专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2006027935A1 側鎖含有型有機シラン化合物、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：含链有机硅化合物，有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2006027935A1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：PCT/JP2005/014847
申请日：2005-08-12
申请人：シャープ株式会社 , 中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： C07F7/12 , C07F7/18 , H01B1/12
CPC分类号： C07F7/1836 , C07F7/12 , H01B1/12 , H01L51/0054 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/0508
摘要：　式　Ｒ－ＳｉＸ 1 Ｘ 2 Ｘ 3 　　　（Ｉ）（式中、Ｒは、単環の芳香族炭化水素に由来する基であるユニット、単環の複素環化合物に由来する基であるユニット、及びこれら両ユニットが３～１０個結合したπ電子共役系の有機残基又は５員環あるいは６員環が２～１０縮合した縮合多環化合物の有機残基であり、少なくとも1つ以上の側鎖を有しており、Ｘ 1 、Ｘ 2 及びＸ 3 は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である）で表される側鎖含有型有機シラン化合物。
摘要翻译：由式（I）表示的含侧链的有机硅烷化合物：R-SiX 1 X 2 X 3（其中R为含有单环芳烃的单元，作为来源于单环式杂环化合物的基团的单元和这些键合的3〜10个单元的p电子共轭有机残基，或者是由2至10个五元或六元环组成的稠合多环化合物的有机残基，每个有至少一个侧链的有机残基; X 1，X 2， SUP＆gt;和X 3 3相同或不同，并且各自为在水解时得到羟基的基团）。

2. 发明申请

WO2004085515A1 機能性有機薄膜、有機薄膜トランジスタ、π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：功能有机薄膜，有机薄膜晶体管，PI-电子共轭分子硅化合物及其形成方法
公开(公告)号：WO2004085515A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/IB2004/000475
申请日：2004-02-25
申请人：シャープ株式会社 , 花戸宏之 , 中川政俊 , 田村壽宏
发明人：花戸宏之 , 中川政俊 , 田村壽宏
IPC分类号： C08G77/04
CPC分类号： H01L51/0036 , C07B2200/11 , C07F7/1836 , C08G77/04 , C08G77/06 , C09D183/04 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/0545
摘要： An organic thin film having both a chemical structure of an organic material that is a factor determining a characteristic of the thin film and a high-order structure of the thin film, for example, the crystallinity of molecules, namely, the orientation. A functional organic thin film composed of molecules the main skeleton structure portion of which is arbitrarily given electrical, optical, electrochemical functions and a method for simply forming such a functional organic thin film are also disclosed. The functional organic film is formed of a silicon compound expressed by formula R-SiX X X (I) (where R is an organic residue which may have a terminal replaced by a functional group and to which pi-electron conjugate units are bonded, and X , X , and X are the same group or different groups and give a hydroxyl group by hydrolysis).
摘要翻译：具有作为决定薄膜的特性的因素的有机材料的化学结构和薄膜的高阶结构，例如分子的结晶度即取向的有机薄膜。还公开了由主骨架结构部分任意给予电，光学，电化学功能的分子构成的功能性有机薄膜和简单形成这种功能性有机薄膜的方法。功能性有机膜由式R-SiX 1 X 2（3）表示的硅化合物形成（其中R是可以被官能团取代的有机残基，并且其中 π-电子共轭单元键合，X 1，X 2和X 3相同或不同，通过水解得到羟基）。

3. 发明申请

WO2006068189A1 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2006068189A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/023514
申请日：2005-12-21
申请人：シャープ株式会社 , 中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0533 , H01L51/0038 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/0545 , H01L51/0562
摘要：　有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース／ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間及び／又は前記有機薄膜とソース／ドレイン電極との間に位置する有機シラン化合物の膜とを備えた有機薄膜トランジスタ。
摘要翻译：公开了一种有机薄膜晶体管，其包括有机薄膜，通过栅极绝缘膜形成在有机薄膜的一个表面上的栅极电极，形成在与该一个表面接触的栅电极两侧的源/漏电极或有机薄膜的另一个表面，以及布置在有机薄膜和栅极绝缘膜之间和/或有机薄膜和源极/漏极之间的有机硅烷化合物膜。

