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1. 发明申请

WO2009068571A1 PROCESS FOR FABRICATING AN ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：制造电子设备的方法
公开(公告)号：WO2009068571A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/EP2008/066258
申请日：2008-11-26
申请人： PICOGIGA INTERNATIONAL , LAHRECHE, Hacene
发明人： LAHRECHE, Hacene
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/66462 , H03M13/00 , H03M13/15
摘要： The present invention concerns an electronic device made of group III/N materials and a method of fabricating thereof, comprising the growth by epitaxy on a substrate layer (1) of the following successive layers: - a layer (2, 3) adapted to contain an electron gas; - a barrier layer (4); and - a surface layer (7a), the process also including an etching step for at least part of the surface layer (7a). After the etching step, an epitaxial regrowth is performed so as to grow a covering layer (7b) on the etched surface layer (7a). The material of the surface layer, (7a) and the material of the covering layer (7b) include at least one Group III element and nitrogen.
摘要翻译：本发明涉及由III / N族材料制成的电子器件及其制造方法，其包括通过在以下连续层的衬底层（1）上外延生长： - 适于包含电子气; - 阻挡层（4）; 和 - 表面层（7a），所述方法还包括用于表面层（7a）的至少一部分的蚀刻步骤。在蚀刻步骤之后，进行外延再生长，以便在蚀刻的表面层（7a）上生长覆盖层（7b）。表面层（7a）的材料和覆盖层（7b）的材料包括至少一种III族元素和氮。

2. 发明申请

WO2008120094A3 ELECTRONIC DEVICE WITH IMPROVED OHMIC CONTACT 审中-公开
标题翻译：具有改进的欧姆接触的电子装置
公开(公告)号：WO2008120094A3
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/IB2008000788
申请日：2008-03-25
申请人： PICOGIGA INTERNAT , LAHRECHE HACENE
发明人： LAHRECHE HACENE
IPC分类号： H01L29/417 , H01L21/265 , H01L21/285 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/41725 , H01L29/66462 , H01L29/778
摘要： The invention relates to an electronic device successively comprising from its base to its surface: - a support layer (1), - a channel layer (3) to contain an electron gas, - a barrier layer (4) - at least one ohmic contact electrode (5) formed by a superposition of metallic layers a first layer of which is in contact with the barrier layer (4). The device is remarkable in that the barrier layer (4) presents a region called contact region (10), under the ohmic contact electrode(s) (5), which region comprises at least one metal selected from the metals forming said superposition of metallic layers, and in that a local alloying (12) binds the contact region (10) and the first layer of the electrode (5).
摘要翻译：本发明涉及一种电子器件，所述电子器件从其基底至其表面依次包括： - 支撑层（1）， - 含有电子气的沟道层（3）， - 阻挡层（4） - 至少一个欧姆接触电极（5）由金属层叠加而形成，金属层的第一层与阻挡层（4）接触。该器件的显着之处在于，阻挡层（4）在欧姆接触电极（5）下面具有被称为接触区域（10）的区域，该区域包含选自形成所述金属叠合的金属中的至少一种金属并且局部合金化（12）结合接触区域（10）和电极（5）的第一层。

3. 发明申请

WO2008120094A2 ELECTRONIC DEVICE WITH IMPROVED OHMIC CONTACT 审中-公开
标题翻译：具有改进OHMIC接触的电子设备
公开(公告)号：WO2008120094A2
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/IB2008000788
申请日：2008-03-25
申请人： PICOGIGA INTERNAT , LAHRECHE HACENE
发明人： LAHRECHE HACENE
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/41725 , H01L29/66462 , H01L29/778
摘要： The invention relates to an electronic device successively comprising from its base to its surface: - a support layer (1), - a channel layer (3) to contain an electron gas, - a barrier layer (4) - at least one ohmic contact electrode (5) formed by a superposition of metallic layers a first layer of which is in contact with the barrier layer (4). The device is remarkable in that the barrier layer (4) presents a region called contact region (10), under the ohmic contact electrode(s) (5), which region comprises at least one metal selected from the metals forming said superposition of metallic layers, and in that a local alloying (12) binds the contact region (10) and the first layer of the electrode (5).
摘要翻译：本发明涉及一种从其基底到其表面依次包括的电子器件： - 支撑层（1）， - 包含电子气体的通道层（3）， - 阻挡层（4） - 至少一个欧姆接触电极（5）通过金属层的叠加形成，其第一层与阻挡层（4）接触。该装置是显着的，其中阻挡层（4）在欧姆接触电极（5）下方具有称为接触区域（10）的区域，该区域包括选自形成金属叠加金属的金属中的至少一种金属并且局部合金化（12）结合接触区域（10）和电极（5）的第一层。

