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1. 发明申请

WO2019243324A1 DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243324A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066005
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike , URBAN, Gerald , HANSEN, Gerd , CARSTENS, Christian
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/40
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit einer Diodenlasereinrichtung (3), und mindestens einer Wärmeabführeinrichtung (5, 5', 5''), wobei die Diodenlasereinrichtung (3) zumindest bereichsweise an der mindestens einen Wärmeabführeinrichtung (5, 5', 5'') angeordnet ist, wobei die Diodenlasereinrichtung (3) eingerichtet ist, um über eine Emissionsfläche (9) einen Laserstrahl zu emittieren, wobei die mindestens eine Wärmeabführeinrichtung (5, 5', 5'') eingerichtet ist, um Wärme von der Diodenlasereinrichtung (3) abzuführen. Dabei ist vorgesehen, dass die mindestens eine Wärmeabführeinrichtung (5, 5', 5'') zumindest an einer Vorderseite (13), welche auf derselben Seite der Diodenlaseranordnung (1 ) liegt wie die Emissionsfläche (9), mindestens einen ersten Stirnflächenabschnitt (15,15', 15'', 15''',15'''') aufweist, welcher bezüglich der Emissionsfläche (9) schräg ausgerichtet ist.

2. 发明申请

WO2019243327A1 DIODENLASERANORDUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243327A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066008
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike , URBAN, Gerald , HANSEN, Gerd , CARSTENS, Christian
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit mindestens einem Emitter (4), einer ersten Kühleinrichtung (13), einer zweiten Kühleinrichtung (15) und einer ersten Verbindungslage (17,17), wobei der mindestens eine Emitter (4) eingerichtet ist, um einen Laserstrahl zu emittieren, wobei der mindestens eine Emitter (4) zwischen der ersten Kühleinrichtung (13) und der zweiten Kühleinrichtung (15) angeordnet ist, wobei die erste Kühleinrichtung (13) die zweite Kühleinrichtung (15) jeweils eingerichtet sind, um den mindestens einen Emitter (4) zu kühlen, wobei der mindestens eine Emitter (4) über die erste Verbindungslage (17,17*) mit der ersten Kühleinrichtung (13) verbunden ist, und wobei die erste Verbindungslage (17,17*) ein Verbindungsmaterial aufweist oder aus einem Verbindungsmaterial besteht, welches ausgewählt ist aus einer Gruppe bestehend aus Gold, einer Gold-Legierung, Silber, einer Silber-Legierung, einem Silber-Sinter-Werkstoff, Kupfer, einer Kupfer- Legierung, Nickel, einer Nickel-Legierung, Palladium, einer Palladium-Legierung, Platin, einer Platin-Legierung, Rhodium, einer Rhodium-Legierung, Iridium, einer Iridium-Legierung, Germanium, einer Germanium-Legierung, Zinn, einer Zinn- Legierung, Aluminium, einer Aluminium-Legierung, Indium, einer Indium-Legierung, Blei, und einer Blei-Legierung.

3. 发明申请

WO2019243322A1 DIODENLASERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243322A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066002
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/022
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit einer Diodenlasereinrichtung (3), welche eingerichtet ist, um einen Laserstrahl zu emittieren, zumindest einer Kühleinrichtung (5), welche eingerichtet ist, um die Diodenlasereinrichtung (3) zu kühlen, einer ersten Verbindungsschicht (7), und einer zweiten Verbindungsschicht (9), wobei die erste Verbindungsschicht (7) an einer Grundfläche (13) der Diodenlasereinrichtung (3) und die zweite Verbindungsschicht (9) an einer Anlagefläche (11 ) der zumindest einen Kühleinrichtung (5), oder die erste Verbindungsschicht (7) an der Anlagefläche (11 ) und die zweite Verbindungsschicht (9) an der Grundfläche (13) fest angeordnet sind, wobei die erste Verbindungsschicht (7) mit der zweiten Verbindungsschicht (9) fest verbunden ist, sodass die Diodenlasereinrichtung (3) und die zumindest eine Kühleinrichtung (5) über die erste Verbindungsschicht (7) und die zweite Verbindungsschicht (9) fest miteinander verbunden sind. Dabei ist vorgesehen, dass die erste Verbindungsschicht (7) eine Vielzahl von Nanodrähten aufweist.

