专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013045181A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045181A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066459
申请日：2012-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/145 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), Erzeugen einer III-Nitrid-Nukleationsschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) auf die oder über der Nukleationsschicht (3), wobei ein Material des Aufwachssubstrats (1) von einem Material der Nukleationsschicht (3) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden ist.
摘要翻译：在所述方法的至少一个实施例是，对于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括以下步骤：提供一生长衬底（1），通过溅射，和生长III族氮化物半导体层序列制备生长衬底（1）上的III族氮化物成核层（3）（2）与活性层（2A ），其中所述生长衬底（1）（从成核层（3）的材料，和/或半导体层序列2）的材料为上或上方成核层不同（3）。

2. 发明申请

WO2009039820A1 DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：薄膜换镜层和方法及其LED
公开(公告)号：WO2009039820A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001495
申请日：2008-09-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
发明人： HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , PLAINE, Glenn-Ives
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.
摘要翻译：本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5）接触结构（6）。层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。薄膜的效率的LED增加。

3. 发明申请

WO2003038913A3 NITRID-BASIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003038913A3
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/DE2002/004026
申请日：2002-10-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
发明人： STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Nitrid-basierendes Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper (1) mit einer darauf aufgebrachten Kontaktmetallisierung (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist mit einer Schutzschicht versehen, die gegebenenfalls auch Teilbereiche der Kontaktmetallisierung (4) bedeckt und die eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Ausnehmungen (5) aufweist.

4. 发明申请

WO2012116887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTAUSKOPPELSTRUKTUREN IN EINEM HALBLEITERKÖRPER UND LICHT EMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：工艺在半导体体及发光半导体主体PRODUCING LICHTAUSKOPPELSTRUKTUREN
公开(公告)号：WO2012116887A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/052314
申请日：2012-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZINI, Lorenzo , WEIMAR, Andreas , RODE, Patrick
发明人： ZINI, Lorenzo , WEIMAR, Andreas , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Lichtauskoppelstrukturen (115) in einem Halbleiterkörper (1) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der eine zur Lichterzeugung geeignete aktive Zone (120) enthält. Auf einer Oberfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) wird eine Maskenschicht (3) hergestellt. Die Maskenschicht (3) weist eine Mehrzahl von Struktureinheiten (30) auf, deren Position und Größe reproduzierbar einstellbar und gezielt eingestellt ist. Die Konturen der Struktureinheiten (30) legen einen von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) fest. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Halbleiterkörper (1) an dem von der Maskenschicht (3) unbedeckten Teilbereich (1111) der Oberfläche (111) zur Ausbildung der Lichtauskoppelstrukturen (115) geätzt. Zudem wird ein Licht emittierender Halbleiterkörper (1) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于在半导体主体（1）的制备Lichtauskoppelstrukturen（115）的处理。在一个方法步骤中，设置在半导体主体（1），其包含适用于光产生活性区域（120）的装置。在半导体本体的一个表面（111）（1）产生时，掩模层（3）。掩模层（3）包括多个，其位置和尺寸被再现地调整可调整的和选择性的结构单元（30）的。的结构单元（30）的轮廓限定的掩模层的一个表面（111）牢固地（3）的未覆盖部分（1111）。在进一步的方法步骤中，在半导体本体（1），所述表面（111）用于形成Lichtauskoppelstrukturen（115）的掩模层（3）的暴露部分（1111）的被蚀刻。另外，发光半导体主体（1）中指定。

5. 发明申请

WO2010017807A2 OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2010017807A2
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009001115
申请日：2009-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIMAR ANDREAS
发明人： WEIMAR ANDREAS
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an optoelectronic component, comprising a carrier, a metal mirror layer disposed on the carrier, a first passivation layer disposed on a region of the metal mirror layer, a semiconductor layer disposed on the first passivation layer for generating an active zone during electric operation, a second passivation layer comprising two regions, wherein the first region is disposed on the top side of the semiconductor layer and the second region is disposed on the metal mirror layer, said second region being free of the semiconductor layer, wherein the first region and the second region of the second passivation layer are separated from each other by a region that surrounds the first passivation layer and is free of the second passivation layer.
摘要翻译：包括衬底的光电元件，设置在所述载体上的金属镜层，布置在所述金属镜层的一部分上的第一钝化层，一个半导体层，以产生活性中的电操作区，设置在第一钝化层上，第二钝化层包括两个区域，其中，在所述半导体层的上表面的第一区域，所述第二区域被布置在金属镜层，其是自由的半导体层，其中所述第一区域和所述第二钝化层的由外围到第一钝化层区域中的第二区域的上这是免费的第二钝化层的，是分离的。