4. 发明申请

WO2006022176A1 有機シラン化合物、該化合物の製造方法および該化合物を用いた有機薄膜审中-公开
标题翻译：有机硅烷化合物，生产该化合物的方法和包含化合物的有机薄膜
公开(公告)号：WO2006022176A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/014996
申请日：2005-08-17
申请人：シャープ株式会社 , 今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： C07F7/12 , C07F7/18 , H01L51/05 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01B1/12
CPC分类号： H01L51/0056 , C07F7/12 , C07F7/1836 , H01B1/12 , H01L51/0012 , H01L51/0094
摘要： An organic thin film which has excellent unsusceptibility to stripping and has a high degree of order, crystallinity, and electrical conductivity; a compound which is used for forming the thin film; and a process for producing the compound. The compound is an organic silane compound having a structure formed by substituting a molecule represented by the formula (I) with a silyl group. The process for producing the organic silane compound comprises halogenating the molecule (I) and reacting the halogenated molecule with a silane derivative. The organic thin film comprises molecules of the organic silane compound which have been arranged on a substrate so that the silyl groups are located on the substrate side and the molecule (I) moieties are located on the film surface side. (I) (x1 and x2 satisfy the relationships 1=x1, 1=x2, and 2= x1+ x2=8; y1 and z1 each is 2-8; y2 and z2 each is 0-8; and the skeleton may be substituted by a hydrophobic group.)
摘要翻译：一种有机薄膜，具有优异的剥离性，具有高度的顺序，结晶度和导电性; 用于形成薄膜的化合物; 和该化合物的制造方法。该化合物是具有通过用甲硅烷基取代由式（I）表示的分子而形成的结构的有机硅烷化合物。制备有机硅烷化合物的方法包括使分子（I）卤化并使卤化分子与硅烷衍生物反应。有机薄膜包含有机硅烷化合物的分子，该分子已经排列在基片上，使得甲硅烷基位于基底侧，分子（I）部分位于薄膜表面侧。（I）（x1和x2满足关系1 = x1，1 = x2，2 = x1 + x2 = 8; y1和z1各自为2-8; y2和z2各自为0-8;骨架可以被取代通过疏水基团。）

5. 发明申请

WO2006008951A1 π電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法审中-公开
标题翻译： p-电子偶联有机硅化合物及其合成方法
公开(公告)号：WO2006008951A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012344
申请日：2005-07-04
申请人：シャープ株式会社 , 中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： C07F7/12
CPC分类号： H01B1/124 , C07F7/12 , C07F7/1836
摘要：　耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を作製できるπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法を提供すること。　Ｒ１－ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ｒ１は特定の単環式複素環ユニットを含む有機基；Ｘ１～Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基）のπ電子共役系有機シラン化合物。Ｒ１－Ｌｉ（Ｒ１は上記と同義）の化合物、またはＲ１－ＭｇＸ５（Ｒ１は上記と同義；Ｘ５はハロゲン原子）の化合物と、Ｘ４－ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ｘ１～Ｘ３は上記と同義；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基）の化合物とを反応させる上記有機シラン化合物の合成方法。　Ｚ－（Ｒ１１）ｍ－ＳｉＲ１２Ｒ１３Ｒ１４（Ｚは特定の縮合多環式複素環化合物に由来する有機基；Ｒ１１は２価の有機基；ｍは０～１０；Ｒ１２～Ｒ１４はハロゲン原子またはアルコキシ基）のπ電子共役系有機シラン化合物。Ｚ－（Ｒ１１）ｍ－ＭｇＸ３０（Ｚ、Ｒ１１およびｍは上記と同様；Ｘ３０はハロゲン原子）の化合物と、式；Ｘ３１－ＳｉＲ１２Ｒ１３Ｒ１４（Ｘ３１は水素原子、ハロゲン原子またはアルコキシ基；Ｒ１２～Ｒ１４は上記と同様）の化合物とを反応させる上記有機シラン化合物の製造方法。
摘要翻译：公开了一种能够形成具有优异的耐分离性和高有序性，结晶性和导电性的有机薄膜的p-电子共轭有机硅烷化合物。还公开了合成这种p电子共轭有机硅烷化合物的方法。具体公开的是表示为R 1 -SiX 1，X 2，X 3，...，3的对电子共轭有机硅烷化合物（其中R 1表示含有某一单环杂环单元的有机基团，X 1〜N 3+分别表示通过水解提供羟基的基团）。还公开了合成这样的有机硅烷化合物的方法，其中表示为R 1 -Li（其中R 1如上定义）的化合物或表示为R 1的化合物，（其中R 1如上定义，X 5代表卤素原子）与表示为X 4 -SiX 1，X 2，X 3，X 3的化合物（其中X 1，X 2， SUP> -X 3如上所定义，X 4表示氢原子，卤素原子或低级烷氧基）。还具体公开了表示为Z-（R 11）m -Si R 12 R 13的p电子共轭有机硅烷化合物，（其中Z表示衍生自某些缩合多环杂环化合物的有机基团，R 11表示二价有机基团，m表示0-10，和 R 12 -R 14分别表示卤素原子或烷氧基）。还公开了一种制备这种有机硅烷化合物的方法，其中表示为Z-（R 11）m -MgX 30的化合物（其中Z ，R 11和m如上定义，X 30表示卤素原子）与表示为X 31 -SiR的化合物反应（其中X 31表示氢原子，卤素原子或烷氧基），其中R 1，R 2，R 3，和R 12 -R 14如上定义）。

