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1. 发明申请

WO2014006763A1 III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014006763A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/JP2012/067632
申请日：2012-07-04
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 梁會永 , 金眞熙 , 盧虎均 , 文細榮 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 張　弼國 , 梁　會永 , 金　眞熙 , 盧　虎均 , 文　細榮 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/54
摘要：　発光出力を向上させたIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。　本発明のIII族窒化物半導体発光素子１００は、ｉ層１０６、ｎ層１０８、発光層１１０およびｐ層１１２をこの順に有する半導体構造部１１４と、ｐ層１１２および発光層１１０を貫通する凹部１１７の底でｎ層１０８上に設けられたｎ側コンタクト層１１８と、ｐ層１１２上に設けられたｐ側コンタクト層１２０と、を有する。第２サポート体１３８は、半導体構造部１１４のｐ層１１２側に設けられ、ｐ側コンタクト層１２０と接触して第２電極として機能するとともに、支持体の一部となる。第１サポート体１３６も、半導体構造部１１４のｐ層１１２側に設けられ、ｎ側コンタクト層１１８と電気的に接続する第１電極として機能する。そして、素子１００はｉ層１０６が光取り出し面となることを特徴とする。
摘要翻译：提供了改善发光输出的III族氮化物半导体发光元件，以及用于制造所述III族氮化物半导体发光元件的方法。该III族氮化物半导体发光元件（100）具有：具有i层（106），n层（108），发光层（110）和ap层（...）的半导体结构部（114） 112）设置在穿透p层（112）和发光层（110）的凹部（117）的底部的n层（108）上的n侧接触层（118）。和设置在p层（112）上的p侧接触层（120）。第二支撑体（138）朝向半导体结构部件（114）的p层（112）设置，通过与p侧接触层（120）接触而用作第二电极，并且成为第一个支撑体。第一支撑体（136）也朝向半导体结构部分（114）的p层（112）设置，并且用作电连接到n侧接触层（118）的第一电极。元件（100）的特征在于，i层（106）用作光提取表面。

2. 发明申请

WO2014006655A1 III族窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014006655A1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：PCT/JP2012/004344
申请日：2012-07-04
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 梁會永 , 金眞熙 , 盧虎均 , 文細榮 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 張　弼國 , 梁　會永 , 金　眞熙 , 盧　虎均 , 文　細榮 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L23/12 , H01L27/15
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/28132 , H01L21/28158 , H01L21/3086 , H01L29/452 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要：　より放熱性の高いIII族窒化物半導体素子と、かようなIII族窒化物半導体素子をより高い歩留まりで作製することが可能なIII族窒化物半導体素子の製造方法とを提供する。　本発明のIII族窒化物半導体素子１００の製造方法は、成長用基板の上に、ｎ層１０８、活性層１１０およびｐ層１１２を順次積層してなる半導体構造部１１４を形成し、半導体構造部１１４のｐ層側に、ｎ層と電気的に接続してｎ側電極として機能する第１サポート体１３６と、ｐ層と電気的に接続してｐ側電極として機能する第２サポート体１３８と、第１および第２サポート体１３６，１３８を絶縁する絶縁体からなる構造物１２８，１４０と、からなる支持体１４６を形成し、リフトオフ法を用いて前記成長用基板を剥離する。第１サポート体１３６および第２サポート体１３８は、メッキにより成長させる。
摘要翻译：提供具有优异的散热性能的III族氮化物半导体元件。还提供了一种用于制造III族氮化物半导体元件的方法，通过该方法可以以更高的产率产生上述III族氮化物半导体元件。用于制造III族氮化物半导体元件的方法包括：在用于生长的衬底上形成通过依次层叠n层（108），有源层（110）和ap层形成的半导体结构部分（114）（112）; 在所述半导体结构部分（114）的p层侧上形成支撑体（146），所述支撑体包括与n层电连接并用作n侧电极的第一支撑体（136），第二支撑体支撑体（138），其电连接到p层并用作p侧电极;以及结构（128,140），其由用于绝缘第一和第二支撑体（136,138）的绝缘体形成， ; 并通过剥离法剥离生长用基板。通过沉积生长第一支撑体（136）和第二支撑体（138）。

