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81. 发明申请

WO2017014719A1 MEMRISTOR ARRAY WITH ACTIVE MEMRISTORS 审中-公开
标题翻译：具有主动式电位器的磁阻阵列
公开(公告)号：WO2017014719A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/US2015/040877
申请日：2015-07-17
申请人： HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP
发明人： STRACHAN, John Paul , HU, Miao , KUMAR, Suhas
IPC分类号： G11C11/56 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0061 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092
摘要： In one example in accordance with the present disclosure a memristor device is described. The device includes an active memristor to be set to one of a plurality of states. The device also includes a state controller to program the state of the active memristor. The state defines a current-voltage relationship for the active memristor. The state controller also sets an operating point for the active memristor around which an input signal oscillates. The resistance of the active memristor defines an amplitude modulation of the input signal and the reactance of the active memristor defines a phase delay of the input signal.
摘要翻译：在根据本公开的一个示例中，描述了忆阻器装置。该装置包括被设置为多个状态之一的有效忆阻器。该器件还包括一个状态控制器，用于对活性忆阻器的状态进行编程。该状态定义了有源忆阻器的电流 - 电压关系。状态控制器还为有源忆阻器设置一个输入信号振荡的工作点。有源忆阻器的电阻定义了输入信号的幅度调制，有源忆阻器的电抗定义了输入信号的相位延迟。

82. 发明申请

WO2015165809A3 SINGLE-COMPONENT ARTIFICIAL NEURON MADE FROM MOTT INSULATORS, NETWORK OF ARTIFICIAL NEURONS, AND METHOD FOR MAKING SAID ARTIFICIAL NEURONS 审中-公开
标题翻译：来自MOTT绝缘子，人造神经网络的单组分人造神经元，以及制造神经神经元的方法
公开(公告)号：WO2015165809A3
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/EP2015058873
申请日：2015-04-24
申请人： CENTRE NAT RECH SCIENT , UNIV NANTES , UNIV PARIS SUD XI
发明人： CARIO LAURENT , CORRAZE BENOIT , STOLIAR PABLO , TRANCHANT JULIEN , JANOD ETIENNE , BESLAND MARIE-PAULE , ROZENBERG MARCELO
IPC分类号： G06N3/063 , G06N3/04 , G11C11/54
CPC分类号： G06N3/063 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0002 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/16
摘要： The invention relates to an artificial neuron (30) consisting of a single-component electric dipole comprising a single material (31) which belongs to the class of Mott insulators and is connected to two electric electrodes (32, 33).
摘要翻译：本发明涉及一种由单组分电偶极组成的人造神经元（30），其包括属于莫特绝缘子类的单一材料（31），并连接到两个电极（32,33）。

83. 发明申请

WO2015195365A1 MEMRISTIVE NANOFIBER NEURAL NETWOKS 审中-公开
标题翻译：神经性NANOFIBER神经网络
公开(公告)号：WO2015195365A1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：PCT/US2015/034414
申请日：2015-06-05
申请人： THE UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.
发明人： NINO, Juan, Claudo , KENDALL, Jack, D.
IPC分类号： G06N3/063 , G06N3/067 , G11C11/56
CPC分类号： G11C13/0007 , G06N3/049 , G06N3/0635
摘要： Disclosed are various embodiments of memristive neural networks comprising neural nodes. Memristive nanofibers are used to form artificial synapses in the neural networks. Each memristive nanofiber may couple one or more neural nodes to one or more other neural nodes.
摘要翻译：公开了包含神经节点的忆阻神经网络的各种实施例。忆阻纳米纤维用于在神经网络中形成人造突触。每个忆阻纳米纤维可以将一个或多个神经节点耦合到一个或多个其他神经节点。

84. 发明申请

WO2014135801A1 ORGANE À NEURONE ARTIFICIEL ET MEMRISTOR 审中-公开
标题翻译：具有人造神经元和仪器的单元
公开(公告)号：WO2014135801A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/FR2014/050503
申请日：2014-03-05
申请人： UNIVERSITE DE BORDEAUX , INSTITUT POLYTECHNIQUE DE BORDEAUX , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , SAÏGHI, Sylvain , TOMAS, Jean , LECERF, Gwendal
发明人： SAÏGHI, Sylvain , TOMAS, Jean , LECERF, Gwendal
IPC分类号： G06N3/063
CPC分类号： G06N3/0635 , G06N3/08
摘要： L'organe à neurone artificiel comprend : • - au moins un neurone artificiel, • - au moins un convoyeur de courant connecté à une entrée du neurone, et • - au moins un memristor connecté au convoyeur de courant.
摘要翻译：本发明涉及具有人造神经元的单元，其包括：至少一个人造神经元，连接到所述神经元的输入的至少一个电流导体，以及连接到所述电流导体的至少一个忆阻器。

