化合物和由ZnSnO 3表示的钛铁矿结构化合物，尖晶石结构化合物的团聚体总体为5％以下。（式中，X表示与铟元素和锌元素一起形成六方晶片状化合物的金属元素，m表示1以上的整数，n表示1以上的整数。）

2. 发明申请

WO2013035335A1 スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：WO2013035335A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/JP2012/005664
申请日：2012-09-06
申请人：出光興産株式会社 , 江端一晃 , 笘井重和 , 松崎滋夫 , 霍間勇輝
发明人：江端　一晃 , 笘井　重和 , 松崎　滋夫 , 霍間　勇輝
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/3426 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。
摘要翻译：一种溅射靶，其包括烧结物体，其包含掺杂有掺杂有Al的氧化铟或氧化铟，并且还含有正价为4的金属，其量为100-1100原子。 ppm，不包括100 at。 Ga和In之和的总和的ppm，Al和铟的总和，并且具有基本上由氧化铟的二氧化物结构构成的晶体结构。

3. 发明申请

WO2011152048A1 スパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：WO2011152048A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/JP2011/003087
申请日：2011-06-01
申请人：出光興産株式会社 , 笘井重和 , 江端一晃 , 松崎滋夫 , 矢野公規
发明人：笘井　重和 , 江端　一晃 , 松崎　滋夫 , 矢野　公規
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L49/02 , C04B35/01 , C04B35/6262 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6583 , C04B2235/6588 , C04B2235/665 , C04B2235/666 , C04B2235/70 , C04B2235/728 , C04B2235/761 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び正三価及び／又は正四価の金属Ｘの酸化物を含有し、ＩｎとＧａの合計に対する金属Ｘの配合量が１００～１００００ｐｐｍ（重量）であることを特徴とする酸化物焼結体。
摘要翻译：一种包含铟（In），镓（Ga）和三正极金属和/或四正极金属（X））的氧化物的烧结氧化物材料，其特征在于金属（X）的含量与总含量的In和Ga为100〜10000ppm（重量比）。

4. 发明申请

WO2003014409A1 スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法审中-公开
标题翻译：透射目标，透明导电膜及其制造方法
公开(公告)号：WO2003014409A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/006888
申请日：2002-07-08
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松崎滋夫
发明人：井上一吉 , 松崎滋夫
IPC分类号： C23C14/08
CPC分类号： H01L31/1884 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y02E10/50
摘要： A sputtering target composed of indium oxide and zinc oxide. The content of zinc atoms ranges from 3 to 20 atom% based on the total of indium atoms and zinc atoms. The maximum particle diameter of the crystals in the sputtering target is 5 µm ore less. Few nodules are produced on the surface of the target while a transparent conductive film is formed by sputtering, and therefore the sputtering is conducted stably.
摘要翻译：由氧化铟和氧化锌构成的溅射靶。锌原子的含量相对于铟原子和锌原子的总量为3〜20原子％。溅射靶中晶体的最大粒径为5微米以下。通过溅射形成透明导电膜，在靶的表面产生少量结核，因此能够稳定地进行溅射。

5. 发明申请

WO2012090490A1 酸化物半導体薄膜層を有する積層構造及び薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：包括氧化物半导体薄膜层和薄膜晶体管的层压结构
公开(公告)号：WO2012090490A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/JP2011/007307
申请日：2011-12-27
申请人：出光興産株式会社 , 江端一晃 , 笘井重和 , 霍間勇輝 , 松崎滋夫 , 矢野公規
发明人：江端　一晃 , 笘井　重和 , 霍間　勇輝 , 松崎　滋夫 , 矢野　公規
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
摘要：酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が１０１８／ｃｍ３以下、平均結晶粒径が１μｍ以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。
摘要翻译：提供一种包含氧化物层和绝缘层的层压结构体，其特征在于，氧化物层的载流子密度为1018 / cm3以下，平均结晶粒径为1μm以上，结晶的氧化物层在绝缘层的表面上以柱状排列。

