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1. 发明申请

WO2004082140A1 CURRENT MODE LOGIC (CML) CIRCUIT CONCEPT FOR A VARIABLE DELAY ELEMENT 审中-公开
标题翻译：电流模式逻辑（CML）可变延迟元件的电路概念
公开(公告)号：WO2004082140A1
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/EP2004/002133
申请日：2004-03-03
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LAMMERS, Stefan , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： LAMMERS, Stefan , VIEHMANN, Hans-Heinrich
IPC分类号： H03K5/13
CPC分类号： H03K5/133 , H03K2005/00026 , H03K2005/00156 , H03K2005/00208
摘要： An apparatus for a current mode logic variable delay element. A preferred embodiment comprises an input signal that is provided to a multiplexer (for example, multiplexer 210) in both buffered (via a buffer (for example, buffer 205)) and unbuffered form. A control signal of the multiplexer may be used to select from either the buffered or unbuffered input signals. By using a control signal at an intermediate value (somewhere in between values that selects the buffered or unbuffered input signals), the multiplexer may then combine the buffered and unbuffered input signals in proportion with the value of the control signal and imparts a delay upon the input signal that may be in between the delay imparted by the buffer.
摘要翻译：一种用于电流模式逻辑可变延迟元件的装置。优选实施例包括提供给缓冲（经由缓冲器（例如，缓冲器205））和非缓冲形式的多路复用器（例如，多路复用器210）的输入信号。可以使用多路复用器的控制信号来从缓冲的或非缓冲的输入信号中进行选择。通过使用中间值（选择缓冲或非缓冲输入信号的值之间的某处）的控制信号，多路复用器然后可以将缓冲和非缓冲的输入信号与控制信号的值成比例地组合，并且在可能在由缓冲器赋予的延迟之间的输入信号。

2. 发明申请

WO9717704A3 METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC DETERMINATION OF THE REQUIRED HIGH VOLTAGE FOR PROGRAMMING/ERASING AN EEPROM 审中-公开
标题翻译：用于自动确定用于编程/擦除EEPROM的高电压的方法和装置
公开(公告)号：WO9717704A3
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：PCT/DE9602099
申请日：1996-11-04
申请人： SIEMENS AG , SEDLAK HOLGER , VIEHMANN HANS HEINRICH
发明人： SEDLAK HOLGER , VIEHMANN HANS-HEINRICH
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C29/00 , G11C
CPC分类号： G11C16/30
摘要： The invention relates to a method and device for automatic determination of the required high voltage for programming/erasing an EEPROM. The present method renders it possible to determine individually the high voltage (Vpp) required to erase or program for each electrically erasable and programmable fixed-value semi-conductor memory (SP), and to store it in the memory (SP) itself in a region A provided therein. This determined high voltage can be retrieved from said region for any further erasing or programming. From a first value of the high voltage for programming or erasing the memory and a first value of a reading voltage for checking of programming or erasing, the most advantageous high voltage is determined by successively modifying either the high voltage or the reading voltage.
摘要翻译：本发明涉及用于自动确定用于编程/擦除EEPROM的所需高电压的方法和装置。本方法使得可以分别确定擦除或编程每个电可擦除和可编程固定值半导体存储器（SP）所需的高电压（Vpp），并将其存储在存储器（SP）本身中区域A。可以从所述区域检索该确定的高电压以进行进一步擦除或编程。从用于编程或擦除存储器的高电压的第一值和用于检查编程或擦除的读取电压的第一值，通过连续地修改高电压或读取电压来确定最有利的高电压。

3. 发明申请

WO1997017704A2 METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC DETERMINATION OF THE REQUIRED HIGH VOLTAGE FOR PROGRAMMING/ERASING AN EEPROM 审中-公开
标题翻译：方法和装置用于自动确定所需的高电压编程/ CLEAR EEPROM
公开(公告)号：WO1997017704A2
公开(公告)日：1997-05-15
申请号：PCT/DE1996002099
申请日：1996-11-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , SEDLAK, Holger , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： G11C00/00
CPC分类号： G11C16/30
摘要： The invention relates to a method and device for automatic determination of the required high voltage for programming/erasing an EEPROM. The present method renders it possible to determine individually the high voltage (Vpp) required to erase or program for each electrically erasable and programmable fixed-value semi-conductor memory (SP), and to store it in the memory (SP) itself in a region A provided therein. This determined high voltage can be retrieved from said region for any further erasing or programming. From a first value of the high voltage for programming or erasing the memory and a first value of a reading voltage for checking of programming or erasing, the most advantageous high voltage is determined by successively modifying either the high voltage or the reading voltage.
摘要翻译：通过本发明的方法中，有可能为每个单独的电可擦除和可编程只读半导体存储器（SP）所需的高电压对他擦除或编程（Vpp）为待确定并在存储器（SP）保存本身在规定的在其中，面积A. 从那里，每增加擦除和编程这个确定的高电压可用。从高电压的用于编程的第一值开始或擦除存储和读取电压的第一值来检查编程或擦除操作，最便宜的高电压通过连续改变任一高电压或读取电压来确定。