6. 发明申请

WO2007132845A1 有機半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：有机半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007132845A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/JP2007/059959
申请日：2007-05-15
申请人：シャープ株式会社 , 今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0096 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：　本発明によれば基板と、該基板上の所定領域に形成された有機半導体膜とを含む有機半導体デバイスであって、前記有機半導体膜が形成された前記基板の表面が、前記有機半導体膜が形成されていない前記基板の表面より５ｍＪ／ｍ 2 以上大きい表面自由エネルギーの差を有し、前記表面自由エネルギーによる疎撥液性を有することを特徴とする有機半導体デバイスが提供される。
摘要翻译：有机半导体器件包括衬底和形成在衬底上的规定区域中的有机半导体膜。有机半导体器件的特征在于，形成有机半导体膜的基板的表面的表面自由能差为5mJ / m 2以上，或者比基板表面的表面自由能差大形成有机半导体膜。有机半导体器件的特征还在于具有由表面自由能带来的疏液性和疏液性。

7. 发明申请

WO2006016483A1 π電子共役系有機シラン化合物、機能性有機薄膜及びそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：对电子共轭体系，功能有机薄膜的有机化合物及其生产方法
公开(公告)号：WO2006016483A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/013817
申请日：2005-07-28
申请人：シャープ株式会社 , 今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： C07F7/18 , H01B1/12
CPC分类号： H01B1/127 , B82Y10/00 , C07F7/1836 , H01B1/128 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/0595 , Y10T428/261
摘要：　溶液プロセスを用いた簡便な方法により形成できるとともに、基板表面に強固に吸着でき、かつ、高い秩序性（結晶性）および高密パッキング特性を有する機能性有機薄膜、該薄膜を形成可能な有機シラン化合物およびそれらの製造方法を提供すること。　式；Ａ－Ｂ－Ｃ－ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ａは炭素数１～３０の１価脂肪族炭化水素基；Ｂは酸素原子または硫黄原子；Ｃはπ電子共役を示す２価の有機基；Ｘ１～Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基）の有機シラン化合物。該有機シラン化合物を用いた機能性有機薄膜。式；Ｈ－Ｃ－Ｈ（Ｃは上記と同義）の化合物に対してウィリアムソン反応により酸素原子または硫黄原子を介して炭化水素基Ａを導入した後、式；Ｘ４－ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ｘ１～Ｘ３は上記と同義）の化合物との反応によりシリル基を導入する上記有機シラン化合物の製造方法。上記有機シラン化合物のシリル基を加水分解して基板表面と反応させ、該基板に直接吸着した単分子膜を形成した後、該単分子膜上の未反応の有機シラン化合物を非水系有機溶剤を用いて洗浄除去する機能性有機薄膜の製造方法。
摘要翻译：功能性有机薄膜，其可以通过简单且易于溶解的方法形成，并能够强烈地吸附于基材表面，并具有高度的顺序（结晶度）和高密度的包装特性; 能够形成薄膜的有机硅烷化合物; 以及薄膜和化合物的制造方法。由以下通式表示的有机硅烷化合物：其中A是1至30的一价脂族烃基碳原子; B是氧或硫; C是表示p-电子共轭的二价有机基团; X 1至X 3各自为能够产生羟基的基团水解）; 通过使用有机硅烷化合物制成的功能性有机薄膜; 一种制备有机硅烷化合物的方法，其包括通过Williamson反应将由一价脂族烃基（A）的氧或硫原子引入到由通式：HCH（其中C如上所定义）的化合物然后用由以下通式表示的化合物使得到的产物甲硅烷基化：X 4 -S 1 X 1 2 O 2 X 3 3 / SUP>（其中X 1至X 3各自如上所定义）; 以及制造功能性有机薄膜的方法，其包括使上述有机硅烷化合物通过甲硅烷基的水解与基材的表面反应形成直接吸附在基材上的单分子膜，然后除去未反应的有机硅烷化合物该单分子膜通过用非水有机溶剂清洗。