6. 发明申请

WO2007032175A1 導電性積層体及び有機ＥＬ素子审中-公开
标题翻译：导电层压板和有机EL器件
公开(公告)号：WO2007032175A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/316052
申请日：2006-08-15
申请人：出光興産株式会社 , 笘井重和 , 井上一吉 , 松崎滋夫
发明人：笘井重和 , 井上一吉 , 松崎滋夫
IPC分类号： H05B33/26 , H01B5/14 , H01L51/50 , H05B33/28
CPC分类号： H01L51/5218 , H01L51/5215 , Y10T428/24942
摘要：　金属又は透明導電物質からなる第一の層(１２)と、第一の層(１２)の上に、インジウム、錫、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニア、ニオブ、モリブデン、アンチモン、バリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム及びイッテルビウムから選択される１種以上の金属の酸化物、炭化物もしくは窒化物、又はカーボンからなる第二の層(１４)とから構成され、第二の層(１４)の仕事関数が第一の層(１２)の仕事関数よりも大きく、第二の層(１４)の膜厚が０．５ｎｍ以上５０ｎｍ未満である導電性積層体(１０)。
摘要翻译：包括由金属或透明导电材料构成的第一层（12）和叠加在第一层（12）上的第二层（14）的导电层压板（10），由选自以下的至少一种金属的氮化物，碳化物或氧化物组成的第二层在铟，锡，锌，铝，镁，硅，钛，钒，锰，钴，镍，铜，镓，锗，钇，锆，铌，钼，锑，钡，铪，钽，钨，铋，镧，铈，镨，钕，钐，铕，钆，铽，镝，钬，铒，ium和镱，或由碳组成，其中第二层（14）的功函数大于第一层），并且其中所述第二层（14）具有0.5至小于50nm的厚度。

7. 发明申请

WO2006095733A1 非晶質透明導電膜、ターゲット及び非晶質透明導電膜の製造方法审中-公开
标题翻译：非晶透明导电膜，非晶导体膜的目标和生产方法
公开(公告)号：WO2006095733A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2006/304373
申请日：2006-03-07
申请人：出光興産株式会社 , 島根幸朗 , 井上一吉 , 松原雅人 , 田中信夫 , 笘井重和 , 矢野公規 , 松崎滋夫
发明人：島根幸朗 , 井上一吉 , 松原雅人 , 田中信夫 , 笘井重和 , 矢野公規 , 松崎滋夫
IPC分类号： H01B5/14 , C23C14/34 , H01B13/00
CPC分类号： C23C16/407 , C23C14/3414 , C23C16/40
摘要： An amorphous transparent conductive film, a target and a production method for an amorphous transparent conductive film. While various display units actively have been introduced into OA apparatuses recently, display units have a structure of sandwiching a display element between transparent conductive films. Currently, an ITO film is mainly used as the transparent conductive film, but it has a damaged wiring problem because strong acid is used for etching. Although an attempt is being made to form an ITO film in the form of an amorphous film at low temperature and etch it with weak acid, but this method has a high resistance problem in an amorphous condition. The above problem is resolved by using an amorphous transparent conductive film or the like that satisfies the relation A>B when the maximum value of (RDF) at an interatomic distance of 0.30-0.36 nm in a radial distribution function (RDF) determined by X-ray scattering measuring is A, and a maximum value of (RDF) at an interatomic distance of 0.36-0.42 nm is B.
摘要翻译：无定形透明导电膜，靶和非晶形透明导电膜的制造方法。尽管各种显示单元最近已经被主动地引入到OA设备中，但是显示单元具有将显示元件夹在透明导电膜之间的结构。目前，ITO膜主要用作透明导电膜，但是由于使用强酸而进行蚀刻，导致了布线问题。尽管正在尝试在低温下形成非晶膜形式的ITO膜，并用弱酸蚀刻，但是该方法在非晶态下具有高电阻问题。当通过X确定的径向分布函数（RDF）中，当原子间距离为0.30-0.36nm处的（RDF）的最大值为X时，通过使用满足关系A> B的非晶透明导电膜等来解决上述问题射线散射测量为A，原子间距离为0.36-0.42nm的（RDF）最大值为B.

