专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2008149631A1 プラスチック製光学素子及びプラスチック製光学素子の製造方法审中-公开
标题翻译：塑料光学装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008149631A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/058471
申请日：2008-05-07
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 福田和浩
发明人：有田浩了 , 福田和浩
IPC分类号： G02B1/10 , G02B1/04 , G02B3/00 , G11B7/135 , G11B7/22
CPC分类号： G02B3/00 , B29D11/00865 , G02B1/105 , G02B1/14 , G11B7/1374 , G11B33/1406
摘要：　本発明は、優れたガスバリア性能を有し、かつ高温環境および急激な環境条件変化下で使用してもガスバリア性能の劣化が少ないプラスチック製光学素子とその製造方法を提供する。このプラスチック製光学素子は、表面全面にガスバリア性を有する膜を設けたプラスチック製光学素子において、表面の光路以外の領域Ｂの少なくとも一部が、表面の光路領域Ａに設けたガスバリア性を有する膜よりも展性が大きいガスバリア性を有する膜を有することを特徴とする。
摘要翻译：公开了具有优异的阻气性的塑料光学器件，即使在高温条件下使用器件或突然变化的环境条件下也难以劣化。还公开了一种用于制造这种塑料光学器件的方法。具体公开了一种在其整个表面上设置有阻气膜的塑料光学装置。该塑料光学元件的特征在于，表面上的光路以外的区域B的至少一部分具有比设置在表面上的光路区域A上的阻气膜更大的延展性的阻气膜。

2. 发明申请

WO2002063468A1 組込み用ソフトウェアモジュール审中-公开
标题翻译：不兼容的软件模块
公开(公告)号：WO2002063468A1
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/JP2002/001050
申请日：2002-02-07
申请人：富士通テン株式会社 , 有田浩 , 池添朗 , 八木潔 , 高橋稔 , 深澤健
发明人：有田浩 , 池添朗 , 八木潔 , 高橋稔 , 深澤健
IPC分类号： G06F9/06
CPC分类号： G06F9/44521
摘要： An incorporatable software module in which the usable memory capacity and its processing real time properties are strictly limited and the software successibility is improved. The software module incorporated in a device so as to control the device comprises a publicity module (1) for updating a data value to be made public, an intermediate module (3) for converting the data value of a predetermined format updated by the intermediate module into a data value of a predetermined data format adapted to the referring side, and a referring module (2) for referring to the data value of the predetermined data format converted by the intermediate module. The software module performs a publicizing/referring processing between the modules by means of the modules.
摘要翻译：一种可集成的软件模块，其中可用的存储器容量及其处理实时属性被严格限制并且软件可靠性得到改善。包含在设备中以控制设备的软件模块包括：用于更新要公开的数据值的宣传模块（1），用于转换由中间模块更新的预定格式的数据值的中间模块（3）转换为适于参考侧的预定数据格式的数据值，以及用于参考由中间模块转换的预定数据格式的数据值的参考模块（2）。软件模块通过模块执行模块之间的公开/引用处理。

3. 发明申请

WO2012172938A1 電子デバイスの検査方法及び電子デバイス検査装置审中-公开
标题翻译：检查电子设备和电子设备检查装置的方法
公开(公告)号：WO2012172938A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/JP2012/063126
申请日：2012-05-23
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 増田修
发明人：有田　浩了 , 増田　修
IPC分类号： H05B33/12 , G01R31/00 , H01L31/04 , H01L51/50
CPC分类号： G01R1/02 , G01R31/01 , G02F1/1309 , G09G3/006 , G09G3/3208 , H01L22/30 , H02S50/10 , Y02E10/542
摘要：　電子デバイスの検査方法において、電子デバイスを連続して搬送させつつ、当該電子デバイスに対して通電する通電手段を用いて通電することにより電気特性検査を行う。
摘要翻译：提供一种电子设备的检查方法，其中通过使用传导装置来执行电特性的检查，以在电子设备被连续传送的同时将电流传递到电子设备。

