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81. 发明申请

WO2016090690A1 一种LTPS像素单元及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016090690A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/CN2014/095385
申请日：2014-12-29
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：胡宇彤 , 杜鹏
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78675 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要：提供一种低温多晶硅（LTPS）像素单元及其制造方法，该方法包括以下步骤：在基板（11）上形成缓冲层（12）；在缓冲层（12）上形成半导体图案（14）和公共电极图案（15）；在半导体图案（14）上依次形成第一绝缘层（16）、栅极图案（17）和第二绝缘层（18）；在第二绝缘层（18）上形成源极图案（19）和漏极图案（110），源极图案（19）和漏极图案（110）经第一绝缘层（16）和第二绝缘层（18）上的第一接触孔（M1）与半导体图案（14）电连接；在第二绝缘层（18）上形成像素电极图案（112），像素电极图案（112）与源极图案（19）或漏极图案（110）电连接。由此，可以节省成本，并提高制程良率。

82. 发明申请

WO2016070505A1 AMOLED背板的制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016070505A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/CN2015/072350
申请日：2015-02-06
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：徐源竣
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2227/323
摘要：提供一种AMOLED背板的制作方法，在图案化第一金属层形成第一栅极(61)、第二栅极(63)及电极板(65)后，以图案化的第一金属层为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型轻掺杂；再沉积绝缘层(7)，对绝缘层(7)进行非等向性蚀刻，形成阻隔物(71)，以图案化的第一金属层与阻隔物(71)为遮蔽层对图案化的多晶硅层进行N型重掺杂，从而在第一栅极(61)的两侧于阻隔物(71)的正下方形成轻掺杂漏极区域(N-)，能够使得开关TFT沟道区域两侧的轻掺杂漏极区域(N-)对称，可缩短轻掺杂漏极区域(N-)的长度，增大导通电流，有效降低光电流，且节省一道光罩，降低成本。

83. 发明申请

WO2015168961A1 薄膜晶体管阵列基板制造方法及薄膜晶体管阵列基板审中-公开
公开(公告)号：WO2015168961A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/CN2014/077626
申请日：2014-05-16
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：戴天明
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/34
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/28088 , H01L21/28158 , H01L21/34 , H01L27/1296 , H01L29/167 , H01L29/401 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2227/323
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。制造方法包括在基板（20）上形成多晶硅层（22）与栅极绝缘层（23），栅极绝缘层（23）上形成金属氧化物层（26），金属氧化物层（26）上形成栅极金属层，刻蚀栅极金属层定义栅极（24），以栅极（24）作为第二光罩刻蚀掉第二光罩范围以外的金属氧化物层（26），以栅极（24）与剩余的金属氧化物层（26）作为第三光罩进行离子植入以分别形成轻掺杂漏极区（30）于所述多晶硅层（22）两侧，于栅极（24）与栅极绝缘层（23）上形成绝缘层（25），于绝缘层（25）上形成金属层(28)，并定义源极（281）及漏极（282）分别与源极掺杂区（222）和漏极掺杂区（221）相连，使得离子植入的剂量保持均匀性，进一步维持显示器亮度一致。

84. 发明申请

WO2015123913A1 制作低温多晶硅薄膜晶体管和阵列基板的方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015123913A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/CN2014/074421
申请日：2014-03-31
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：毛雪
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/02667 , H01L27/1274 , H01L27/1285 , H01L28/60 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78618
摘要：一种制作低温多晶硅薄膜晶体管和阵列基板的方法，用以简化薄膜晶体管的制作工艺流程。制造低温多晶硅薄膜晶体管的方法包括步骤：在基板（1）上形成非晶硅层（12）；在非晶硅层（12）上形成杂质膜层（13），杂质膜层（13）的位置分别与待形成的源极掺杂层（140）和待形成的漏极掺杂层（150）对应；以及将非晶硅层（12）转化为多晶硅层（29），且在将非晶硅层（12）转化为多晶硅层（29）的过程中，杂质膜层（13）中的离子注入到多晶硅层（29）的与杂质膜层（13）相接触的区域中以形成源极掺杂层（140）和漏极掺杂层（150）。更具体地，对所述非晶硅层（12）及杂质膜层（13）执行准分子激光退火工艺，从而与待形成的源极掺杂层（140）对应的区域形成源极掺杂层（140），与待形成的漏极掺杂层（150）对应的区域形成漏极掺杂层（150），除源极掺杂层（140）和漏极掺杂层（150）之外的区域为多晶硅层（29）。

85. 发明申请

WO2015123903A1 一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015123903A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/CN2014/073615
申请日：2014-03-18
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：毛雪
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L21/28512 , H01L21/324 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1262 , H01L27/1274 , H01L27/1285 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，用以简化薄膜晶体管的制作工艺流程。所述方法包括：在衬底基板上形成有源层和欧姆接触层的过程，该过程包括以下步骤：在衬底基板上形成非晶硅层；采用离子注入法对所述非晶硅层至少在待形成欧姆接触层的区域进行杂质离子的注入，待形成欧姆接触层的区域形成初始欧姆接触层；对杂质离子注入工艺后的非晶硅层进行准分子激光退火工艺，使非晶硅层晶化为多晶硅层，初始欧姆接触层形成最终的欧姆接触层；对准分子激光退火工艺后的多晶硅层进行构图工艺，形成所述有源层。

