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1. 发明申请

WO2006022245A1 ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产具有PN结的化合物半导体外延衬底的方法
公开(公告)号：WO2006022245A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015248
申请日：2005-08-23
申请人：住友化学株式会社 , 小廣健司 , 上田和正 , 秦雅彦
发明人：小廣健司 , 上田和正 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L29/66136
摘要：　ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が１．０×１０ -5 以下である元基板を用いることを特徴とする上記方法。
摘要翻译：公开了一种通过选择性生长制备具有pn结的化合物半导体外延基板的方法，其特征在于使用平均残余应变不大于1.0×10

2. 发明申请

WO2005119744A1 ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造具有PN结的化合物半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2005119744A1
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：PCT/JP2005/010210
申请日：2005-05-27
申请人：住友化学株式会社 , 小廣健司 , 上田和正 , 秦雅彦
发明人：小廣健司 , 上田和正 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02661 , H01L29/66136
摘要：高い電気的特性を有する化合物半導体素子の製造に適した、化合物半導体基板の製造方法を提供する。　化合物半導体基板の製造方法は、エピタキシャル成長工程、これより後の選択成長工程及び任意の他の工程を含む、ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法であって、エピタキシャル成長工程より後の選択成長工程及び任意の他の工程の最高温度が、選択成長工程より前のエピタキシャル成長工程の最高温度より低い。
摘要翻译：一种适用于制造具有高电特性的化合物半导体元件的化合物半导体衬底制造方法。化合物半导体衬底制造方法是在外延生长工艺之后制造具有pn结的化合物半导体衬底的方法，包括外延生长工艺，选择性生长工艺和其它任意处理。选择性生长过程中的最高温度和外延生长过程之后的其他任意处理比在选择性生长过程之前的外延生长过程中的温度低。

3. 发明申请

WO2005117076A1 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：化合物半导体外延基材及其制造方法
公开(公告)号：WO2005117076A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/JP2005/010090
申请日：2005-05-26
申请人：住友化学株式会社 , 小廣健司 , 高田朋幸 , 上田和正 , 秦雅彦
发明人：小廣健司 , 高田朋幸 , 上田和正 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法を提供する。　化合物半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板、格子不整合化合物半導体層及び応力補償層を含み、かつ、格子不整合化合物半導体層及び応力補償層は、単結晶基板に対して同一面側にあり、格子不整合化合物半導体層は、格子緩和が生じていず、応力補償層は、格子緩和が生じていず；　単結晶基板の格子定数Ｌｓ、格子不整合化合物半導体層の格子定数Ｌｍ、及び、応力補償層の格子定数Ｌｃは、式(1a)又は(2a) Ｌｍ＜Ｌｓ＜Ｌｃ　(1a) Ｌｍ＞Ｌｓ＞Ｌｃ　(2a)を満足する。　化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法は、(1)及び(2)の工程を含む。(1)　単結晶基板の上に、格子緩和が生じない化合物半導体層Ｉをエピタキシャル成長させ、(2)　得られた化合物半導体層Ｉの上に、格子緩和が生じない化合物半導体層IIをエピタキシャル成長させ；　単結晶基板の格子定数Ｌｓ、化合物半導体層Ｉの格子定数ＬＩ、及び、化合物半導体層IIの格子定数Ｌ II は、式(1b)又は(2b)を満足する。ＬＩ＜Ｌｓ＜Ｌ II 　(1b) ＬＩ＞Ｌｓ＞Ｌ II 　(2b)
摘要翻译：化合物半导体外延基板; 及其制造方法。提供了包括单晶衬底，晶格失配化合物半导体层和应力补偿层的化合物半导体外延衬底，其中晶格失配化合物半导体层和应力补偿层设置在单晶衬底的同一表面侧其中在晶格失配化合物半导体层以及应力补偿层中不存在晶格弛豫，其中表示单晶衬底的晶格常数的Ls表示晶格失配化合物半导体层的晶格常数的Lm和表示应力补偿层的晶格常数的Lc满足公式：Lm Ls> Lc（2a）。此外，提供了一种制备化合物半导体外延基板的方法，包括以下步骤：（1）在单晶基板上进行不发生晶格关系的化合物半导体层（I）的外延生长，（2）在所获得的化合物半导体层（I）上进行不发生晶格关系的化合物半导体层（II）的外延生长，其中表示单晶衬底的晶格常数的Ls表示化合物半导体层的晶格常数 I）和表示化合物半导体层（II）的晶格常数的LII满足下式：LI Ls> LII（2b）。

