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1. 发明申请

WO2023285250A1 VORRICHTUNG ZUR STRAHLFORMUNG EINES EINFALLENDEN LASERSTRAHLS 审中-公开
公开(公告)号：WO2023285250A1
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：PCT/EP2022/068787
申请日：2022-07-06
申请人： TRUMPF LASER GMBH , TRUMPF PHOTONICS, INC.
发明人： RATAJ, Thomas , IRMLER, Lukas , KILLI, Alexander , RIED, Steffen , WIESCHENDORF, Christoph
IPC分类号： G02B27/09 , G02B27/28
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (100) zur Strahlformung eines einfallenden Laserstrahls (1), umfassend ein Prisma (2), einen Polarisationsdreher (3) und einen Dünnschichtpolarisator (4), wobei das Prisma (2) so angeordnet ist, dass es den einfallenden Laserstrahl (1) in eine erste Strahlhälfte (12) und eine zweite Strahlhälfte (14) aufteilt, wobei zumindest die erste Strahlhälfte (12) in das Prisma (2) eingekoppelt wird, wobei die erste Strahlhälfte (12) an einer ersten Einfallseite (20) in das Prisma (2) eintritt, wobei das Prisma (2) so ausgebildet ist, dass die erste Einfallseite (20) unter dem Brewster-Winkel (B) gegenüber dem einfallenden Laserstrahl (1) angeordnet ist, und wobei das Prisma (2) so ausgebildet ist, dass die in das Prisma (2) eingekoppelte erste Strahlhälfte (12) an einer Austrittsseite (24) des Prismas (2) wieder aus dem Prisma (2) ausgekoppelt wird, wobei die erste Strahlhälfte (12) unter dem Brewster-Winkel aus dem Prisma (2) ausgekoppelt wird, wobei der Dünnschichtpolarisator (4) so angeordnet ist, dass er von der aus dem Prisma (2) ausgekoppelten ersten Strahlhälfte (12) durchlaufen wird, wobei der Polarisationsdreher (3) so angeordnet ist, dass er von der zweiten Strahlhälfte (14) durchlaufen wird und die Polarisation der zweiten Strahlhälfte (14) dreht, und wobei die zweite Strahlhälfte (14) so geführt ist, dass sie von dem Dünnschichtpolarisator (4) reflektiert wird und der Dünnschichtpolarisator (4) die erste Strahlhälfte (12) und die zweite Strahlhälfte (14) überlagert.

2. 发明申请

WO2019243327A1 DIODENLASERANORDUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243327A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066008
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike , URBAN, Gerald , HANSEN, Gerd , CARSTENS, Christian
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit mindestens einem Emitter (4), einer ersten Kühleinrichtung (13), einer zweiten Kühleinrichtung (15) und einer ersten Verbindungslage (17,17), wobei der mindestens eine Emitter (4) eingerichtet ist, um einen Laserstrahl zu emittieren, wobei der mindestens eine Emitter (4) zwischen der ersten Kühleinrichtung (13) und der zweiten Kühleinrichtung (15) angeordnet ist, wobei die erste Kühleinrichtung (13) die zweite Kühleinrichtung (15) jeweils eingerichtet sind, um den mindestens einen Emitter (4) zu kühlen, wobei der mindestens eine Emitter (4) über die erste Verbindungslage (17,17*) mit der ersten Kühleinrichtung (13) verbunden ist, und wobei die erste Verbindungslage (17,17*) ein Verbindungsmaterial aufweist oder aus einem Verbindungsmaterial besteht, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe bestehend aus Gold, einer Gold-Legierung, Silber, einer Silber-Legierung, einem Silber-Sinter-Werkstoff, Kupfer, einer Kupfer- Legierung, Nickel, einer Nickel-Legierung, Palladium, einer Palladium-Legierung, Platin, einer Platin-Legierung, Rhodium, einer Rhodium-Legierung, Iridium, einer Iridium-Legierung, Germanium, einer Germanium-Legierung, Zinn, einer Zinn- Legierung, Aluminium, einer Aluminium-Legierung, Indium, einer Indium-Legierung, Blei, und einer Blei-Legierung.

3. 发明申请

WO2019243322A1 DIODENLASERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243322A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066002
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/022
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit einer Diodenlasereinrichtung (3), welche eingerichtet ist, um einen Laserstrahl zu emittieren, zumindest einer Kühleinrichtung (5), welche eingerichtet ist, um die Diodenlasereinrichtung (3) zu kühlen, einer ersten Verbindungsschicht (7), und einer zweiten Verbindungsschicht (9), wobei die erste Verbindungsschicht (7) an einer Grundfläche (13) der Diodenlasereinrichtung (3) und die zweite Verbindungsschicht (9) an einer Anlagefläche (11 ) der zumindest einen Kühleinrichtung (5), oder die erste Verbindungsschicht (7) an der Anlagefläche (11 ) und die zweite Verbindungsschicht (9) an der Grundfläche (13) fest angeordnet sind, wobei die erste Verbindungsschicht (7) mit der zweiten Verbindungsschicht (9) fest verbunden ist, sodass die Diodenlasereinrichtung (3) und die zumindest eine Kühleinrichtung (5) über die erste Verbindungsschicht (7) und die zweite Verbindungsschicht (9) fest miteinander verbunden sind. Dabei ist vorgesehen, dass die erste Verbindungsschicht (7) eine Vielzahl von Nanodrähten aufweist.