86. 发明申请

WO2015096328A1 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2015096328A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/CN2014/076244
申请日：2014-04-25
申请人：京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
发明人：魏向东 , 郝学光 , 李成 , 安星俊 , 柳奉烈
IPC分类号： G06F3/044
CPC分类号： G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04107 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：阵列基板及其制造方法和触摸显示装置，该阵列基板包括多条数据线、多条栅线（30）和多个薄膜晶体管，多条数据线和多条栅线（30）互相异面交错，以将阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内都设置有薄膜晶体管，其中，阵列基板还包括多条第一触摸感测电极（10）和多条第二触摸感测电极（20），第一触摸感测电极（10）设置在薄膜晶体管的有源区（40）的下方，且第一触摸感测电极（10）同时作为阻挡背光源发出的光线的屏蔽金属层，第一触摸感测电极（10）与第二触摸感测电极（20）互相异面交错，且第一触摸感测电极（10）和第二触摸感测电极（20）的交叉形成电容。

87. 发明申请

WO2014153810A1 悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路审中-公开
公开(公告)号：WO2014153810A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/CN2013/075310
申请日：2013-05-08
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：陈宁 , 郭炜 , 王路
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1251 , G02F1/13306 , G09G3/2092 , G09G2310/0248 , G09G2310/08 , G09G2320/045 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02667 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/28273 , H01L21/31111 , H01L21/32133 , H01L27/1222 , H01L27/1237 , H01L27/1262 , H01L27/1274 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L29/41733 , H01L29/4175 , H01L29/42324 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/78675 , H01L29/788
摘要：提供一种悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路。悬浮栅晶体管包括基板（1），设置在基板（1）上的悬浮栅极（3）、源极（4）、漏极（5）和控制栅极（6），还包括：基板（1）上依次设置的第一层绝缘薄膜（7）、多晶硅薄膜（8），多晶硅薄膜（8）中形成有沟道区域（2），沟道区域（2）的位置与悬浮栅极（3）的位置相对应。

88. 发明申请

WO2014127575A1 阵列基板的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2014127575A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/CN2013/074485
申请日：2013-04-22
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：张方振
IPC分类号： H01L21/77
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0274 , H01L21/265 , H01L21/30604 , H01L21/32139 , H01L29/167 , H01L29/66575 , H01L29/66757 , H01L29/78621
摘要：本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺在基板上形成至少两个半导体有源岛、位于各个所述半导体有源岛两侧的第一图案、位于一部分所述第一图案外侧的第二图案、以及位于其余部分的所述第一图案外侧的第三图案；对所述第二图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第一导电类型的半导体；以及对所述第三图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第二导电类型的半导体。

89. 发明申请

WO2014120001A1 MANUFACTURING A SUBMICRON STRUCTURE USING A LIQUID PRECURSOR 审中-公开
标题翻译：使用液体前驱体制造子结构
公开(公告)号：WO2014120001A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/NL2014/050045
申请日：2014-01-28
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
发明人： ISHIHARA, Ryoichi , VAN DER ZWAN, Michiel , TRIFUNOVIC, Miki
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66757 , B82Y30/00 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/02664 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要： Methods for manufacture of a submicron semiconductor structure on a substrate are described. The method may comprise: forming at least one template layer over a support substrate; forming one or more template structures, preferably one or more recesses and/or mesas, in said template layer, said one or more template structures comprising one or more edges extending into or out of the top surface of said template layer; coating at least part of said one or more template structures with a liquid semiconductor precursor, preferably a liquid silicon precursor; and, annealing and/or exposing said liquid semiconductor precursor coated template structures to light, wherein during said annealing and/or light exposure a part of said liquid semiconductor precursor accumulates by capillary forces against at least part of said one or more edges, said annealing and/or light exposure transforming said accumulated liquid semiconductor precursor into a submicron semiconductor structure extending along at least part of said one or more edges.
摘要翻译：描述了在基板上制造亚微米半导体结构的方法。该方法可以包括：在支撑衬底上形成至少一个模板层; 在所述模板层中形成一个或多个模板结构，优选一个或多个凹部和/或台面，所述一个或多个模板结构包括延伸到或离开所述模板层的顶表面的一个或多个边缘; 用液体半导体前体，优选液体硅前体涂覆所述一个或多个模板结构的至少一部分; 并且将所述液体半导体前体涂覆的模板结构退火和/或暴露于光，其中在所述退火和/或曝光期间，所述液体半导体前体的一部分通过毛细管力对所述一个或多个边缘的至少一部分进行累积，所述退火和/或曝光将所述积聚的液体半导体前体转变成沿所述一个或多个边缘的至少一部分延伸的亚微米半导体结构。

90. 发明申请

WO2013067855A1 薄膜晶体管及其制造方法、显示器件审中-公开
公开(公告)号：WO2013067855A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/CN2012/081614
申请日：2012-09-19
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：李延钊 , 王刚 , 孙力 , 关爽
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/28158 , H01L27/1222 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：一种薄膜晶体管及其制造方法、显示器件。该薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤：提供衬底（1），在衬底（1）上形成半导体层；形成栅极绝缘层；以及形成栅极电极（4），其中栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层（5），该第一栅极绝缘层（5）是通过氧化部分半导体层而形成，且半导体层的未氧化部分形成有源层（3），并且，其中栅极电极（4）形成为使得栅极绝缘层夹设在栅极电极（4）和有源层（3）之间。

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