3. 发明申请

WO2013094083A1 III族窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013094083A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/JP2012/003431
申请日：2012-05-25
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20
摘要：　任意の基板に実装後にIII族窒化物半導体層にクラックが生じにくいIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。　本発明のIII族窒化物半導体素子１００は、Ｃｕを主材料とする導電性サポート体１２２Ａと、該導電性サポート体上に設けられたIII族窒化物半導体層１１０と、を有し、前記導電性サポート体の厚みＬｓが１４０μｍ以上であり、かつ、前記III族窒化物半導体層の厚みＬが６μｍ以上であることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种III族氮化物半导体元件，其中在安装在给定衬底上之后，在III族氮化物半导体层上不太可能形成裂纹。还提供了用于制造所述III族氮化物半导体元件的方法。该III族氮化物半导体元件（100）设置有以Cu为主要材料的导电性支撑体（122A）和配置在导电性支撑体上的III族氮化物半导体层（110），其中，导电支撑体为140μm以上，III族氮化物半导体层的厚度（L）为6μm以上。

4. 发明申请

WO2011055462A1 ＩＩＩ族窒化物半導体縦型構造ＬＥＤチップならびにその製造方法审中-公开
标题翻译： III氮化物半导体垂直型结构LED芯片及其生产工艺
公开(公告)号：WO2011055462A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：PCT/JP2009/069230
申请日：2009-11-05
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 鳥羽隆一 , 豊田達憲 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 張　弼國 , 鳥羽　隆一 , 豊田　達憲 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要：　発光構造部にクラックの少ない、高品質の縦型ＬＥＤチップおよびその製造方法を提供する。　成長用基板の上に、第１伝導型のIII族窒化物半導体層、発光層および前記第１伝導型とは異なる第２伝導型のIII族窒化物半導体層を順次積層して発光構造積層体を形成する発光構造積層体形成工程と、前記成長用基板の一部が露出するよう、前記発光構造積層体の一部を除去することで、独立した複数個の発光構造部を形成する発光構造部形成工程と、前記複数個の発光構造部に導電性サポート部を接続するための接続層を形成する工程と、前記接続層を介して下部電極を兼ねる導電性サポート部を形成する工程と、前記成長用基板を前記複数個の発光構造部からリフトオフする剥離工程と、前記発光構造部間で前記サポート部を切断することにより、各々が前記発光構造部を有する複数個のＬＥＤチップに個片化する切断工程とを具え、前記発光構造部形成工程は、前記複数個の発光構造部の各々の平面が、円またはコーナーに丸みを有する４ｎ角形状(ｎは正の整数とする。)となるよう、前記発光構造積層体の一部を除去することを含むことを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种在发光结构部分中很少发生裂纹并具有高质量的垂直型LED芯片; 以及制造该LED芯片的工序。该方法包括：层叠第一导电型III族氮化物半导体层，发光层和第二导电型III族氮化物半导体层的发光结构层压体形成步骤（其类型不同于第一导电型）依次层叠在用于生长目的的基板上，从而形成发光结构层压体; 发光结构部分形成步骤，去除发光结构层压体的一部分，使得用于生长目的的基板的一部分被暴露，从而形成多个分离的发光结构部件; 形成连接层的步骤，通过所述连接层将导电支撑部分连接到所述多个发光结构部件; 形成能够通过连接层作为下电极的导电支撑部的步骤; 剥离步骤，从多个发光结构部件进行用于生长目的的基板的剥离; 以及切割步骤，切割发光结构部分之间的支撑部分，从而产生各自具有发光结构部分的多个LED芯片。该方法的特征在于，发光结构部分形成步骤包括以这样的方式去除一部分发光结构层压体，使得多个发光结构部件的每个平面具有圆形或具有圆角的4n形状（其中n表示正整数）。

