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    • 1. 发明申请
    • 光半導体用基板
    • 光学半导体基板
    • WO2005036705A1
    • 2005-04-21
    • PCT/JP2004/013766
    • 2004-09-21
    • 株式会社 東芝東芝マテリアル株式会社白井 隆雄中村 美保
    • 白井 隆雄中村 美保
    • H01S5/022
    • H01S5/02476H01L33/641H01L2924/0002H01S5/02272Y10T428/1086H01L2924/00
    •  本発明の光半導体用基板は、絶縁性セラミックス基板と、前記絶縁性セラミックス基板上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられ、Sn単体またはSnを50重量%以上含み残部が実質的にAuからなるはんだ層と、前記はんだ層上に設けられ、厚さが0.01μm以上、1μm以下であるAuまたはAgからなる保護層とを具備するものである。このような光半導体用基板とすることにより、僅かな応力により結晶欠陥が発生しやすい光半導体を接合する際あるいはその後の使用時に、光半導体に加わる応力を極力少なくし、結晶欠陥の発生を抑制し寿命を延ばすことができる。
    • 公开了一种用于光学半导体的衬底,其包括绝缘陶瓷衬底,形成在绝缘陶瓷衬底上的金属层,形成在金属层上的焊料层,其仅由Sn或不小于50重量%的Sn组成,余量 基本上由Au形成,并且形成在焊料层上的保护层,其厚度为0.01-1μm,由Au或Ag组成。 通过具有这种结构,用于光学半导体的基板能够显着地降低施加到光学半导体的应力,其中当光学半导体被接合到基板上时,或者当光学半导体被接合时,即使是很小的应力也可能引起晶体缺陷 半导体加入后正在使用。 因此,可以抑制光半导体中的晶体缺陷的发生,从而延长光半导体的寿命。