4. 发明申请

WO2006027373A1 CURRENT SENSE AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：电流检测放大器
公开(公告)号：WO2006027373A1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：PCT/EP2005/054430
申请日：2005-09-07
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GOGL, Dietmar , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： GOGL, Dietmar , VIEHMANN, Hans-Heinrich
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/16
CPC分类号： G11C7/04 , G11C7/02 , G11C7/062 , G11C7/067 , G11C11/16 , G11C2207/063
摘要： A high-speed current sense amplifier has complementary reference cells and load devices that eliminate capacitive mismatch contributions. The current sense amplifier includes a voltage comparator, a first clamping device coupled between a first input of the voltage comparator and a first input signal node. The first clamping device is coupled to a reference voltage. A second clamping device is coupled between the second input of the voltage comparator and a second input signal node. The second clamping device is also coupled to the reference voltage. A current mirror is coupled between the first and second input of the voltage comparator and is coupled to an active capacitance balancing circuit. The active capacitance balancing circuit may be combined with the voltage comparator. Equalization devices may be coupled between the first and second inputs of the voltage comparator, and between the first input signal node and the second input signal node.
摘要翻译：高速电流检测放大器具有补充参考电池和负载装置，可消除电容失配的贡献。电流检测放大器包括电压比较器，耦合在电压比较器的第一输入端和第一输入信号节点之间的第一钳位装置。第一夹紧装置耦合到参考电压。第二钳位装置耦合在电压比较器的第二输入端和第二输入信号节点之间。第二钳位装置也耦合到参考电压。电流镜耦合在电压比较器的第一和第二输入端之间并耦合到有源电容平衡电路。有源电容平衡电路可以与电压比较器组合。均衡装置可以耦合在电压比较器的第一和第二输入之间，以及第一输入信号节点和第二输入信号节点之间。

5. 发明申请

WO2005004162A2 CROSS-POINT MRAM ARRAY WITH REDUCED VOLTAGE DROP ACROSS MTJ'S 审中-公开
标题翻译：具有降低电压降的跨点MRAM阵列
公开(公告)号：WO2005004162A2
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/EP2004/006190
申请日：2004-06-08
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , DEBROSSE, John , LAMMERS, Stefan , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： DEBROSSE, John , LAMMERS, Stefan , VIEHMANN, Hans-Heinrich
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/15
摘要： A method of storing information in a cross-point magnetic memory array and a cross-point magnetic memory device structure. The voltage drop across magnetic tunnel junctions (MTJ's) during a write operation is minimized to prevent damage to the MTJ's of the array. The voltage drop across the selected MTJ's, the unselected MTJ's, or both, is minimized during a write operation, reducing stress across the MTJ's, decreasing leakage currents, decreasing power consumption and increasing the write margin.
摘要翻译：一种在交叉点磁存储器阵列和交叉点磁存储器件结构中存储信息的方法。在写入操作期间，磁隧道结（MTJ）的电压降最小化，以防止损坏阵列的MTJ。在写操作期间，所选MTJ，未选MTJ或两者的电压降最小化，减少了MTJ的压力，减少了泄漏电流，降低了功耗并增加了写入裕度。

6. 发明申请

WO2005004162A3 CROSS-POINT MRAM ARRAY WITH REDUCED VOLTAGE DROP ACROSS MTJ'S 审中-公开
标题翻译：跨越MTJ'S的跨点MRAM阵列具有降低的电压降
公开(公告)号：WO2005004162A3
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/EP2004006190
申请日：2004-06-08
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , IBM , DEBROSSE JOHN , LAMMERS STEFAN , VIEHMANN HANS-HEINRICH
发明人： DEBROSSE JOHN , LAMMERS STEFAN , VIEHMANN HANS-HEINRICH
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/15
摘要： A method of storing information in a cross-point magnetic memory array and a cross-point magnetic memory device structure. The voltage drop across magnetic tunnel junctions (MTJ's) during a write operation is minimized to prevent damage to the MTJ's of the array. The voltage drop across the selected MTJ's, the unselected MTJ's, or both, is minimized during a write operation, reducing stress across the MTJ's, decreasing leakage currents, decreasing power consumption and increasing the write margin.
摘要翻译：一种将信息存储在交叉点磁存储器阵列和交叉点磁存储器装置结构中的方法。在写入操作期间磁隧道结（MTJ）上的电压降被最小化以防止损坏阵列的MTJ。在写入操作期间，选定的MTJ，未选定的MTJ或两者上的电压降最小化，减小MTJ上的应力，降低泄漏电流，降低功耗并增加写入裕度。

