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1. 发明申请

WO2005078735A1 半導体メモリ审中-公开
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：WO2005078735A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/JP2005/001895
申请日：2005-02-09
申请人：シャープ株式会社 , 凸版印刷株式会社 , 前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
发明人：前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
IPC分类号： G11C16/32
CPC分类号： H03L7/0814 , G11C7/1072 , G11C7/222 , G11C16/32 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2207/2254 , H03K5/133 , H03K2005/00019 , H03L7/0818
摘要：　本発明の半導体メモリは、内部クロックと遅延クロックとの位相を比較する位相比較回路と、位相比較回路からの信号により遅延量を調節する可変遅延付加回路とを有するＤＬＬ回路を用いた半導体メモリであって、バースト開始時に、内部クロックの１クロック周期の開始により論理“１”にラッチされる第１の信号を、ダミー遅延を通して可変遅延付加回路に入力する手段と、可変遅延付加回路によりダミー遅延を通して入力された第１の信号の論理“１”の継続時間を内部クロックの１クロック周期の終了まで検出し、継続時間を基に可変遅延付加回路の遅延量の初期値を設定する手段と、を備えることを特徴とする。
摘要翻译：半导体存储器使用具有相位比较电路的DLL电路，其将间隔时钟的相位与延迟时钟的相位进行比较; 以及可变延迟加法电路，其基于来自相位比较电路的信号来调整延迟量。半导体存储器包括用于通过伪脉冲延迟将可变延迟加法电路输入第一信号，该第一信号在脉冲串开始时被内部时钟的周期的开始锁存到逻辑“1” 以及用于确定经由虚拟延迟从可变延迟加法电路接收到的第一信号的逻辑“1”的持续时间的装置，直到内部时钟的周期结束，基于持续时间来建立可变延迟加法电路的延迟量的初始值。

2. 发明申请

WO2005078734A1 ＤＬＬ回路审中-公开
标题翻译： DLL电路
公开(公告)号：WO2005078734A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/JP2005/001894
申请日：2005-02-09
申请人：シャープ株式会社 , 凸版印刷株式会社 , 前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
发明人：前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
IPC分类号： G11C16/32
CPC分类号： H03L7/0814 , G11C7/1072 , G11C7/222 , G11C16/32 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2207/2254 , H03K5/133 , H03K2005/00019 , H03L7/0818
摘要：　本発明のＤＬＬ回路は、基準クロックと遅延クロックとの位相を比較する位相比較回路と、位相比較回路からの信号により遅延量を調節する可変遅延付加回路とを有するＤＬＬ回路であって、バースト開始時に、内部クロックの１クロック周期の開始により論理“１”にラッチされる第１の信号を、ダミー遅延を通して可変遅延付加回路に入力する手段と、可変遅延付加回路によりダミー遅延を通して入力された第１の信号の論理“１”の継続時間を内部クロックの１クロック周期の終了まで検出し、継続時間を基に可変遅延付加回路の遅延量の初期値を設定する手段と、を備える。
摘要翻译： DLL电路具有比较参考时钟的相位和延迟时钟的相位的相位比较电路; 以及可变延迟加法电路，其基于来自相位比较电路的信号来调整延迟量。 DLL电路包括用于通过虚拟延迟输入在突发开始时通过内部时钟的周期的开始被锁存到逻辑“1”的第一信号的装置; 以及用于确定经由虚拟延迟从可变延迟加法电路接收到的第一信号的逻辑“1”的持续时间的装置，直到内部时钟的周期结束，基于持续时间来建立可变延迟加法电路的延迟量的初始值。