4. 发明申请

WO2017184569A3 PASSIVATION OF LASER FACETS AND SYSTEMS FOR PERFORMING THE SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2017184569A3
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/US2017/028072
申请日：2017-04-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC.
发明人： ZHANG, Qiang , AN, Haiyan , TREUSCH, Hans Georg
IPC分类号： H01S5/028
摘要： Methods of passivating at least one facet of a multilayer waveguide structure can include: cleaning, in a first chamber of a multi-chamber ultra-high vacuum (UHV) system, a first facet of the multilayer waveguide structure; transferring the cleaned multilayer waveguide structure from the first chamber to a second chamber of the multi- chamber UHV system; forming, in the second chamber, a first single crystalline passivation layer on the first facet; transferring the multilayer waveguide structure from the second chamber to a third chamber of the multi-chamber UHV system; and forming, in the third chamber, a first dielectric coating on the first single crystalline passivation layer, in which the methods are performed in an UHV environment of the multi-chamber UHV system without removing the multilayer waveguide structure from the UHV environment.

5. 发明申请

WO2016118849A3 ARRANGEMENT OF MULTIPLE DIODE LASER MODULE AND METHOD OF OPERATING THE SAME 审中-公开
标题翻译：多个二极管激光模块的布置和操作该多个二极管激光模块的方法
公开(公告)号：WO2016118849A3
公开(公告)日：2016-09-15
申请号：PCT/US2016014504
申请日：2016-01-22
申请人： TRUMPF PHOTONICS INC
发明人： LI YUFENG
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/42 , H01S5/00 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4012 , G02B6/4214 , G02B6/423 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/02216 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/125 , H01S5/4018 , H01S5/4031 , H01S5/405
摘要： Disclosed is a laser module with a base including stepped platforms with an offset relative to an adjacent platform, each stepped platform accommodating a laser source. The module has at least a first plurality of stepped platforms and a second plurality of stepped platforms. Each platform accommodates a laser source that is part of a plurality of laser sources. The plurality of laser sources is arranged in a single plane to have each laser source emit laser radiation in the same direction perpendicular to the plane. Laser radiation generated by the laser sources associated with the first plurality of platforms is combined into a first combined beam and the laser radiation generated by the laser sources associated with the second plurality of platforms is combined into a second combined beam. The first and second combined beam are combined by an optical combiner and coupled into an optical fiber.
摘要翻译：公开了一种具有基座的激光模块，基座包括相对于相邻平台偏移的阶梯平台，每个阶梯平台容纳激光源。该模块具有至少第一多个阶梯平台和第二多个阶梯平台。每个平台容纳作为多个激光源的一部分的激光源。多个激光源被布置在单个平面中以使每个激光源在垂直于该平面的相同方向上发射激光辐射。将与第一多个平台相关联的激光源产生的激光辐射组合成第一组合光束，并将与第二多个平台相关联的激光源产生的激光辐射组合成第二组合光束。第一和第二组合光束由光学组合器组合并耦合到光纤中。

6. 发明申请

WO2006104980A3 LASER FACET PASSIVATION 审中-公开
标题翻译：激光软体钝化
公开(公告)号：WO2006104980A3
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/US2006011034
申请日：2006-03-27
申请人： TRUMPF PHOTONICS INC , CHARACHE GREG , HOSTETLER JOHN , JIANG CHING-LONG , MENNA RAYMOND J , RADIONOVA RADOSVETA , ROFF ROBERT WILLIAM , SCHLUETER HOLGER
发明人： CHARACHE GREG , HOSTETLER JOHN , JIANG CHING-LONG , MENNA RAYMOND J , RADIONOVA RADOSVETA , ROFF ROBERT W , SCHLUETER HOLGER
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/1064 , H01S5/16 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/4031
摘要： Methods of preparing front and back facets of a diode laser include controlling an atmosphere within a first chamber, such that an oxygen content and a water vapor content are controlled to within predetermined levels and cleaving the diode laser from a wafer within the controlled atmosphere of the first chamber to form a native oxide layer having a predetermined thickness on the front and back facets of the diode laser. After cleavage, the diode laser is transported from the first chamber to a second chamber within a controlled atmosphere, the native oxide layer on the front and back facets of the diode laser is partially removed, an amorphous surface layer is formed on the front and back facets of the diode laser, and the front and back facets of the diode laser are passivated.
摘要翻译：制备二极管激光器的前面和后面的方法包括控制第一室内的气氛，使得氧含量和水蒸气含量被控制在预定水平内，并将二极管激光器从受控气氛中的晶片第一室以在二极管激光器的正面和背面形成具有预定厚度的自然氧化物层。在切割之后，二极管激光器在受控气氛中从第一室输送到第二室，部分去除二极管激光器的正面和背面上的自然氧化物层，在前面和后面形成非晶表面层二极管激光器的小面以及二极管激光器的正面和背面被钝化。

