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    • 3. 发明申请
    • π電子共役系有機シラン化合物、機能性有機薄膜及びそれらの製造方法
    • 对电子共轭体系,功能有机薄膜的有机化合物及其生产方法
    • WO2006016483A1
    • 2006-02-16
    • PCT/JP2005/013817
    • 2005-07-28
    • シャープ株式会社今田 裕士花戸 宏之田村 壽宏
    • 今田 裕士花戸 宏之田村 壽宏
    • C07F7/18H01B1/12
    • H01B1/127B82Y10/00C07F7/1836H01B1/128H01L51/0068H01L51/0094H01L51/0595Y10T428/261
    •  溶液プロセスを用いた簡便な方法により形成できるとともに、基板表面に強固に吸着でき、かつ、高い秩序性(結晶性)および高密パッキング特性を有する機能性有機薄膜、該薄膜を形成可能な有機シラン化合物およびそれらの製造方法を提供すること。  式;A-B-C-SiX 1 X 2 X 3 (Aは炭素数1~30の1価脂肪族炭化水素基;Bは酸素原子または硫黄原子;Cはπ電子共役を示す2価の有機基;X 1 ~X 3 は加水分解により水酸基を与える基)の有機シラン化合物。該有機シラン化合物を用いた機能性有機薄膜。式;H-C-H(Cは上記と同義)の化合物に対してウィリアムソン反応により酸素原子または硫黄原子を介して炭化水素基Aを導入した後、式;X 4 -SiX 1 X 2 X 3 (X 1 ~X 3 は上記と同義)の化合物との反応によりシリル基を導入する上記有機シラン化合物の製造方法。上記有機シラン化合物のシリル基を加水分解して基板表面と反応させ、該基板に直接吸着した単分子膜を形成した後、該単分子膜上の未反応の有機シラン化合物を非水系有機溶剤を用いて洗浄除去する機能性有機薄膜の製造方法。
    • 功能性有机薄膜,其可以通过简单且易于溶解的方法形成,并能够强烈地吸附于基材表面,并具有高度的顺序(结晶度)和高密度的包装特性; 能够形成薄膜的有机硅烷化合物; 以及薄膜和化合物的制造方法。 由以下通式表示的有机硅烷化合物:其中A是1至30的一价脂族烃基 碳原子; B是氧或硫; C是表示p-电子共轭的二价有机基团; X 1至X 3各自为能够产生羟基的基团 水解); 通过使用有机硅烷化合物制成的功能性有机薄膜; 一种制备有机硅烷化合物的方法,其包括通过Williamson反应将由一价脂族烃基(A)的氧或硫原子引入到由通式:HCH(其中C如上所定义)的化合物 然后用由以下通式表示的化合物使得到的产物甲硅烷基化:X 4 -S 1 X 1 2 O 2 X 3 3 / SUP>(其中X 1至X 3各自如上所定义); 以及制造功能性有机薄膜的方法,其包括使上述有机硅烷化合物通过甲硅烷基的水解与基材的表面反应形成直接吸附在基材上的单分子膜,然后除去未反应的有机硅烷化合物 该单分子膜通过用非水有机溶剂清洗。
    • 4. 发明申请
    • 両末端に脱離反応性の異なる異種官能基を有する有機化合物、有機薄膜、有機デバイスおよびそれらの製造方法
    • 有机化合物在两端具有不同功能组合,在消除反应中有反应活性,有机薄膜,有机装置和生产这些功能的方法
    • WO2005117157A1
    • 2005-12-08
    • PCT/JP2005/009772
    • 2005-05-27
    • シャープ株式会社今田 裕士花戸 宏之田村 壽宏
    • 今田 裕士花戸 宏之田村 壽宏
    • H01L51/00
    • H01L51/0512H01L51/0012H01L51/005H01L51/0052H01L51/0056H01L51/0068H01L51/0075H01L51/0094H01L51/0545H01L51/424H01L51/5012H01L2251/308
    •  膜厚が均一で、かつ分子配列の秩序性が高い単一単分子膜およびその累積膜、それらの膜を再現性良く製造可能な有機化合物、電気伝導特性に優れた有機デバイスおよびそれらの製造方法を提供すること。  一般式;Si(A 1 )(A 2 )(A 3 )-B-Si(A 4 )(A 5 )(A 6 )(A 1 ~A 6 は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてA 1 ~A 3 >A 4 ~A 6 の関係を満たす;Bは2価の有機基である)の有機化合物、該化合物を用いた有機薄膜、該薄膜を有した有機デバイス。上記有機化合物におけるA 1 ~A 3 を有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基を吸着反応のサイトとして、上記の有機化合物からなる単分子膜を累積させる工程を含む有機薄膜および有機デバイスの製造方法。