4. 发明申请

WO2006000691A1 SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：混合外延支持及其制作方法
公开(公告)号：WO2006000691A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：PCT/FR2005/001353
申请日：2005-06-02
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , FAURE, Bruce , LAHRECHE, Hacene
发明人： FAURE, Bruce , LAHRECHE, Hacene
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： C30B33/00 , C30B29/36 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/76254 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： Procédé de réalisation d'un support d'épitaxie, comportant la formation, dans un premier substrat (2) de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN) monocristallin conducteur, d'une couche (14) de carbure de silicium monocristallin isolant ou de nitrure de gallium monocristallin isolant. Le procédé comprend en outre le report de cette couche de carbure de silicium ou de nitrure de gallium monocristallin sur un deuxième substrat (4) en matériau céramique polycristallin ayant une conductivité thermique supérieure ou égale à 1,5 W.cm -1 .K -1 . Ce procédé permet de réaliser des composants électroniques économiques et performants, notamment pour des applications haute-fréquences de puissance.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造外延支撑件的方法，包括在第一单晶导电碳化硅（SiC）或单晶氮化镓（GaN）衬底，绝缘单晶碳化硅或绝缘单晶氮化镓层中形成。该方法还包括将所述单晶碳化硅或氮化镓层转移到由多晶陶瓷材料制成的第二衬底（4）上，所述多晶陶瓷材料具有不小于1.5W / cm 2的热导率。 -1 。该方法能够制造经济和有效的电子部件，特别是用于电力高频应用。

5. 发明申请

WO2009118244A1 METHOD FOR MANUFACTURING A LAYER OF GALLIUM NITRIDE OR GALLIUM AND ALUMINUM NITRIDE 审中-公开
标题翻译：制备氮化铝或铝和氮化铝层的方法
公开(公告)号：WO2009118244A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/EP2009/052881
申请日：2009-03-11
申请人： PICOGIGA INTERNATIONAL , LAHRECHE, Hacene
发明人： LAHRECHE, Hacene
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02458 , H01L21/02376 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/02631
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a crack-free monocrystalline layer (5) of nitride with a composition of Al x Ga- 1-x N, where 0 ≤ x ≤ 0.3, on a substrate (1 ) likely to generate tensile stress in the layer, said method comprising the following steps: a) the formation, on the substrate (1), of a nucleation layer (2) b) the formation, on the nucleation layer (2), of a monocrystalline intermediate layer (3) c) the formation, on the intermediate layer (3), of a monocrystalline seed layer (4) d) the formation, on the seed layer (4), of the monocrystalline layer (5) of Al x Ga- 1-x N nitride, This method is characterized in that: - the material of the intermediate layer (3) is aluminum and gallium nitride; - the material of the seed layer (4) is an AIBN compound in which the boron content is between 0 and 10%; - the ratio between the thickness of the seed layer (4) and the thickness of the intermediate layer (3) is between 0.05 and 1; - the temperature of forming the seed layer (4) is 50 to 150°C higher than the temperature of forming said crack-free monocrystalline layer (5) of Al x Ga 1-x N nitride.
摘要翻译：本发明涉及一种在具有Al x Ga 1-x N组成的氮化物的无裂纹单晶层（5）的方法，其中0 = x = 0.3，在基板（1）上可能会产生拉伸应力所述方法包括以下步骤：a）在基底（1）上形成成核层（2）b）在成核层（2）上形成单晶中间层（3）c ）在单晶种子层（4）的中间层（3）上形成d）在Al x Ga 1-x N氮化物的单晶层（5）的种子层（4）上形成该方法其特征在于： - 中间层（3）的材料是铝和氮化镓; - 种子层（4）的材料是其中硼含量在0和10％之间的AIBN化合物; - 种子层（4）的厚度与中间层（3）的厚度之间的比率在0.05和1之间; - 形成种子层（4）的温度比形成Al x Ga 1-x N氮化物的无裂纹单晶层（5）的温度高50至150℃。

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