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1. 发明申请

WO2006087786A1 太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：太阳能电池制造方法
公开(公告)号：WO2006087786A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2005/002456
申请日：2005-02-17
申请人：三菱電機株式会社 , 岩田高明 , 冨永尚史 , 筈見公一
发明人：岩田高明 , 冨永尚史 , 筈見公一
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：　メンテナンスが容易な製造装置を用いることが可能であると共に、電気的なリークが生じ難い太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。　この発明の太陽電池の製造方法では、パルス幅が１００ｎｓｅｃ以下のパルスレーザビームを用いて、結晶シリコン系太陽電池のＰ型電極形成領域とＮ型電極形成領域とを電気的に絶縁加工し、ＰＮ分離を実現する。また、ＹＡＧレーザまたはＹＶＯ 4 レーザ装置を用いて上記パルスレーザビームを得ることにより、廉価で、メンテナンスが容易であると共に、設置スペースをとらないレーザ装置を用いて太陽電池を製造することができる。
摘要翻译：可以使用容易维护的制造设备的太阳能电池制造方法，并且产生不容易产生漏电的太阳能电池。在太阳能电池制造方法中，使用脉冲宽度为100nsec以下的脉冲激光束将P型电极形成区域与晶体硅系太阳能电池中的N型电极形成区域电绝缘，并且使用PN隔离实现了。太阳能电池可以通过使用低价格的激光设备，通过使用YAG激光器或YVO 4激光器获得脉冲激光束，可以容易地维护并且不需要太多的安装空间来制造设备。

2. 发明申请

WO2009133607A1 光起電力装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：光伏器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009133607A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/JP2008/058277
申请日：2008-04-30
申请人：三菱電機株式会社 , 米澤雅人 , 筈見公一 , 高見明宏 , 森川浩昭 , 西村邦彦
发明人：米澤雅人 , 筈見公一 , 高見明宏 , 森川浩昭 , 西村邦彦
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要：　光起電力装置の光入射側電極と接合する部分に形成する高濃度拡散層の形成を、製造工程を大量に追加せず、簡素な工程で行うことができる光起電力装置の製造方法を得ること。Ｐ型シリコン基板１０１と、光の入射面側の全面にＮ型の不純物が第１の濃度で拡散された高濃度Ｎ型拡散層１０２Ｈを形成する工程と、高濃度Ｎ型拡散層１０２Ｈ上に耐エッチング膜１０３を形成し、耐エッチング膜１０３上の凹部形成領域１０５ａ内の所定の位置に微細孔１０４を形成する工程と、微細孔１０４の形成位置を中心に、凹部形成領域１０５ａ内で高濃度Ｎ型拡散層が残存しないようにシリコン基板１０１をエッチングして凹部を形成する工程と、凹部を形成する面に、第１の濃度よりも低い第２の濃度でＮ型の不純物が拡散された低濃度Ｎ型拡散層１０２Ｌを形成する工程と、シリコン基板１０１の光の入射面側の電極形成領域１０５ｂにグリッド電極１１１を形成する工程と、を含む。
摘要翻译：可以通过简单的工艺形成在与光电器件的光入射侧电极接合的部分中形成的高浓度扩散层的光电器件制造方法，而不增加许多制造步骤。该方法包括在光入射的整个表面上形成p型硅衬底（101）和高浓度n型扩散层（102H）的步骤，其中n型杂质以第一浓度扩散到整个表面上表面侧，在高浓度n型扩散层（102H）上形成耐蚀刻膜（103）并在耐蚀刻膜的凹部形成区域（105a）中的预定位置处形成孔（104）的步骤（103），在所述凹部形成区域（105a）中没有留下所述高浓度n型扩散层的情况下，蚀刻所述硅基板（101）以形成凹部的步骤，形成低浓度在形成凹部的表面上以比第一浓度低的第二浓度扩散n型杂质的n型扩散层（102L），以及在形成电极的电极中形成栅极（111）的步骤区域（105b）硅基板（101）的表面侧。

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