4. 发明申请

WO2004112111A1 化合物半導体、その製造方法及び化合物半導体素子审中-公开
标题翻译：化合物半导体，其制造方法和化合物半导体器件
公开(公告)号：WO2004112111A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007413
申请日：2004-05-24
申请人：住友化学株式会社 , 小廣健司 , 上田和正 , 安部寿充 , 秦雅彦
发明人：小廣健司 , 上田和正 , 安部寿充 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：半絶縁性GaAs基板(1)上にInGaPバッファ層(3)を膜厚が5nm以上500nm以下に形成し、その上にInAlAs層(4)及びInGaAsチャネル層(5)を成層することによりヘテロ構造を形成する。InGaPバッファ層(3)の形成時にIn偏析現象が生じInGaPバッファ層(3)の上層部付近はIn過多の状態となる。この結果、InGaPバッファ層(3)の表面の組成はInPの組成に極めて近くなり、表面状態の悪化につながるようなミスフィット転位の発生が抑えられる。また、その上に形成されるInAlAs層(4)及びInGaAsチャネル層(5)の表面状態を良好とすることができる。
摘要翻译：在半绝缘GaAs衬底（1）上形成厚度为5-500nm的InGaP缓冲层（3），在InGaP缓冲层（InGaP缓冲层）上形成InAlAs层（4）和InGaAs沟道层（5） 3），从而形成异质结构。在InGaP缓冲层（3）的形成期间发生In的分离，并且在InGaP缓冲层（3）的上表面附近的部分含有过量的In。结果，InGaP缓冲层（3）的表面的组成非常接近InP组成，从而抑制可能导致表面状态劣化的失配位错。此外，形成在InGaP缓冲层（3）上的InAlAs层（4）和InGaAs沟道层（5）可以具有良好的表面条件。

5. 发明申请

WO2005041287A1 化合物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造化合物半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2005041287A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/JP2004/016186
申请日：2004-10-25
申请人：住友化学株式会社 , 秦雅彦 , 小野善伸 , 上田和正
发明人：秦雅彦 , 小野善伸 , 上田和正
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/2007 , H01L29/2003
摘要：本発明は化合物半導体基板の製造方法を提供する。化合物半導体基板の製造方法は、次の工程(ａ）−（ｅ）を含む。（ａ）基板１の上に、化合物半導体機能層２をエピタキシャル成長により形成する、（ｂ）化合物半導体機能層２に、支持基板３を接着する、（ｃ）基板１と、基板１に接触していた側の化合物半導体機能層２の一部を研磨により除去する、（ｄ）工程（ｃ）により露出した化合物半導体機能層２の表面に、基板１より大きい熱伝導率を有する高熱伝導性基板（高熱伝導性基板は、例えば、Ｓｉまたはサファイアの基板４およびダイヤモンド薄膜５からなる。）を接着して、多層基板を得る、（ｅ）支持基板３を多層基板から分離する。
摘要翻译：公开了一种制造化合物半导体衬底的方法，其包括以下步骤（a） - （e）：（a）化合物半导体功能层（2）在衬底（1）上外延生长; （b）支撑基板（3）与化合物半导体功能层（2）接合; （c）通过研磨除去基板（1）和与基板（1）接触的化合物半导体功能层（2）的一部分; （d）通过将导热性高于基板的热导率的导热性高的基板（例如由Si或蓝宝石基板（4）构成的基板和金刚石薄膜（5））接合而得到多层基板，（1）到步骤（c）中暴露的化合物半导体功能层（2）的表面; 和（e）支撑基板（3）与多层基板分离。

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