3. 发明申请

WO2005083716A1 ＤＬＬ回路审中-公开
标题翻译： DLL电路
公开(公告)号：WO2005083716A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/JP2005/001896
申请日：2005-02-09
申请人：シャープ株式会社 , 凸版印刷株式会社 , 前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
发明人：前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
IPC分类号： G11C16/32
CPC分类号： H03L7/0814 , H03K5/133 , H03K5/135 , H03K5/1534 , H03L7/0818
摘要：　　本発明のＤＬＬ回路は、外部クロックに対する内部クロック遅延に相当するダミー遅延（ダミー遅延回路２００）と、遅延量調整信号により遅延量を調整するコース遅延回路４００およびファイン遅延回路５００を持つ可変遅延付加回路と、内部クロックと可変遅延回路及びダミー遅延を介して入力される遅延クロックとの位相を比較し、可変遅延付加回路に遅延量調整信号を出力する位相比較回路３００とを有する。バースト開始時の初期化モードとして、内部クロックの１クロック周期の間、論理“１”にセットされる第１の信号を、ダミー遅延を通して可変遅延付加回路に入力し、可変遅延付加回路により第１の信号の論理“１”の継続時間を内部クロックの１クロック周期の終了まで検出し、継続時間を基にコース遅延回路の遅延量を設定することによって可変遅延付加回路の遅延量を初期設定する。
摘要翻译： DLL电路具有对应于相对于外部时钟的内部时钟延迟的虚拟延迟（虚拟延迟电路200）; 包括用于通过使用延迟量调节信号调整延迟量的粗略（400）和精细（500）延迟电路的可变延迟加法电路; 以及将内部时钟的相位与经由可变延迟电路接收的延迟时钟的相位进行比较的相位比较电路（300）和虚拟延迟，以将延迟量调整信号输出到可变延迟加法电路。在突发开始时的初始化模式中，在内部时钟的周期内被设置为逻辑“1”的第一信号经由虚拟延迟被输入到可变延迟加法电路，逻辑“ 1“由可变延迟加法电路确定，直到内部时钟的周期结束为止，基于持续时间建立粗延迟电路的延迟量，由此执行延迟量的初始建立的可变延迟加法电路。

4. 发明申请

WO2005078731A1 半導体メモリ审中-公开
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：WO2005078731A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/JP2005/001893
申请日：2005-02-09
申请人：シャープ株式会社 , 凸版印刷株式会社 , 前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
发明人：前田賢吾 , 谷川明 , 西山増治 , 大堀庄一 , 平野誠 , 高島洋 , 的場伸次 , 浅野正通
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C16/32 , G11C7/1027 , G11C7/1072
摘要：　本発明の半導体メモリは、クロックに同期したバーストモード読出機能を持ち、複数のメモリ素子からなるメモリアレイと、アドレスの上位アドレスをメモリアクセスアドレスとし、下位アドレスをバーストアドレスとし、クロックに同期して出力するシンクロリード制御回路と、メモリアドレスで選択されたメモリ素子の出力データを出力するセンスアンプと、バーストアドレスをデコードするデコーダと、このバーストアドレスをクロックに同期させてラッチするアドレスラッチと、各出力データを保持し、アドレスラッチのバーストアドレスに対応して、保持されている出力データを選択するページセレクタと、クロックに同期して、出力データをラッチする出力ラッチとを有している。
摘要翻译：一种具有时钟同步突发模式读取功能并包括由多个存储元件构成的存储器阵列的半导体存储器; 与时钟同步地输出地址的高阶地址作为存储器访问地址的同步读取控制电路，并且与时钟同步地将低阶地址作为突发地址输出; 读出放大器，输出由存储器地址选择的存储元件的输出数据; 解码器，其解码突发地址; 地址锁存器，与时钟同步地锁存突发地址; 页面选择器，其保存输出数据，并根据地址锁存器的突发地址选择所保存的输出数据; 以及与时钟同步地锁存输出数据的输出锁存器。

5. 发明申请

WO2007122684A1 低酸素金属粉末の製造方法审中-公开
标题翻译：生产低氧金属粉的方法
公开(公告)号：WO2007122684A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2006/307931
申请日：2006-04-14
申请人：日立金属株式会社 , 高島洋 , 韓剛 , 上坂修治郎 , 上野友典
发明人：高島洋 , 韓剛 , 上坂修治郎 , 上野友典
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02
CPC分类号： B22F1/0085 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B22F1/0062 , B22F2202/13
摘要：　低酸素金属粉末の製造方法が開示されている。炭化水素系有機化合物を加熱溶融して被覆した原料金属粉末を、不活性ガスを主成分とする熱プラズマ炎中に通過させて、原料金属粉末の酸素含有量を低減化させる。好適には、得られた金属粉末に真空中または水素雰囲気で加熱処理が施される。炭化水素系有機化合物の好適例はステアリン酸である。
摘要翻译：一种生产低氧金属粉末的方法，包括使主要由惰性气体组成的热等离子火焰使通过烃有机化合物的热熔融涂覆的原料金属粉末通过，以降低原料金属粉末中的氧含量。优选将所得到的金属粉末在真空或氢气气氛中进行热处理。烃类有机化合物的优选实例是硬脂酸。

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