4. 发明申请

WO2012029541A1 薄膜積層体审中-公开
标题翻译：薄膜层压板
公开(公告)号：WO2012029541A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/JP2011/068593
申请日：2011-08-17
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 鈴木一生 , 大石清
发明人：有田　浩了 , 鈴木　一生 , 大石　清
IPC分类号： B32B5/14 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C16/40 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/545
摘要：　本発明は、高膜密度、高膜硬度で、基材と構成層間の密着性に優れ、フレキシブルな基材上においてもクラック等の発生が低減された薄膜積層体を提供する。この薄膜積層体は、２つ以上の高膜密度領域の両側に厚さ方向で連続的に膜密度が低下する領域を有する構造体Ａにより構成される構成単位Ａを有する薄膜積層体において、該構成単位Ａを構成する構造体Ａは、厚さλ（ｎｍ）が、１．０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下で、膜密度比ρ Ｔ（ｎ）／ρ Ｂ（ｎ）（ρ Ｔ（ｎ）はｎ番目の構造体内の最大膜密度、ρ Ｂ（ｎ）はｎ番目の構造体内の最小膜密度を示し、ｎは整数を示す）が、１．０３以上、１．５０以下であり、該構成単位Ａ内での最大膜密度と最小膜密度の差である最大振幅Δρ（ｇ／ｃｍ３）が、０．０３以上、１．５０以下であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种薄膜层压体，其具有高的膜密度，高的膜硬度和优良的基体与构成层之间的粘附性，并且即使在柔性基底上也发生裂纹等。该薄膜层压体包括构成单元A，其由两个或更多个结构A构成，每个结构A在高膜密度区域的两侧具有膜密度在厚度方向上连续减小的区域。薄膜层叠体的特征在于，构成单元A的结构A的厚度λ （nm）为1.0〜500nm（含）; 结构A具有膜密度比ΔT（n）/ΔB（n）（其中ΔT（n）表示第n结构的最大膜密度，ΔB（n）表示第n结构的最小膜密度和n表示整数）为1.03-1.50（含）; 和最大振幅？构成单元A中的最大膜密度和最小膜密度之间的差为（g / cm3）为0.03-1.50（含）。

5. 发明申请

WO2008047711A1 不揮発性記憶素子アレイおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：非挥发性储存元件阵列及其制造方法
公开(公告)号：WO2008047711A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069966
申请日：2007-10-12
申请人：松下電器産業株式会社 , 三河巧 , 高木剛 , 川島良男 , 有田浩二
发明人：三河巧 , 高木剛 , 川島良男 , 有田浩二
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：　半導体チップの基板（２６）上に下部電極（２２）が形成され、下部電極（２２）の上部は第１の層間絶縁膜（２７）に覆われている。この下部電極（２２）上に第１の層間絶縁膜（２７）を貫通して形成された第１のコンタクトホール（２８）が構成され、可変抵抗膜（２４）を構成する低抵抗層（２９）が第１のコンタクトホール（２８）に埋め込まれている。さらに、第１の層間絶縁膜（２７）および低抵抗層（２９）の上には高抵抗層（３０）が形成されて、この高抵抗層（３０）と低抵抗層（２９）とを１層ずつ含む多層の抵抗層として、可変抵抗膜（２４）は構成されている。さらに、記憶部（２５）を構成する低抵抗層（２９）は、少なくとも隣接する記憶部（２５）から分離されている。
摘要翻译：在半导体芯片的基板（26）上，形成有由第一层间绝缘膜（27）覆盖的下电极（22）。在下电极（22）上形成有延伸穿过第一层间绝缘膜（27）的第一接触孔（28）。形成可变电阻膜（24）的低电阻层（29）被埋在第一接触孔（28）中。此外，在第一层间绝缘膜（27）和低电阻层（29）上形成高电阻层（30），可变电阻膜（24）构成为多层电阻膜包括一个高电阻层（30）和一个低电阻层（29）。此外，用于构成存储单元（25）的该低电阻层（29）至少与相邻的存储单元（25）分离。