6. 发明申请

WO2009068006A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009068006A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001957
申请日：2008-11-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
发明人： WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf der Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitern angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Pufferschicht (21), die nominell undotiert oder zumindest teilweise n-leitend dotiert ist, eine aktive Zone (24), die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen, sowie eine zwischen der Pufferschicht und der aktiven Zone angeordnete Kontaktschicht (22) auf, die n-leitend dotiert ist. In der Kontaktschicht ist die n-Dotierstoffkonzentration größer als in der Pufferschicht. In der Halbleiterschichtenfolge ist eine Ausnehmung (3) enthalten, die sich durch die Pufferschicht hindurch erstreckt und in der ein elektrisches Kontaktmaterial (4) angeordnet ist und an die Kontaktschicht angrenzt. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, das geeignet ist, einen derartigen Halbleiterkörper herzustellen.

7. 发明申请

WO2008135013A3 SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：半导体芯片和一种用于生产半导体芯片
公开(公告)号：WO2008135013A3
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/DE2008000703
申请日：2008-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL KARL , HOEPPEL LUTZ , EICHLER CHRISTOPH , SABATHIL MATTHIAS , WEIMAR ANDREAS
发明人： ENGL KARL , HOEPPEL LUTZ , EICHLER CHRISTOPH , SABATHIL MATTHIAS , WEIMAR ANDREAS
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18308 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/18391 , H01S5/3095 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a semiconductor chip (1) having a semiconductor body (2) comprising a semiconductor layer sequence having an active region (25) designed to generate radiation. A mirror structure (3) is located on the semiconductor body (2), said mirror structure having a mirror layer (4) and a dielectric layer structure (5) located at least in areas between the mirror layer and the semiconductor body. A method for producing a semiconductor chip is also disclosed.
摘要翻译：有一个半导体芯片（1），包括一个半导体主体（2），其包括具有用于产生辐射有源区（25）所表示的半导体层序列。在半导体主体（2）有（3）包括反射镜层（4）的反射镜结构和至少部分地设置在反射镜层和介电层以在半导体本体结构（5）之间。此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

8. 发明申请

WO2005071763A3 DÜNNFILM-LED MIT EINER STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2005071763A3
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005/000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

9. 发明申请

WO03043092A3 OHMIC CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAME 审中-公开
标题翻译：电阻接触的结构及方法及其
公开(公告)号：WO03043092A3
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/DE0204178
申请日：2002-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUEDERL GEORG , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , LUGAUER HANS-JUERGEN , STRAUSS UWE , WEIMAR ANDREAS
发明人： BRUEDERL GEORG , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , LUGAUER HANS-JUERGEN , STRAUSS UWE , WEIMAR ANDREAS
IPC分类号： H01S5/042 , H01L21/285 , H01L21/363 , H01L29/20 , H01L29/45 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L21/28 , H01L33/00
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01L33/40
摘要： The invention relates to an ohmic contact structure comprising a metallisation layer (14) which is arranged on a semiconductor material (10). A contact layer is formed in the semiconductor material (10, said contact layer comprising a first partial region which is adjacent to the metallisation layer (14) and a second partial region (18) following the first partial region. The contact layer is doped in such a way that the doping concentration (N2) in the first partial region (12) is higher than the doping concentration (N1) in the second partial region (18).
摘要翻译：本发明涉及一种具有设置在半导体材料（10），金属化（14）的欧姆接触结构，其中在所述半导体材料在相邻的（10）形成的接触层的金属镀层（14）的第一部分中的一个和所述第一包括所述第二部分（18）的下游部分区域。接触层被掺杂为所述第一部分（12）比所述掺杂浓度的掺杂浓度（N 2）（N 1）是在所述第二部分（18）。

10. 发明申请

WO2003030221A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS AUF DER BASIS EINES NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2003030221A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003667
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L21/285
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters. In einem ersten Schritt des Verfahrens wird ein Halbleiterkörper (1) bereitgestellt, der mindestens einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält. Auf die Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird in einem zweiten Schritt eine Metallschicht (7) aufgebracht. Nachfolgend wird in einem dritten Schritt der Halbleiterkörper (1) strukturiert, wobei ein Teil der Metallschicht (7) und Teile des darunterliegenden Halbleiterkörpers (1) abgetragen werden.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式