    • 具有膜厚均匀性和分子排列规则性高的单分子膜和由这种单分子膜构成的积层膜; 能够以良好的再现性形成这些膜的有机化合物; 具有优异导电性的有机器件; 以及制造这些的方法。 有机化合物由通式Si(A 1)(A 2)(A 3))-B-Si(A 4)(A 5)(A 6) (其中A 1至A 6各自为氢,卤代,烷氧基或烷基,并且在消除反应中A 1与A 6的反应性满足关系式(A 1至A 3) )>(A 4〜A 6); B为二价有机基团)。 有机薄膜由化合物形成。 有机器件具有任一薄膜。 制造有机薄膜和有机装置的方法包括:使具有有机化合物的A 1至A 3的甲硅烷基与基材表面反应以形成单分子膜的步骤; 通过用非水溶剂清洗去除残留未反应的有机化合物的步骤; 使用存在于单分子膜的外侧的未反应的甲硅烷基作为吸附反应部位的步骤,在其上积聚由有机化合物形成的单分子膜。
    • 9. 发明申请
    • π電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法
    • p-电子偶联有机硅化合物及其合成方法
    • WO2006008951A1
    • 2006-01-26
    • PCT/JP2005/012344
    • 2005-07-04
    • シャープ株式会社中川 政俊花戸 宏之田村 壽宏
    • 中川 政俊花戸 宏之田村 壽宏
    • C07F7/12
    • H01B1/124C07F7/12C07F7/1836
    •  耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を作製できるπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法を提供すること。  R 1 -SiX 1 X 2 X 3 (R 1 は特定の単環式複素環ユニットを含む有機基;X 1 ~X 3 は加水分解により水酸基を与える基)のπ電子共役系有機シラン化合物。R 1 -Li(R 1 は上記と同義)の化合物、またはR 1 -MgX 5 (R 1 は上記と同義;X 5 はハロゲン原子)の化合物と、X 4 -SiX 1 X 2 X 3 (X 1 ~X 3 は上記と同義;X 4 は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基)の化合物とを反応させる上記有機シラン化合物の合成方法。  Z-(R 11 ) m -SiR 12 R 13 R 14 (Zは特定の縮合多環式複素環化合物に由来する有機基;R 11 は2価の有機基;mは0~10;R 12 ~R 14 はハロゲン原子またはアルコキシ基)のπ電子共役系有機シラン化合物。Z-(R 11 ) m -MgX 30 (Z、R 11 およびmは上記と同様;X 30 はハロゲン原子)の化合物と、式;X 31 -SiR 12 R 13 R 14 (X 31 は水素原子、ハロゲン原子またはアルコキシ基;R 12 ~R 14 は上記と同様)の化合物とを反応させる上記有機シラン化合物の製造方法。
    • 公开了一种能够形成具有优异的耐分离性和高有序性,结晶性和导电性的有机薄膜的p-电子共轭有机硅烷化合物。 还公开了合成这种p电子共轭有机硅烷化合物的方法。 具体公开的是表示为R 1 -SiX 1,X 2,X 3,...,3的对电子共轭有机硅烷化合物( 其中R 1表示含有某一单环杂环单元的有机基团,X 1〜N 3+分别表示通过水解提供羟基的基团 )。 还公开了合成这样的有机硅烷化合物的方法,其中表示为R 1 -Li(其中R 1如上定义)的化合物或表示为R 1的化合物, (其中R 1如上定义,X​​ 5代表卤素原子)与 表示为X 4 -SiX 1,X 2,X 3,X 3的化合物(其中X 1,X 2, SUP> -X 3如上所定义,X 4表示氢原子,卤素原子或低级烷氧基)。 还具体公开了表示为Z-(R 11)m -Si R 12 R 13的p电子共轭有机硅烷化合物, (其中Z表示衍生自某些缩合多环杂环化合物的有机基团,R 11表示二价有机基团,m表示0-10,和 R 12 -R 14分别表示卤素原子或烷氧基)。 还公开了一种制备这种有机硅烷化合物的方法,其中表示为Z-(R 11)m -MgX 30的化合物(其中Z ,R 11和m如上定义,X​​ 30表示卤素原子)与表示为X 31 -SiR的化合物反应 (其中X 31表示氢原子,卤素原子或烷氧基),其中R 1,R 2,R 3, 和R 12 -R 14如上定义)。