6. 发明申请

WO2007026545A1 プラズマ放電処理装置及びガスバリア性フィルムの製造方法审中-公开
标题翻译：等离子体放电加工装置和气体阻隔膜的生产方法
公开(公告)号：WO2007026545A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/JP2006/316139
申请日：2006-08-17
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 尾▲崎▼ 浩司 , 福田和浩 , 有田浩了
发明人：尾▲崎▼ 浩司 , 福田和浩 , 有田浩了
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/45595 , C23C16/517 , C23C16/545 , H01J37/3277
摘要：　本発明は、表面故障を低減させ、収率が向上した高機能フィルムの製造方法及びそのための製造装置を提供する。この製造装置は、ワインダ、アンワインダ間を連続的に移送する基材の表面を、大気圧もしくはその近傍の圧力下、プラズマ放電処理するプラズマ放電処理装置であって、ワインダ、アンワインダ間にあって、前記基材の被処理面が、放電部を外部と隔てるニップローラ以外には無接触で搬送されるプラズマ放電処理装置であることを特徴とする。　また、ガスバリア性薄膜形成時の表面故障（ひび割れ故障）が低減され、高いガスバリア性を備えたガスバリア性フィルムの製造方法を提供するものであり、これは、形成されたガスバリア性フィルムのガスバリア性薄膜側の、搬送中の曲率半径を７５ｍｍ以上、反対側の面の曲率半径を３７．５ｍｍ以上とすることを特徴とする。
摘要翻译：一种高功能的膜生产方法减少了表面麻烦并提高了产率，并且其生产装置。该制造装置是等离子体放电处理系统，用于在大气压或其附近的压力下在卷绕机和退绕机之间连续转印的基材的表面进行等离子体放电处理，其特征在于，待处理的表面的基材在卷绕机和退绕机之间传递，除了将排出部分与外部隔离的夹辊之外没有任何接触。一种阻气膜的制造方法，其特征在于，在形成阻气性薄膜并具有高气体阻隔性的情况下，减少了表面麻烦（破裂问题），其特征在于，在至少75mm的转印时，提供表面曲率的半径所形成的气体阻隔膜的气体阻隔薄膜侧和其相对侧的至少37.5mm的表面曲率半径。

7. 发明申请

WO2006092927A1 防汚膜及び、防汚膜の製造装置审中-公开
标题翻译：防锈膜和用于生产防锈膜的装置
公开(公告)号：WO2006092927A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/301960
申请日：2006-02-06
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 岩丸俊一 , 齋藤篤志
发明人：有田浩了 , 岩丸俊一 , 齋藤篤志
IPC分类号： C23C16/42 , B05D7/24 , C08J7/00 , C23C14/12 , G02B1/10 , G02F1/1333
CPC分类号： G02B1/18 , B05D1/62 , B05D5/083 , C09D4/00 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/45574 , C23C16/45576 , C23C16/45595 , C23C16/545 , G02B1/105 , C08G77/24
摘要：　本発明は、均一性が高く、かつ優れた撥水性、撥油性、皮脂やインクの拭き取り性及びその繰り返し耐久性等、防汚性能に優れた防汚膜をバラツキなく再現よく得ることにある。このために、防汚膜がフッ素原子を有する有機基を有する有機金属化合物を薄膜形成ガス原料として基材上に製膜されたもので、Ｔｏｆ－ＳＩＭＳ測定装置を用いて、負二次イオン測定した時の全検出イオン強度に対するＮＯ 3 - イオンの検出強度比が１．０×１０ -3 以下であり、かつ正二次イオン測定した時の全検出イオン強度に対するＮＨ 4 + イオンの検出強度比が１．０×１０ -4 以上であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的是以很小的变化和良好的再现性制造防污染膜，其均匀性高，并且具有优异的防水性，防水性，拒油性，擦拭皮肤脂肪的特性和墨水以及重复擦拭的耐久性。通过使用具有氟原子的有机基团的有机金属化合物作为形成薄膜的气态原料在基板上形成防污染膜，其特征在于，在使用Tof-SIMS测定的负二次离子测定装置，检测到NO 3的强度的比率

8. 发明申请

WO2006067952A1 ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材、有機ＥＬデバイス审中-公开
标题翻译：气体阻隔薄膜层压板，气体阻隔树脂基体和有机EL器件
公开(公告)号：WO2006067952A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/022323
申请日：2005-12-06
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 福田和浩
发明人：有田浩了 , 福田和浩
IPC分类号： B32B9/00 , H01L51/50 , H05B33/04
CPC分类号： H01L51/5256 , H01L51/524
摘要：　本発明は、従来よりも高いガスバリア性能を持ち、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しないガスバリア性薄膜積層体を生産性良く提供し、またこれにより環境耐性に優れた有機ＥＬデバイス（以下、ＯＬＥＤともいう）を提供する。このガスバリア性薄膜積層体は、無機膜と応力緩和膜をそれぞれ少なくとも１層有するガスバリア性薄膜積層体において、該応力緩和膜の少なくとも１層が、異なる周波数の電界を２つ以上印加した大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする。
摘要翻译：本发明公开了一种阻气薄膜层叠体，其能够以高产率制造，同时具有比常规阻气性更高的阻气性。即使层叠体弯曲，该阻气性薄膜层叠体的阻气性也不会劣化。还公开了使用阻气性薄膜层叠体的耐环境性优异的有机EL元件（以下也称为OLED）。具有至少一种无机膜和至少一种应力松弛膜的阻气薄膜层叠体的特征在于，通过施加两个以上的不同频率的电场的大气压等离子体法形成至少一个应力松弛膜。

