基本信息:
- 专利标题： 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
- 专利标题（英）：Organic thin-film transistor and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：有机薄膜晶体管及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2005/023514 申请日：2005-12-21
- 公开(公告)号：WO2006068189A1 公开(公告)日：2006-06-29
- 发明人： 中川 政俊 , 花戸 宏之 , 田村 壽宏
- 申请人： シャープ株式会社 , 中川 政俊 , 花戸 宏之 , 田村 壽宏
- 申请人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka JP
- 专利权人： シャープ株式会社,中川 政俊,花戸 宏之,田村 壽宏
- 当前专利权人： シャープ株式会社,中川 政俊,花戸 宏之,田村 壽宏
- 当前专利权人地址： 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町２２番２２号 Osaka JP
- 代理机构： 野河 信太郎
- 优先权： JP2004-371789 20041222; JP2005-346654 20051130
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L51/05
摘要：
有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース／ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間及び／又は前記有機薄膜とソース／ドレイン電極との間に位置する有機シラン化合物の膜とを備えた有機薄膜トランジスタ。
摘要（中）：
公开了一种有机薄膜晶体管，其包括有机薄膜，通过栅极绝缘膜形成在有机薄膜的一个表面上的栅极电极，形成在与该一个表面接触的栅电极两侧的源/漏电极 或有机薄膜的另一个表面，以及布置在有机薄膜和栅极绝缘膜之间和/或有机薄膜和源极/漏极之间的有机硅烷化合物膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |