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1. 发明申请

WO2008153065A1 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008153065A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060693
申请日：2008-06-11
申请人：ローム株式会社 , 千田和彦 , 藤原徹也 , 園部雅之 , 中田俊次
发明人：千田和彦 , 藤原徹也 , 園部雅之 , 中田俊次
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06 , H01S5/309
摘要：　電子と、ホールが活性層において効率よく再結合するための活性層の多重量子井戸（ＭＱＷ）層のペア数を最適化し、発光効率を向上できる。　ｎ型半導体層２と、ｐ型半導体層４と、ｎ型半導体層２とｐ型半導体層４との間に配置され、ＧａＮよりなるバリア層３１１～３１ｎ、３１０とＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層３２１～３２ｎとの多重量子井戸構造のＩｎを含む活性層３とを備え、ＭＱＷ層のペア数は、６～１１であり、ｎ型半導体層２からｐ型半導体層４への電子のオーバーフロー、及びｐ型半導体層４から井戸層３２１～３２ｎへのｐ型ドーパントの拡散、ｎ型半導体層２から活性層３へのｎ型ドーパントの拡散を抑制できる半導体発光素子およびその製造方法。
摘要翻译：优化了有源层的多量子阱（MQW）层的数量，以允许电子有效地用活性层中的孔重新键合，并且提高发光效率。半导体发光元件设置有n型半导体层（2）; p型半导体层（4）; 以及配置在n型半导体层（2）与p型半导体层（4）之间并含有具有阻挡层（311-31n，310）的多量子阱结构的In的有源层（3）由由In x Ga 1-x N（0

2. 发明申请

WO2008153130A1 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件和制造氮化物半导体的方法
公开(公告)号：WO2008153130A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060855
申请日：2008-06-13
申请人：ローム株式会社 , 中西康夫 , 中田俊次 , 藤原徹也 , 千田和彦 , 園部雅之
发明人：中西康夫 , 中田俊次 , 藤原徹也 , 千田和彦 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/325
摘要：　ＡｌＮバッファ層上に積層される窒化物半導体の結晶品質等の品質を良くし、光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法を提供する。　サファイア基板１上にＡｌＮバッファ層２が形成され、その上に、順に、ｎ型ＡｌＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層４、ｐ型ＧａＮ層５の窒化物半導体が積層されている。また、ｎ型ＡｌＧａＮ層３表面にｎ電極７が、ｐ型ＧａＮ層５の上にｐ電極６が形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮ層３は、光やキャリアを閉じ込めるためのクラッド層としての役割を有する。また、ＡｌＮバッファ層２は、成長温度９００°C以上において、Ａｌ原料の供給とＮ原料の供給とを交互に行って作製される。　
摘要翻译：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有改善的光输出，其具有改善层压在AlN缓冲层上的氮化物半导体的质量，例如晶体质量。在蓝宝石衬底（1）上形成AlN缓冲层（2），在缓冲层上形成n型AlGaN层（3），InGaN / GaN活性层（4）和p型 GaN层（5）依次层叠。在n型AlGaN层（3）的表面上形成n电极（7），在p型GaN层（5）上形成p电极（6）。 n型AlGaN层（3）用作限制光和载流子的覆层。通过在900℃以上的生长温度下交替地供给Al材料和N材料来制造AlN缓冲层（2）。

3. 发明申请

WO2007091653A1 窒化物系半導体素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：WO2007091653A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052266
申请日：2007-02-08
申请人：ローム株式会社 , 園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也
发明人：園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/305 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01S5/3063 , H01S5/32341
摘要：　窒化物系半導体素子は、ｎ－ＧａＮ層１０３と、ｎ－ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０ 19 ～２×１０ 20 個／cm 3 でＭｇをドーピングし、９００～１２００°Cの範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００～１２００°Cの範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ－ＧａＮ層１０７とを備える。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体器件，其包括n-GaN层（103），形成在n-GaN层（103）上的有源层（104），掺杂有Mg的第一AlGaN层（105）从5×10 19至2×10 20个/ cm 3，并在生长温度为900℃的有源层（104）上形成 -1200℃，在第一AlGaN层（105）上以900-1200°的生长温度形成的第二AlGaN层（106）和形成在第二AlGaN层（106）上的p-GaN层（107））。

4. 发明申请

WO2007069523A1 ＩｎＧａＮの製造方法审中-公开
标题翻译：生产InGaN的工艺
公开(公告)号：WO2007069523A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2006/324438
申请日：2006-12-07
申请人：ローム株式会社 , 園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也 , 玉井慎一
发明人：園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也 , 玉井慎一
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：　Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。　本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００°C～７９０°Cの成長温度、３０Å／分～９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０－５モル／分～３．５３×１０－５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。
摘要翻译：本发明提供了一种InGaN的制造方法，其不会发生显着的In偏析，并且可以在提高In的组成比的同时实现InGaN层的高结晶度。生产InGaN层的方法包括在700℃至790℃的生长温度和30埃/分钟的生长速率至93埃/分钟的条件下生长InGaN层，并且三甲基铟流速为1.76×10 -6 5mol / min至3.53×10 -5 mol / min。

5. 发明申请

WO2008153068A1 窒化物系半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008153068A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060696
申请日：2008-06-11
申请人：ローム株式会社 , 藤原徹也 , 千田和彦
发明人：藤原徹也 , 千田和彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01S5/309
摘要：　低温でｐ型半導体層（４）を形成して活性層（３）への熱ダメージを低減させ、かつ順方向電圧（Ｖf）を低下させ、発光効率を向上させる。　インジウムを含む多重量子井戸からなる活性層（３）と、ｐ型不純物を含む第１窒化物系半導体層（４１）と、第１窒化物系半導体層（４１）のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第２窒化物系半導体層（４２）と、第２窒化物系半導体層（４２）のｐ型不純物よりも高濃度のｐ型不純物を含む第３窒化物系半導体層（４３）と、第３窒化物系半導体層（４３）のｐ型不純物よりも低濃度のｐ型不純物を含む第４窒化物系半導体層（４４）とを備え、その製造方法において、水素を含まないキャリアガスによって原料ガスを供給して、第１窒化物系半導体層（４１）～第４窒化物系半導体層（４４）の少なくとも一部を形成する窒化物系半導体装置およびその製造方法。
摘要翻译：通过在低温下形成p型半导体层（4）并降低正向电压（Vf）来降低有源层（3）的热损伤，从而提高发光效率。氮化物半导体器件设置有由含铟的多量子阱构成的有源层（3）含有p型杂质的第一氮化物半导体层（41）包含浓度低于第一氮化物半导体层（41）中的p型杂质的p型杂质的第二氮化物半导体层（42）; 含有比第二氮化物半导体层（42）中的p型杂质浓度高的p型杂质的第三氮化物半导体层（43）。以及含有比第三氮化物半导体层（43）中的p型杂质浓度低的p型杂质的第四氮化物半导体层（44）。在这种氮化物半导体器件的制造方法中，由不含氢的载气供给材料气体，最后形成第一氮化物半导体层（41）的一部分到第四氮化物半导体层（44）。

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