4. 发明申请

WO2019243323A1 DIODENLASERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR MONTAGE EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243323A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066004
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike , URBAN, Gerald , HANSEN, Gerd , CARSTENS, Christian
IPC分类号： H01S5/024
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit einer Diodenlasereinrichtung (3), einem ersten Kühlelement (5), welches eine erste Außenfläche (7) aufweist, einem zweiten Kühlelement (9), welches eine zweite Außenfläche (11) aufweist, und mindestens einer Beabstandungseinrichtung (13,13.1,13.2), wobei die Diodenlasereinrichtung (3) und die mindestens eine Beabstandungseinrichtung (13,13.1,13.2) voneinander beabstandet jeweils zwischen dem ersten Kühlelement (5) und dem zweiten Kühlelement (9) jeweils an der ersten Außenfläche (7) und an der zweiten Außenfläche (11 ) angeordnet sind, wobei das erste Kühlelement (5) und das zweite Kühlelement (9) jeweils eingerichtet sind, um die Diodenlasereinrichtung (3) zu kühlen. Dabei ist vorgesehen, dass die Diodenlasereinrichtung (3) eine erste Diodengrundfläche (15) und eine zweite Diodengrundfläche (17) aufweist, wobei die Diodenlasereinrichtung (3) mit der ersten Diodengrundfläche (15) in einem ersten Vorderbereich (23) der ersten Außenfläche (7) an dieser und/oder mit der zweiten Diodengrundfläche (17) in einem zweiten Vorderbereich (25) der zweiten Außenfläche (11) an dieser angeordnet ist, und wobei die mindestens eine Beabstandungseinrichtung (13,13.1,13.2) eingerichtet ist, um eine Lage des ersten Kühlelements (5) und des zweiten Kühlelements (9) relativ zueinander derart einzustellen, dass die erste Außenfläche (7) in dem ersten Vorderbereich (23) parallel zu der ersten Diodengrundfläche (15) angeordnet ist, und/oder dass die zweite Außenfläche (11) in dem zweiten Vorderbereich (25) parallel zu der zweiten Diodengrundfläche (17) angeordnet ist.

5. 发明申请

WO2019243326A1 DIODENLASERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243326A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066007
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： STROHMAIER, Stephan , MEISSNER-SCHENK, Arne-Heike , URBAN, Gerald , HANSEN, Gerd , CARSTENS, Christian
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/40 , H01S5/022
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1), mit einer Diodenlasereinrichtung (3), und mindestens einer Kühleinrichtung (7, 7.1,7, 2), wobei die mindestens eine Kühleinrichtung (7, 7.1, 7, 2) an der Diodenlasereinrichtung (3) angeordnet ist, wobei die mindestens eine Kühleinrichtung (7, 7.1, 7, 2) eingerichtet ist, um die Diodenlasereinrichtung (3) zu kühlen, wobei die mindestens eine Kühleinrichtung (7, 7.1,7, 2) einen Anlagekörper (11,11.1,11.2) und mindestens eine Wärmeleiteinlage (13, 13.1a, 13.1b, 13.2) aufweist, wobei der Anlagekörper (11,11.1,11.2) ein erstes Material aufweist oder aus einem ersten Material besteht, wobei die mindestens eine Wärmeleiteinlage (13, 13.1a, 13.1b, 13.2) ein von dem ersten Material verschiedenes zweites Material aufweist oder aus einem von dem ersten Material verschiedenen zweiten Material besteht, und wobei der Anlagekörper (11,11.1,11.2) an der Diodenlasereinrichtung (3) angeordnet ist. Dabei ist vorgesehen, dass die mindestens eine Wärmeleiteinlage (13, 13.1a, 13.1b, 13.2) in den Anlagekörper (11,11.1,11.2) eingebettet ist.

6. 发明申请

WO2019243325A1 DIODENLASERANORDNUNG UND DWM-MODUL MIT EINER SOLCHEN DIODENLASERANORDNUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019243325A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/EP2019/066006
申请日：2019-06-18
申请人： TRUMPF PHOTONICS, INC. , TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH
发明人： TILLKORN, Christoph , STROHMAIER, Stephan , RIED, Steffen
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/40
摘要： Die Erfindung betrifft eine Diodenlaseranordnung (1) zur Kühlung von und Stromzuführung für Diodenlasereinrichtungen (5), mit mindestens zwei Stapeln (3), jeweils aufweisend eine Diodenlasereinrichtung (5), welche eingerichtet ist, um einen Laserstrahl (47) zu emittieren, eine obere Kühleinrichtung (7), und eine untere Kühleinrichtung (9), wobei jeweils die Diodenlasereinrichtung (5) an der oberen Kühleinrichtung (7) und an der unteren Kühleinrichtung (9) derart angeordnet ist, dass die Diodenlasereinrichtung (5) zwischen der oberen Kühleinrichtung (7) und der unteren Kühleinrichtung (9) angeordnet ist, wobei die obere Kühleinrichtung (7) und die untere Kühleinrichtung (9) jeweils eingerichtet sind, um die dazwischen angeordnete Diodenlasereinrichtung (5) zu kühlen, und wobei die obere Kühleinrichtung (7) und die untere Kühleinrichtung (9) jeweils mit der dazwischen angeordneten Diodenlasereinrichtung (5) elektrisch verbunden sind. Dabei ist vorgesehen, dass die obere Kühleinrichtung (7) und/oder die untere Kühleinrichtung (9) eines Stapels (3) jeweils als Mikrokanalkühler ausgebildet sind/ist, wobei die obere Kühleinrichtung (7) und/oder die untere Kühleinrichtung (9) eines Stapels (3) jeweils gegenüber der dazwischen angeordneten Diodenlasereinrichtung (5) im Wesentlichen keine elektrische Isolierung aufweisen/aufweist.

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