8. 发明申请

WO2003029512A1 スパッタリングターゲット及び透明導電膜审中-公开
标题翻译：溅射目标和透明电极膜
公开(公告)号：WO2003029512A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/010051
申请日：2002-09-27
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松崎滋夫
发明人：井上一吉 , 松崎滋夫
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/086
摘要： A sputtering target or a transparent electroconductive film which comprises (1) a sintered compact of a specific metal oxide comprising indium oxide, gallium oxide and zinc oxide or (2) a sintered compact of a specific metal oxide comprising indium oxide, gallium oxide and germanium oxide; and a transparent electroconductive film which comprises a specific metal oxide comprising indium oxide, gallium oxide and zinc oxide or a specific metal oxide comprising indium oxide, gallium oxide and germanium oxide. The use of the sputtering target results in the suppression of the occurrence of nodules during the formation of a transparent film by the sputtering method, which leads to the film formation with good stability, and the transparent electroconductive film is excellent in etching processability.
摘要翻译：一种溅射靶或透明导电膜，其包括（1）包含氧化铟，氧化镓和氧化锌的特定金属氧化物的烧结体，或（2）包含氧化铟，氧化镓和锗的特定金属氧化物的烧结体氧化物; 以及包含由氧化铟，氧化镓和氧化锌构成的特定金属氧化物或包含氧化铟，氧化镓和氧化锗的特定金属氧化物的透明导电膜。溅射靶的使用导致通过溅射法抑制在形成透明膜期间发生结节，这导致成膜性良好的稳定性，并且透明导电膜的蚀刻加工性优异。

9. 发明申请

WO2003008661A1 スパッタリングターゲットおよび透明導電膜审中-公开
标题翻译：溅射目标和透明导电膜
公开(公告)号：WO2003008661A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/005058
申请日：2002-05-24
申请人：出光興産株式会社 , 井上一吉 , 松崎滋夫
发明人：井上一吉 , 松崎滋夫
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10S428/922
摘要： A sputtering target containing a hexagonal system laminar compound the composition of which is expressed by In 2 O 3 (Zn0) m (where m represents an integer of 2 to 7) composed of indium oxide and zinc oxide and 0.01 to 1 atom% of an oxide of a third element having a valence of plus 4. A transparent conductive film formed using the sputtering target is also disclosed. Thus a sputtering target for sputtering with good stability having a low volume resistivity and a transparent conductive film formed by using the sputtering target and excellent in etchability are provided.
摘要翻译：一种含有六方晶系层状化合物的溅射靶，其组成由In 2 Sb 3（ZnO）s（s）表示（其中m表示由氧化铟和氧化锌构成的2〜7的整数，0.01〜1原子％的价数为4的第3元素的氧化物。还公开了使用溅射靶形成的透明导电膜。因此，提供了具有低体积电阻率的良好稳定性的溅射溅射靶和通过使用溅射靶形成的透明导电膜并具有优异的蚀刻性。

10. 发明申请

WO2012127883A1 焼結体及びその製造方法审中-公开
标题翻译：烧结材料及其生产方法
公开(公告)号：WO2012127883A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/JP2012/002061
申请日：2012-03-26
申请人：出光興産株式会社 , 笘井重和 , 松崎滋夫 , 矢野公規 , 安藤誠人 , 江端一晃 , 糸瀬将之
发明人：笘井　重和 , 松崎　滋夫 , 矢野　公規 , 安藤　誠人 , 江端　一晃 , 糸瀬　将之
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：少なくとも酸化インジウム及び酸化ガリウムを含有する焼結体であって、体積１４０００μｍ３以上の空隙が０．０３体積％以下である焼結体。
摘要翻译：至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其中含有体积为14000μm3以上的空隙为0.03体积％以下。

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