基本信息:
- 专利标题： 側鎖含有型有機シラン化合物、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
- 专利标题（英）：Side-chain-containing organosilane compound, organic thin-film transistor, and process for producing the same
- 专利标题（中）：含链有机硅化合物，有机薄膜晶体管及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2005/014847 申请日：2005-08-12
- 公开(公告)号：WO2006027935A1 公开(公告)日：2006-03-16
- 发明人： 中川 政俊 , 花戸 宏之 , 田村 壽宏
- 申请人： シャープ株式会社 , 中川 政俊 , 花戸 宏之 , 田村 壽宏
- 申请人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka JP
- 专利权人： シャープ株式会社,中川 政俊,花戸 宏之,田村 壽宏
- 当前专利权人： シャープ株式会社,中川 政俊,花戸 宏之,田村 壽宏
- 当前专利权人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 Osaka JP
- 代理机构： 野河 信太郎
- 优先权： JP2004-243974 20040824; JP2004-243965 20040824
- 主分类号： C07F7/12
- IPC分类号： C07F7/12 ; C07F7/18 ; H01B1/12
摘要：
式 Ｒ－ＳｉＸ 1 Ｘ 2 Ｘ 3 （Ｉ） （式中、Ｒは、単環の芳香族炭化水素に由来する基であるユニット、単環の複素環化合物に由来する基であるユニット、及びこれら両ユニットが３～１０個結合したπ電子共役系の有機残基又は５員環あるいは６員環が２～１０縮合した縮合多環化合物の有機残基であり、少なくとも1つ以上の側鎖を有しており、Ｘ 1 、Ｘ 2 及びＸ 3 は、同一又は異なって、加水分解により水酸基を与える基である）で表される側鎖含有型有機シラン化合物。
摘要（中）：
由式（I）表示的含侧链的有机硅烷化合物：R-SiX 1 X 2 X 3（其中R为 含有单环芳烃的单元，作为来源于单环式杂环化合物的基团的单元和这些键合的3〜10个单元的p电子共轭有机残基，或者是 由2至10个五元或六元环组成的稠合多环化合物的有机残基，每个有至少一个侧链的有机残基; X 1，X 2， SUP＆gt;和X 3 3相同或不同，并且各自为在水解时得到羟基的基团）。