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    • 8. 发明申请
    • X線高電圧装置
    • X射线高压装置
    • WO2004105448A1
    • 2004-12-02
    • PCT/JP2004/007081
    • 2004-05-24
    • 株式会社 日立メディコ坂本 和彦高野 博司
    • 坂本 和彦高野 博司
    • H05G1/20
    • H05G1/12
    •  平滑コンデンサ12に直列に接続した半導体スイッチ13は、平滑コンデンサ12への高電圧キャパシタ17に蓄積した電荷のエネルギを高電圧変圧器15の一次側に回生する電流を流すダイオード13Dと、平滑コンデンサ12からの出力を遮断するスイッチング手段13Sを並列接続して構成しており、スイッチング手段13Sをオフした後、高圧側インバータ16のスイッチング手段161S~164Sを交番的にオンオフ制御し、高電圧キャパシタ17に蓄積した電荷のエネルギを高電圧変圧器15の寄生漏れインダクダンス15Lを利用して平滑コンデンサ12へ回生する。その結果高電圧部の構成を複雑にすることなく管電圧の波尾を高速に降下させることができるようにしたX線高電圧装置が提供される。  
    • 与平滑电容器(12)串联连接的半导体开关(13)包括用于将存储在用于平滑电容器(12)的高电压电容器(17)中的电荷的能量再生的二极管(13D)的并联连接到 高压变压器(15)的初级侧和用于切断平滑电容器(12)的输出的开关装置(13S)。 在切换装置(13S)关闭之后,高压侧逆变器(16)的开关装置(161S-164S)交替地开/关控制,并且存储在高压电容器(17)中的电荷的能量为 利用高压变压器(15)的寄生漏电感(15L)在平滑电容器(12)中再生。 因此可以提供其中可以快速降低管电压的尾部而不使高压部分的布置复杂化的X射线高压装置。