专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012102644A1 СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАСКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ 审中-公开
标题翻译：在基材表面上生产掩模的方法
公开(公告)号：WO2012102644A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/RU2012/000024
申请日：2012-01-23
申请人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , КИТАЙ, Мойше Самуилович , СОРОКА, Аркадий Матвеевич
发明人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , КИТАЙ, Мойше Самуилович , СОРОКА, Аркадий Матвеевич
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/38
摘要： Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности подложки, в частности, полупроводниковой подложки. Техническим результатом изобретения является увеличение разрешения литографии с высокой производительностью, использующей технологию химического усиления. Технический результат достигается тем, что в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, содержащего генератор кислоты, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры, в термическую обработку экспонированного резиста включают его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой.
摘要翻译：本发明涉及光刻技术，更确切地说，涉及在衬底，特别是半导体衬底的表面上制造抗蚀剂掩模的方法。本发明的技术结果是使用化学放大技术提高了光刻的分辨率，同时提供高的生产率。技术结果的实现是在抗蚀剂表面的掩模制造方法中，将含有酸发生剂的聚合物抗蚀剂层施加到基板的表面，曝光抗蚀剂进行热处理，然后显影在抗蚀剂中产生的结构，曝光的抗蚀剂的热处理包括用至少一个激光脉冲加热抗蚀剂，其辐射波长根据吸收系数的条件来选择通过抗蚀剂的激光辐射的大小大于衬底对激光辐射的吸收系数。

2. 发明申请

WO2013009219A1 СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАСКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ 审中-公开
标题翻译：在基材表面上生产掩模的方法
公开(公告)号：WO2013009219A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/RU2012/000562
申请日：2012-07-11
申请人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , СОРОКА, Аркадий Матвеевич
发明人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , СОРОКА, Аркадий Матвеевич , КИТАЙ, Мойше Самуилович
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/20
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/38
摘要： Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности подложки, в частности, полупроводниковой подложки. Техническим результатом изобретения является повышение производительности литографии сверхвысокого разрешения, прежде всего ЭУФ-литографии. Технический результат достигается тем, что в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, образованного из мономерных звеньев на базе органических молекул, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры, в состав не менее 50% мономерных звеньев включают по меньшей мере один атом фтора, а термическая обработка экспонированного резиста включает его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой.
摘要翻译：本发明涉及光刻技术，更准确地说，涉及在衬底表面，特别是半导体衬底的表面上制造电阻掩模的方法。本发明的技术结果在于通过超高分辨率，主要是EUV光刻技术提高光刻的生产率。技术结果的实现是，在抗蚀剂表面上制造掩模的方法中，该方法包括将基于有机分子的单体单元形成的聚合物抗蚀剂层施加到基底表面上，使抗蚀剂对曝光的抗蚀剂进行热处理，然后显影形成在抗蚀剂中的结构，组合物中至少含有一个氟原子至少包含50％的单体单元，并且曝光的抗蚀剂的热处理包括使用至少从激光辐射的抗蚀剂的吸收系数相对于激光辐射超过基板的吸收系数的条件选择的一个激光脉冲。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式