5. 发明申请

WO2013046267A1 半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013046267A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2011/005485
申请日：2011-09-28
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L21/306 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02365 , H01L21/78 , H01L29/0603 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20
摘要：　半導体構造部のコーナー近傍から中央部に伸展するＸ型のクラックだけでなく、中央部分に生じる点状のクラックの発生をも抑制した高品質の半導体素子、および該半導体素子を製造する方法を提供する。　本発明の半導体素子の製造方法は、成長用基板１０１の上にリフトオフ層１０２を介して半導体積層体１０３を形成し、これに対して格子状の溝１０８を設けることで、横断面形状が略四角形の半導体構造部１０７を複数個形成し、さらに導電性サポート部１１２を形成した後、ケミカルリフトオフ法を用いて、リフトオフ層１０２を除去する工程を有し、この工程において、導電性サポート体１１２の溝１０８の上方に位置する部分に設けた貫通孔１１４から溝１０８へエッチング液を供給するにあたり、それぞれの半導体構造部１０７の１つの側面１１７Ａのみからリフトオフ層のエッチングを進行させることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种高品质的半导体元件和半导体元件的制造方法，其中在半导体结构部分的中心部分出现点状裂纹，以及从拐角附近延伸的x形裂纹的半导体结构部分朝向中心部分被减轻。该半导体元件制造方法包括：在生长基板（101）上形成半导体堆叠（103）的步骤，其间具有剥离层（102），形成多个具有大致正方形横截面的半导体结构部件（107），半导体结构部件在所述半导体堆叠（103）上设置格子状沟槽（108），形成导电支撑体（112），然后利用化学剥离技术去除所述剥离层（102）。在该步骤中，当从布置在位于沟槽（108）上方的导电支撑体（112）的部分的通孔（114）向凹槽（108）供应蚀刻流体时，剥离层的蚀刻为从各个半导体结构部分（107）的仅一个侧面（117A）推进。

6. 发明申请

WO2012153370A1 III族窒化物半導体縦型構造ＬＥＤチップおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：第III组氮化物半导体垂直配置LED芯片及其制造方法
公开(公告)号：WO2012153370A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/JP2011/002657
申请日：2011-05-12
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 張弼國 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 張　弼國 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要：　本発明は、発光構造部に生じるクラックを抑制した、高品質のIII族窒化物半導体縦型構造ＬＥＤチップをより効率的に製造する方法を提供する。　本発明のIII族窒化物半導体縦型構造ＬＥＤチップの製造方法は、成長用基板の上にリフトオフ層を介して、第１伝導型のIII族窒化物半導体層、発光層および前記第１伝導型とは異なる第２伝導型のIII族窒化物半導体層を順次積層して発光構造積層体を形成する第１工程と、前記成長用基板の一部が露出するよう、前記発光構造積層体の一部を除去することで、独立した複数個の発光構造部を形成する第２工程と、下部電極を有し、前記複数個の発光構造部を一体支持する導電性サポート体を形成する第３工程と、ケミカルリフトオフ法を用いて、前記リフトオフ層を除去することで、前記成長用基板を前記複数個の発光構造部から剥離する第４工程と、前記発光構造部間で前記導電性サポート体を分離することにより、各々が導電性サポート体に支持された前記発光構造部を有する複数個のＬＥＤチップに個片化する第５工程と、を有し、前記第４工程より前に、前記発光構造部の中央領域に、少なくとも前記リフトオフ層が露出するまで貫通する第１貫通孔を形成し、前記第４工程で該第１貫通孔からエッチング液を供給することを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供了一种制造高质量III族氮化物半导体垂直结构LED芯片的更有效的方法，从而减轻了发光结构单元中出现的裂纹。制造III族氮化物半导体垂直结构LED芯片的方法包括：形成发光结构层叠体的第一步骤，其中第一导电III族氮化物半导体层，发光层和第二导电III族氮化物半导体与第一导电层不同的层按顺序堆叠在生长基板上，其间具有剥离层; 第二步骤，通过去除所述发光结构层叠体的一部分使得所述生长衬底的一部分露出来形成多个隔离的发光结构单元; 形成具有下部电极并一体地支撑所述多个发光结构单元的导电支撑体的第三步骤; 通过使用化学提取方法从多个发光结构单元剥离生长衬底以去除剥离层的第四步骤; 以及将具有发光结构单元的多个LED芯片分段的第五步骤，所述发光结构单元通过在所述发光结构单元之间分离所述导电支撑体而由所述导电支撑体支撑。在第四步骤之前，在至少穿过至少露出剥离层的发光结构单元的中心区域中形成第一通孔。在第四步骤中经由第一通孔供给蚀刻流体。