9. 发明申请

WO2009131136A1 遮熱樹脂基材またこれを用いた建築部材审中-公开
标题翻译：加热绝缘树脂基体和建筑构件使用相同
公开(公告)号：WO2009131136A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2009/057962
申请日：2009-04-22
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 廣瀬達也
发明人：有田浩了 , 廣瀬達也
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , C23C14/06 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/45595 , C23C16/513 , C23C16/545 , C23C28/322 , C23C28/3225 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455
摘要：　本発明は、水分や酸素などの影響による白濁等を生じ難く可視光透過率が低下しにくい、長期使用また長期保管等の耐環境性能に優れ、また、ハンドリング性能に優れた遮熱樹脂基材を提供する。本発明の遮熱樹脂基材は、樹脂基材上に、少なくともＳｉまたはＡｌを含む酸化物、窒酸化物、窒化物を含む低屈折率セラミック構成層、および金、銀、銅、アルミニウムの単体もしくはこれらの合金からなる０．１ｎｍ以上３０ｎｍ未満の金属層を少なくとも１層以上含む熱線遮断構成層を順次積層したことを特徴とする。
摘要翻译：本发明公开了一种隔热树脂基材，其长时间使用和长期储存具有优异的耐环境性，并且具有优异的处理性能，其中几乎不发生由于水分，氧气等的影响引起的白浊，可见光透射率几乎不降低。隔热树脂基体的特征在于，含有至少包含Si或Al的氧化物，氮氧化物和氮化物的低折射率陶瓷构成层和包含至少一层厚度的金属层的绝热构成层不小于0.1nm但小于30nm的金，银，铜或铝作为单质或这些元素的合金依次层压在树脂基材上。

10. 发明申请

WO2007138837A1 ガスバリア性樹脂基材の製造方法及びガスバリア性樹脂基材の製造装置审中-公开
标题翻译：气体阻挡树脂衬底的生产方法和气体阻挡树脂衬底的生产系统
公开(公告)号：WO2007138837A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/JP2007/059733
申请日：2007-05-11
申请人：コニカミノルタホールディングス株式会社 , 有田浩了 , 尾▲崎▼ 浩司 , 鈴木一生 , 井宏元 , 福田和浩
发明人：有田浩了 , 尾▲崎▼ 浩司 , 鈴木一生 , 井宏元 , 福田和浩
IPC分类号： B32B9/00 , C23C16/505 , H05H1/24
CPC分类号： C23C16/545
摘要：　本発明は、接触するロールよるスリ傷の発生や異物付着を防止し、ガスバリア層への傷や異物の混入を低減し、ガス遮断性に優れたガスバリア性樹脂基材の製造方法を提供する。このガスバリア性樹脂基材の製造方法は、樹脂基材にガスバリア層を有し、一対の対向する電極と該対向する電極の間に形成された放電空間を有し、ワインダとアンワインダとの間を連続的に移送する樹脂基材が、対向する電極の少なくとも一方の電極に接しながら放電空間を通過することで、放電空間において電極に接していない面側がプラズマ処理されてガスバリア層を形成するプラズマ処理する工程と、該ワインダとアンワインダとの間を連続的に移送する樹脂基材の一方のＡ面側に、少なくとも１層のガスバリア層を形成した後、Ａ面側に離型性を有する樹脂材料をラミネートする工程と、樹脂基材の他方の面側に少なくとも１層の構成層を形成する工程とを経て製造することを特徴とする。
摘要翻译：显示优异的阻气性树脂基板的制造方法，其中防止了由于接触辊产生刮痕和外来物质的粘附而引起的阻气性树脂基材的产生，以及异物进入阻气层的损坏或混合降低。阻气性树脂基板的制造方法的特征在于，包括使具有阻气层的树脂基板在卷取机和退绕机之间连续输送的步骤，通过形成在一对相对电极之间的放电空间同时接触相对电极的至少一个电极，从而对不在接触放电空间中的电极的一侧进行等离子体处理以形成阻气层;在该第一电极的一个表面侧形成至少一个阻气层的步骤树脂基板在卷绕机和退绕机之间连续输送，然后在A表面侧层叠具有脱模性的树脂材料，以及在树脂基板的另一表面侧上形成至少一个构成层的工序。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式