8. 发明申请

WO2005117157A1 両末端に脱離反応性の異なる異種官能基を有する有機化合物、有機薄膜、有機デバイスおよびそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：有机化合物在两端具有不同功能组合，在消除反应中有反应活性，有机薄膜，有机装置和生产这些功能的方法
公开(公告)号：WO2005117157A1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/JP2005/009772
申请日：2005-05-27
申请人：シャープ株式会社 , 今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：今田裕士 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0512 , H01L51/0012 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0068 , H01L51/0075 , H01L51/0094 , H01L51/0545 , H01L51/424 , H01L51/5012 , H01L2251/308
摘要：　膜厚が均一で、かつ分子配列の秩序性が高い単一単分子膜およびその累積膜、それらの膜を再現性良く製造可能な有機化合物、電気伝導特性に優れた有機デバイスおよびそれらの製造方法を提供すること。　一般式；Ｓｉ(Ａ１ )(Ａ２ )(Ａ３ )－Ｂ－Ｓｉ(Ａ４ )(Ａ５ )(Ａ６ )（Ａ１～Ａ６は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてＡ１～Ａ３＞Ａ４～Ａ６の関係を満たす；Ｂは２価の有機基である）の有機化合物、該化合物を用いた有機薄膜、該薄膜を有した有機デバイス。上記有機化合物におけるＡ１～Ａ３を有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基を吸着反応のサイトとして、上記の有機化合物からなる単分子膜を累積させる工程を含む有機薄膜および有機デバイスの製造方法。
摘要翻译：具有膜厚均匀性和分子排列规则性高的单分子膜和由这种单分子膜构成的积层膜; 能够以良好的再现性形成这些膜的有机化合物; 具有优异导电性的有机器件; 以及制造这些的方法。有机化合物由通式Si（A 1）（A 2）（A 3））-B-Si（A 4）（A 5）（A 6）（其中A 1至A 6各自为氢，卤代，烷氧基或烷基，并且在消除反应中A 1与A 6的反应性满足关系式（A 1至A 3））>（A 4〜A 6）; B为二价有机基团）。有机薄膜由化合物形成。有机器件具有任一薄膜。制造有机薄膜和有机装置的方法包括：使具有有机化合物的A 1至A 3的甲硅烷基与基材表面反应以形成单分子膜的步骤; 通过用非水溶剂清洗去除残留未反应的有机化合物的步骤; 使用存在于单分子膜的外侧的未反应的甲硅烷基作为吸附反应部位的步骤，在其上积聚由有机化合物形成的单分子膜。

9. 发明申请

WO2005090365A1 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途审中-公开
标题翻译：有机物，其生产方法及其用途
公开(公告)号：WO2005090365A1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：PCT/JP2005/004658
申请日：2005-03-16
申请人：シャープ株式会社 , 中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏 , 今田裕士
发明人：中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏 , 今田裕士
IPC分类号： C07F7/08
CPC分类号： C07F7/1836 , C09B3/02 , C09B3/14 , C09B3/78 , C09B57/001 , C09B57/007 , C09B57/008
摘要：　一般式（ａ）；　　（Ｔ） k −ＳｉＸ 1 Ｘ 2 Ｘ 3 　　　　　（ａ）（式中、Ｔは５員環及び／又は６員環の単環式炭化水素で構成される縮合数２～１０の縮合多環式炭化水素化合物に由来する有機基である；ｋは１～１０の整数である；Ｘ 1 ～Ｘ 3 は、そのうち少なくとも１つの基は加水分解により水酸基を与える基もしくはハロゲン原子であり、他の基は隣接分子と反応することのない基である）で表される有機シラン化合物。
摘要翻译：由通式（a）表示的有机硅烷：（T）k-SiX 1 X 2 X 3（a）其中T是衍生自2至10个的稠合多环烃的有机基团， /或6-元单环烃; k为1〜10的整数， X 1〜X 3中的至少1个是能够通过水解或卤代得到羟基的基团，其余各自为相邻分子的惰性基团。

10. 发明申请

WO2005087782A1 π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法审中-公开
标题翻译：含有π电子共轭体系分子的硅化合物及其制造方法
公开(公告)号：WO2005087782A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：PCT/JP2005/003648
申请日：2005-03-03
申请人：シャープ株式会社 , 中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
发明人：中川政俊 , 花戸宏之 , 田村壽宏
IPC分类号： C07F7/12
CPC分类号： C07F7/1836 , C07F7/12 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038
摘要：　式（Ｉ）：【化１】（式中、Ｒ１は複数のπ電子共役系を構成するユニットが２個以上結合してなる有機基であり、Ｒ２は疎水基であり、Ｘ１～Ｘ３は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基もしくは、水素原子である。）で表されるπ電子共役系分子含有ケイ素化合物。
摘要翻译：含有π-电子共轭体系分子并由式（I）表示的硅化合物：（其中R1是包含两个或多个具有π-电子共轭体系的单元的有机基团; R2是疏水基团; X1 至X3相同或不同，并且各自为在水解或氢时产生羟基的基团。）

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式