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1. 发明申请

WO2008139904A1 フォトマスクブランク及びフォトマスク审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：WO2008139904A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2008/058129
申请日：2008-04-25
申请人： HOYA株式会社 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
发明人：鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖 , 野澤順 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/32 , G03F1/38
摘要：［課題］ＡｒＦエキシマレーザを用いたの露光方法に適したフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供する。［解決手段］２００ｎｍ以下の露光光波長に供されるフォトマスクの素材であり、透明基板上に遮光性膜を備えるフォトマスクブランクであって、　前記遮光性膜は、　珪素及び遷移金属を主成分として含み、膜の屈折率ｎ１が１．０～１．７、膜の消衰係数ｋ１が２．５～３．５、膜厚ｔ１が２０～５０ｎｍである遮光膜と、　前記遮光膜の上に接して形成された表面反射防止膜と、　前記遮光膜の下に接して形成され、珪素、遷移金属、酸素及び窒素を含み、膜の屈折率ｎ２が１．０～３．５、膜の消衰係数ｋ２が２．５以下、膜厚ｔ２が５～４０ｎｍである裏面反射防止膜とを備え、　ｎ１＜ｎ２又はｋ１＞ｋ２の関係、かつｔ１＞ｔ２の関係を満たし、　遮光性膜全体の膜厚が６２ｎｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种光掩模坯料和光掩模，其适用于使用ArF准分子激光的曝光方法。具体公开了一种光掩模坯料，其包括透明基板上的遮光膜，该透明基板是用于将光掩模暴露于200nm以下的曝光光的材料。该光掩模坯料的特征在于，遮光膜包括主要含有硅和过渡金属并且折射率n <1> 1.0-1.7的阻光膜，消光系数k _{1 <2.5> 2.5，厚度t <1> 20〜20nm; 形成在遮光膜的上表面上的前部防反射膜; 以及形成在遮光膜的下表面上的后部防反射膜，其具有含有硅，过渡金属，氧和氮的同时折射率n <2N> 1.0-3.5，消光系数k 2 2不大于2.5，厚度t 2 <2> 5〜5nm。该光掩模坯料的特征还在于，具有以下关系：n 1 2 N 2或k 1 k 2 2 / >和t 1＆gt; 2＆lt; 2＆lt; 2＆gt;均满足，遮光膜的总厚度不大于62nm。}

2. 发明申请

WO2009044645A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK及其制造方法
公开(公告)号：WO2009044645A1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/JP2008/067094
申请日：2008-09-22
申请人： HOYA株式会社 , 細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
发明人：細谷守男 , 野澤順 , 鈴木寿幸 , 小湊淳志 , 大久保靖
IPC分类号： G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32
摘要：　パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、デバイス上にハーフピッチ４５ｎｍ以下の高精度の微細パターンを形成するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し６原子％未満である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。
摘要翻译：提供了一种光掩模坯料，其可以在用于图案转印的曝光装置中采用高NA曝光方法时可以应对焦点深度的影响，并且具有适合于以45nm的半间距形成高精度精细图案的遮光膜或更少。还提供了一种制造光掩模的方法。光掩模坯料（10）在透光基板（1）上设置有遮光膜（2）。遮光膜（2）包括金属和硅（Si），金属的含量相对于金属和硅（Si）的总量为6原子％以下。通过干法蚀刻在光掩模坯料（10）中图案化遮光膜（2）来制造光掩模。

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