7. 发明申请

WO2014027380A1 III族窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：第III类氮化物半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014027380A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/JP2012/005158
申请日：2012-08-14
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L23/34 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L33/40 , H01L2224/2908 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/81801 , H01L2224/83001 , H01L2224/83002 , H01L2924/3512
摘要：　任意の基板に実装後にIII族窒化物半導体層にクラックが生じにくく、かつ、加熱ハンダ実装による順方向電圧の増加が抑制されたIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。　本発明のIII族窒化物半導体素子１００は、主のＣｕメッキ層１３０を含み、Ｃｕを主材料とする導電性サポート体１２２Ａと、導電性サポート体１２２Ａ上のメッキシード層１１４と、メッキシード層１４４上のIII族窒化物半導体層１１０と、を有する。主のＣｕメッキ層１３０とIII族窒化物半導体層１１０との間において、導電性サポート体１２２Ａおよびメッキシード層１１４の少なくとも一方が、第１の遷移金属からなる第１層１３４Ａ，１３６Ａ、および、第１の遷移金属と異なる第２の遷移金属からなる第２層１３４Ｂ，１３６Ｂを交互に複数回積層した積層体１３４，１３６を含むことを特徴とする。
摘要翻译：提供一种III族氮化物半导体元件，其中在安装在任意基板上之后，在III族氮化物半导体层中不太可能发生裂纹，并且抑制了由于加热焊接引起的正向电压的增加。还提供了用于制造III族氮化物半导体元件的方法。该III族氮化物半导体元件（100）具有导电性支持体（122A），其包含主Cu镀层（130），以Cu为主要成分。在导电支撑体（122A）上的电镀种子层（114）; 和电镀种子层（114）上的III族氮化物半导体层（110）。本发明的特征在于，在主Cu镀层（130）和III族氮化物半导体层（110）之间，导电支撑体（122A）和/或电镀种子层（114）包括层状体（134， 136），其中由第一过渡金属制成的多个第一层（134A，136A）和由不同于第一过渡金属的第二过渡金属制成的多个第二层（134B，136B）交替层叠。

8. 发明申请

WO2013094078A1 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体素子結合体审中-公开
标题翻译：半导体元件，其制造方法和半导体元件的组合
公开(公告)号：WO2013094078A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/JP2011/080548
申请日：2011-12-21
申请人：ウェーブスクエア,インコーポレイテッド , DOWAエレクトロニクス株式会社 , ▲チョ▼ 明煥 , 李錫雨 , 鳥羽隆一 , 門脇嘉孝
发明人： ▲チョ▼　明煥 , 李　錫雨 , 鳥羽　隆一 , 門脇　嘉孝
IPC分类号： H01L21/306 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20
摘要：　本発明の半導体素子の製造方法は、成長用基板の上にリフトオフ層を介して半導体層を形成する工程と、溝を形成することで半導体構造部を複数個形成する工程と、溝を充填材で塞ぐ工程と、メッキシード層を形成するシード形成工程と、該シード形成工程後に、溝の上方に、網目状のレジストを形成する工程と、レジストに覆われず露出したメッキシード層からメッキ層を成膜して導電性サポート体を形成する工程であって、導電性サポート体がレジストの上に凹みを有し、かつ、レジストの交差部位上に孔を有するようにメッキ層を成膜する工程と、充填材およびレジストの、少なくとも一部を除去する工程と、孔を介して空隙を供給するエッチング液によりリフトオフ層を除去する工程と、凹みに沿って導電性サポート体を切断して複数個の半導体素子に個片化する工程とを有する。
摘要翻译：该半导体元件的制造方法包括：在生长基板上形成半导体层的步骤，其间具有剥离层; 通过形成凹槽来生产多个半导体结构的步骤; 用填充物填充槽的步骤; 用于形成电镀种子层的种子形成步骤; 在种子形成步骤之后在沟槽上形成网状抗蚀剂的步骤; 通过从不被抗蚀剂覆盖而暴露的电镀种子层形成镀层来形成导电性支撑体的步骤，所述镀层形成为使得导电性支撑体在其上方具有凹状抗蚀剂，在抗蚀剂的交叉点形成孔; 用于除去填料和抗蚀剂的至少一部分的步骤; 通过用于通过孔形成空间的蚀刻溶液去除剥离层的步骤; 以及通过沿着凹部切割导电支撑体来将导电支撑体分裂成多个半导体元件的步骤。

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