7. 发明申请

WO2005119864A1 LASER DIODE ARRAY MOUNT AND STEPPED MIRROR FOR SHAPING OF A SYMMETRIC LASER BEAM 审中-公开
标题翻译：用于形成对称激光束的激光二极管阵列和梯形镜
公开(公告)号：WO2005119864A1
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：PCT/US2004/033331
申请日：2004-10-08
申请人： TRUMPF PHOTONICS INC. , SCHNITZLER, Claus , SCHLUETER, Holger
发明人： SCHNITZLER, Claus , SCHLUETER, Holger
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4025 , G02B6/4206 , G02B6/425 , G02B19/0014 , G02B19/0028 , G02B19/0057 , H01S5/005 , H01S5/0215 , H01S5/024 , H01S5/0267 , H01S5/4068 , H01S5/4075
摘要： An optically stacked, laser diode array module (10) includes a mounting block (100) having a series of stepped, parallel diode mounting surfaces (101) on one face of the block, each diode mounting surface cooperating with a respective pair of reference surfaces (102, 103) of the block to form a respective outside block corner, a series of laser diodes (300) affixed to the block, with facets of the diode aligned with the reference surfaces forming the outside block corner with the mounting surface on which the diode is disposed, such that a corner of each diode is aligned with a respective corner of the block, and a beam reflector (200) secured to the block and having a series of stepped, parallel surfaces, each positioned to intercept and reflect a respective one of the beams (500) from the laser diodes, such that the reflected beams are parallel and stacked. The beams (500) emitted from the laser diodes (300) can be collimated by microlenses (400).
摘要翻译：光学堆叠的激光二极管阵列模块（10）包括在块的一个面上具有一系列阶梯式并联二极管安装表面（101）的安装块（100），每个二极管安装表面与相应的一对参考表面（102,103），以形成相应的外部块角，固定到所述块的一系列激光二极管（300），所述二极管的小面与参考表面对准，其上形成有外部块角，其上安装有所述安装面设置二极管，使得每个二极管的角部与块的相应角对齐，并且束反射器（200）固定到块上并具有一系列阶梯式平行表面，每个平面被定位成截取并反射来自激光二极管的光束（500）中的相应一个，使得反射光束平行和堆叠。从激光二极管（300）发射的光束（500）可以由微透镜（400）准直。

8. 发明申请

WO2020252006A1 DOUBLE SIDED COOLING OF LASER DIODE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020252006A1
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：PCT/US2020/036976
申请日：2020-06-10
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC.
发明人： VETHAKE, Thilo , HEINEMANN, Stefan
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024 , H01L21/48 , H01L23/36
摘要： A laser diode device includes: a first heat sink including a first mounting layer, in which the first mounting layer includes at least two mounting pads electrically isolated from one another; a second heat sink including a second mounting layer, in which the second mounting layer includes at least two mounting pads electrically isolated from one another; and a laser diode bar between the first heat sink and the second heat sink, in which a bottom electrical contact of the laser diode bar is mounted to the first mounting layer, and a top electrical contact of the laser diode bar is mounted to the second mounting layer.

9. 发明申请

WO2020243462A1 UNIFORM COOLING OF LASER DIODE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020243462A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/US2020/035170
申请日：2020-05-29
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC.
发明人： TREUSCH, Hans-Georg
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/40
摘要： In general, in some aspects, the subject matter of the present disclosure encompasses laser diode heat sinks that include: multiple planar foils, in which each planar foil of the multiple planar foils includes a first face and a second face opposite the first face, the multiple planar foils being arranged in a stack along a stacking direction, with the second face of each planar foil of the plurality of planar foils arranged on a first face of a respective preceding planar foil in the stack. The first face of each planar foil of the multiple planar foils includes a corresponding elongated trench extending substantially along a second direction that is perpendicular to the stacking direction, and, for each planar foil of the multiple planar foils, a depth of the corresponding trench extends through less than an entire thickness of the planar foil.

10. 发明申请

WO2020123441A2 LATERALLY TAILORING CURRENT INJECTION FOR LASER DIODES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020123441A2
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/US2019/065367
申请日：2019-12-10
申请人： TRUMPF PHOTONICS INC.
发明人： HOLLY, Carlo , HEINEMANN, Stefan , DAS, Suhit Ranjan , MODAK, Prasanta
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/30 , H01S5/068
摘要： A semiconductor laser diode includes multiple layers stacked along a first direction, in which the multiple layers include: a first multiple of semiconductor layers; an optical waveguide on the first multiple of semiconductor layers, in which the optical waveguide includes a semiconductor active region for generating laser light, and in which the optical waveguide defines a resonant cavity having an optical axis; and a second multiple of semiconductor layers on the optical waveguide region, in which a resistivity profile of at least one layer of the multiple layers varies gradually between a maximum resistivity and a minimum resistivity along a second direction extending orthogonal to the first direction, in which a distance between the maximum resistivity and the minimum resistivity is greater than at least about 2 microns.

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