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1. 发明申请

WO2004112111A1 化合物半導体、その製造方法及び化合物半導体素子审中-公开
标题翻译：化合物半导体，其制造方法和化合物半导体器件
公开(公告)号：WO2004112111A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007413
申请日：2004-05-24
申请人：住友化学株式会社 , 小廣健司 , 上田和正 , 安部寿充 , 秦雅彦
发明人：小廣健司 , 上田和正 , 安部寿充 , 秦雅彦
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：半絶縁性GaAs基板(1)上にInGaPバッファ層(3)を膜厚が5nm以上500nm以下に形成し、その上にInAlAs層(4)及びInGaAsチャネル層(5)を成層することによりヘテロ構造を形成する。InGaPバッファ層(3)の形成時にIn偏析現象が生じInGaPバッファ層(3)の上層部付近はIn過多の状態となる。この結果、InGaPバッファ層(3)の表面の組成はInPの組成に極めて近くなり、表面状態の悪化につながるようなミスフィット転位の発生が抑えられる。また、その上に形成されるInAlAs層(4)及びInGaAsチャネル層(5)の表面状態を良好とすることができる。
摘要翻译：在半绝缘GaAs衬底（1）上形成厚度为5-500nm的InGaP缓冲层（3），在InGaP缓冲层（InGaP缓冲层）上形成InAlAs层（4）和InGaAs沟道层（5） 3），从而形成异质结构。在InGaP缓冲层（3）的形成期间发生In的分离，并且在InGaP缓冲层（3）的上表面附近的部分含有过量的In。结果，InGaP缓冲层（3）的表面的组成非常接近InP组成，从而抑制可能导致表面状态劣化的失配位错。此外，形成在InGaP缓冲层（3）上的InAlAs层（4）和InGaAs沟道层（5）可以具有良好的表面条件。

2. 发明申请

WO2009123117A1 有機金属化合物供給装置审中-公开
标题翻译：有机复合饲料
公开(公告)号：WO2009123117A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056502
申请日：2009-03-30
申请人：住友化学株式会社 , 安部寿充
发明人：安部寿充
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4481 , C30B25/14
摘要：　常温で固体の有機金属化合物を充填し、キャリアガスを供給して該有機金属化合物を昇華せしめる充填容器を有して成る有機金属化合物供給装置は、該充填容器内に不活性担体に担持された該有機金属化合物を保持し、キャリアガスが通過することのできる支持板、該充填容器の上部にキャリアガス導入口、該充填容器の底部であって該支持板の下方に開口したキャリアガス導出口、および該支持板と該キャリアガス導出口との間に取り付けられた、該キャリアガス導出口の口径よりも大である邪魔板を更に有して成り、キャリアガスを支持板上に充填した不活性担体に担持された該有機金属化合物中を上方から下方へ通過させるようにしたことを特徴とする。
摘要翻译：一种有机金属化合物进料器，其包含容器，其中装有常温下为固体的有机金属化合物。将载气供给到容器以使有机金属化合物升华。进料器的特征在于还具有：保持板，其已经设置在容器中并且保持沉积在惰性载体上的有机金属化合物并允许载气通过; 设置在容器的上部的载气入口; 承载气体出口，其位于容器底部的位于所述保持板下方的区域中; 以及已经安装在保持板和载气出口之间并且大于载气出口的孔的挡板。进料器的特征还在于，载气从上方通过装在保持板上的有机金属化合物向下通过并沉积在惰性载体上。

3. 发明申请

WO2005091384A1 化合物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：化合物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2005091384A1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：PCT/JP2005/004878
申请日：2005-03-14
申请人：住友化学株式会社 , 小野義伸 , 安部寿充 , 山中貞則
发明人：小野義伸 , 安部寿充 , 山中貞則
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S2301/173
摘要： Disclosed is a compound semiconductor light-emitting device (such as a light-emitting diode or laser diode) having a high luminous efficiency. The compound semiconductor light-emitting device comprises a reduced reflectance layer, an ohmic electrode layer (i), a light-emitting layer and another ohmic electrode layer (ii) sequentially in this order; and the ohmic electrode layer (i) is transparent and conductive.
摘要翻译：公开了具有高发光效率的化合物半导体发光器件（例如发光二极管或激光二极管）。化合物半导体发光装置依次依次包括减反射层，欧姆电极层（i），发光层和另一欧姆电极层（ii）。并且欧姆电极层（i）是透明和导电的。

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