7. 发明申请

WO02073618A3 MEMORY SENSE AMPLIFIER FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：检测放大器安排半导体存储器件
公开(公告)号：WO02073618A3
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：PCT/DE0200897
申请日：2002-03-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GOGL DIETMAR , VIEHMANN HANS-HEINRICH
发明人： GOGL DIETMAR , VIEHMANN HANS-HEINRICH
IPC分类号： G11C11/15 , G11C7/06 , G11C11/16
CPC分类号： G11C7/067 , G11C7/062 , G11C2207/063
摘要： A memory sense amplifier (10) for a semiconductor memory device (1) is provided with a compensation current source device (30) which generates a compensation current (Icomp) and feeds it to an interconnected bit line (4). Said compensation current (Icomp) is selected in such a manner that during readout a potential gradient can be generated and/or maintained in cooperation with a compensation voltage source device (20) on the selected and interlinked bit line device (4) that is substantially constant over time.
摘要翻译：在读出放大器装置（10），用于半导体存储器设备（1）是一个补偿电流源装置（30）设置，通过它可产生一个补偿电流（ICOMP），并且可以提供相关联的位线（4），所述补偿电流（ICOMP）被选择，使得当是（4）具有可以产生预期的补偿电压源装置（20）到所选择的和连接的位线大致时间上恒定的电势差和/或维持耐久性合作公吨读取操作。

8. 发明申请

WO02058070A3 SELECTION DEVICE FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于半导体存储器装置的选择装置
公开(公告)号：WO02058070A3
公开(公告)日：2002-11-07
申请号：PCT/DE0200141
申请日：2002-01-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , VIEHMANN HANS-HEINRICH
发明人： VIEHMANN HANS-HEINRICH
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/16
摘要： The invention relates to a selection device for a semiconductor memory device. The aim of the invention is to prevent voltage drops caused by read currents in a column multiplexer (10) of a semiconductor memory device (1). To this end, the switch devices (12) of the selection device (10) comprise two switch elements (T1, T2). The invention is further characterized in that associated bit lines (4) can be interlinked with a potential sampling connection (22) or a current feed connection (24) of a respective associated sense amplifier (20) by means of the first and the second switch element (T1, T2).
摘要翻译：为了使半导体存储装置（1），以避免读出电流的电压降而产生的一列多路转换器（10），它建议，所述开关装置（12）包括选择装置（10）具有两个开关元件（T1，T2），通过第一和第二开关元件（T1，T2）相关联的位线（4）每个具有电位 - （22）和具有相关联的读出放大器（20）的电流供给的连接（24）是可连接的。

9. 发明申请

WO2004107348A1 CIRCUIT CONFIGURATION FOR A CURRENT SWITCH OF A BIT/WORD LINE OF A MRAM DEVICE 审中-公开
标题翻译： MRAM器件的位/字线的电流开关的电路配置
公开(公告)号：WO2004107348A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/EP2004/005675
申请日：2004-05-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , DEBROSSE, John , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： DEBROSSE, John , VIEHMANN, Hans-Heinrich
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16 , G11C7/12 , G11C8/08
摘要： A circuit configuration for a current switch of a bit line or a word line of a magnetoresistive random access memory (MRAM) device, comprising a directional switch and a voltage driver that, in operation, reduces the ON resistance of the directional switch. In one embodiment, each terminal of the line is provided with such a switch.
摘要翻译：一种用于磁阻随机存取存储器（MRAM）器件的位线或字线的电流开关的电路配置，包括定向开关和电压驱动器，其在操作中降低了方向开关的导通电阻。在一个实施例中，线路的每个终端设置有这样的开关。

10. 发明申请

WO2002073618A2 LESEVERSTÄRKERANORDNUNG FÜR EINE HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：检测放大器安排半导体存储器件
公开(公告)号：WO2002073618A2
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000897
申请日：2002-03-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GOGL, Dietmar , VIEHMANN, Hans-Heinrich
发明人： GOGL, Dietmar , VIEHMANN, Hans-Heinrich
IPC分类号： G11C7/06
CPC分类号： G11C7/067 , G11C7/062 , G11C2207/063
摘要： Bei einer Leseverstärkeranordnung (10) für eine Halbleiterspeichereinrichtung (1) ist eine Kompensationsstromquelleneinrichtung (30) vorgesehen, durch welche ein Kompensationsstrom (Icomp) generierbar und einer verbundenen Bitleitung (4) zuführbar ist, wobei der Kompensationsstrom (Icomp) so gewählt ist, dass bei einem Lesevorgang in Zusammenwirken mt einer vorgesehenen Kompensationsspannungsquelleneinrichtung (20) auf der ausgewählten und verbundenen Bitleitungseinrichtung (4) eine im Wesentlichen zeitlich konstante Potenzialdifferenz generierbar und/oder aufrechthaltbar ist.
摘要翻译：在读出放大器装置（10），用于半导体存储器设备（1）是一个补偿电流源装置（30）设置，通过它可产生一个补偿电流（ICOMP），并且可以提供相关联的位线（4），所述补偿电流（ICOMP）被选择，使得当是（4）具有可以产生预期的补偿电压源装置（20）到所选择的和连接的位线大致时间上恒定的电势差和/或维持耐久性合作公吨读取操作。

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