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1. 发明申请

WO2012176839A1 裏面電極型太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：制造后面电极型太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2012176839A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2012/065864
申请日：2012-06-21
申请人：シャープ株式会社 , 浅野直城
发明人：浅野　直城
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：　本発明に係る裏面電極型太陽電池（１）の製造方法は、第１導電型のドーパントを含む第１裏面側パッシベーション膜（１１）を形成する工程と、第２導電型のドーパントを含む膜（３１）を形成する工程と、シリコン基板（４）を熱処理することにより、第１導電型のドーパントが第１裏面側パッシベーション膜（１１）からシリコン基板（４）の一部に拡散されて第１導電型の半導体領域（９）が形成され、第２導電型のドーパントが第２導電型のドーパントを含む膜（３１）からシリコン基板（４）のうち第１導電型のドーパントが拡散される領域とは異なる領域の少なくとも一部に拡散されて第２導電型の半導体領域（１０）が形成される工程と、第２導電型のドーパントを含む膜（３１）を除去する工程と、第２裏面側パッシベーション膜（１２）を形成する工程とを備えることにより、第１裏面側パッシベーション膜を別途設ける必要が無く、また第１導電型のドーパントを拡散させてｎ＋領域（９）を形成すると同時に第２導電型のドーパントを拡散させてｐ＋領域（１０）を形成することができる。
摘要翻译：公开了一种制造背面电极型太阳能电池（1）的方法，包括：形成包括第一导电型掺杂剂的第一背面侧钝化膜（11）的步骤; 形成含有第二导电型掺杂剂的膜（31）的步骤; 通过硅衬底（4）的热处理，第一导电型半导体区域（9）由第一背面侧钝化膜（11）分散在第一导电型半导体区域中的一部分硅形成，基板（4）和第二导电型半导体区域（10）由在硅基板（4）的至少一部分区域中从含有第二导电型掺杂剂的膜（31）分散的第二导电型掺杂剂形成，与第一导电型掺杂剂分散的区域不同; 去除含有第二导电型掺杂剂的膜（31）的步骤; 以及形成第二后表面侧钝化膜（12）的步骤。以这种方式，可以通过分散第二导电型掺杂剂而不需要单独提供第一后面侧钝化膜来形成p +区域（10），并且在通过分散体形成n +区域（9）的同时，的第一导电型掺杂剂。

2. 发明申请

WO2007020833A1 マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：掩模膏，其生产方法和使用掩模膏制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2007020833A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315632
申请日：2006-08-08
申请人：シャープ株式会社 , 浅野直城 , 舩越康志
发明人：浅野直城 , 舩越康志
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/266 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/06 , H01L21/32 , H01L31/03529 , Y02E10/50
摘要：　半導体基板（１０）にｐ型ドーパント（３１）およびｎ型ドーパント（３２）を拡散させ、高濃度ｐドーピング領域（１２）および高濃度ｎドーピング領域（１３）を形成する際に拡散制御用マスク（３３）として用いられるマスキングペースト（３０）において、少なくとも溶剤、増粘剤、および、ＳｉＯ 2 前駆体および／またはＴｉＯ 2 前駆体を含むマスキングペースト（３０）を提供する。また、マスキングペースト（３０）を半導体基板（１０）にパターン形成した後、ｐ型ドーパント（３１）およびｎ型ドーパント（３２）を拡散させることを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
摘要翻译：披露了当半导体衬底（10）掺杂有p型掺杂剂（31）和n型掺杂剂（32）时用作掩模（33）的掩模膏（30），用于控制扩散，高浓度p掺杂区域（12）和高浓度n掺杂区域（13）。掩模膏（30）至少含有溶剂，增稠剂和SiO 2前体和/或TiO 2前体。还公开了一种制造太阳能电池的方法，其中在掩模膏（30）的图案形成之后，在半导体衬底（10）上形成有p型掺杂剂（31）和n型掺杂剂（32）底物。

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