85. 发明申请

WO2013111200A1 ニューラルネットワーク回路の学習方法审中-公开
标题翻译：神经网络电路学习方法
公开(公告)号：WO2013111200A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/JP2012/003492
申请日：2012-05-29
申请人：パナソニック株式会社 , 西谷雄 , 金子幸広 , 上田路人
发明人：西谷　雄 , 金子　幸広 , 上田　路人
IPC分类号： G06G7/60 , G06N3/063
CPC分类号： G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635
摘要：　パルスタイミングによる学習動作をより少ない数の素子の構成で実現することができるニューラルネットワーク回路の学習方法を提供する。シナプス回路(20)は、可変抵抗素子(10)を具備し、ニューロン回路(30)は、双極性ノコギリ形パルス電圧またはメキシカンハット形パルス電圧（以下、所定のパルス電圧）を発生させる波形発生回路(32)を備え、第１入力信号（他のニューラルネットワーク回路素子(40)の出力信号）が所定のパルス電圧波形を有するように構成され、可変抵抗素子(10)と同じニューラルネットワーク回路素子(40)内で生成された所定のパルス電圧波形の時間的な中間点を中間点とし、その中間点を基準として前後に所定の時間幅を有する期間（以下、入力許容期間）、可変抵抗素子(10)の制御電極(15)に、第１入力信号を入力可能とすることで、入力許容期間に対する第１入力信号の入力タイミングに依存して生じる第１電極(13)と制御電極(15)との間の電位差によって、可変抵抗素子(10)の抵抗値を変化させる。
摘要翻译：提供了一种神经网络电路学习方法，通过该方法，可以通过具有较少元素的配置来实现基于脉冲定时的学习操作。突触电路（20）配备有可变电阻元件（10）。神经元电路（30）配备有产生双极锯齿波脉冲电压或墨西哥帽脉冲电压（以下称为“规定脉冲电压”）的波形发生电路（32），并且被配置为使得第一输入信号来自另一个神经网络电路元件（40）的输出信号）具有规定的脉冲电压波形。在与可变电阻元件（10）相同的神经网络电路元件（40）内产生的规定脉冲电压波形的时间中点作为中点，以该中点为基准，第一输入信号可以在该中点之前/之后的具有规定时间宽度的期间（以下，“输入允许期间”）中，向可变电阻元件（10）的控制电极（15）输入，从而改变可变电阻元件（10）通过第一电极（13）和控制电极（15）之间的电位差来产生，所述电位差根据第一输入信号相对于输入允许周期的输入定时而产生。

86. 发明申请

WO2012006469A1 METHODS AND SYSTEMS FOR THREE-MEMRISTOR SYNAPSE WITH STDP AND DOPAMINE SIGNALING 审中-公开
标题翻译：具有STDP和DOPAMINE信号的三重仪器共振的方法和系统
公开(公告)号：WO2012006469A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/US2011/043256
申请日：2011-07-07
申请人： QUALCOMM Incorporated , TANG, Yi , LEVIN, Jeffrey A. , APARIN, Vladimir , RANGAN, Venkat
发明人： TANG, Yi , LEVIN, Jeffrey A. , APARIN, Vladimir , RANGAN, Venkat
IPC分类号： G06N3/063
CPC分类号： G06N3/0635 , G06N3/049
摘要： The present disclosure proposes implementation of a three-memristor synapse where an adjustment of synaptic strength is based on Spike-Timing-Dependent Plasticity (STDP) with dopamine signaling.
摘要翻译：本公开提出了三忆阻突触的实施，其中突触强度的调整基于具有多巴胺信号传导的尖峰时间依赖性可塑性（STDP）。

87. 发明申请

WO2011030848A1 情報処理装置及びプログラム审中-公开
标题翻译：信息处理设备和程序
公开(公告)号：WO2011030848A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/065608
申请日：2010-09-10
申请人：国立大学法人九州工業大学 , 森江隆 , 田中秀樹 , 大久保悟 , 松坂建治
发明人：森江　隆 , 田中　秀樹 , 大久保　悟 , 松坂　建治
IPC分类号： G06F15/80 , G06N3/063
CPC分类号： G06N3/0635
摘要：　非同期型動作が可能であり簡単な回路で構成可能なセルラー構造ネットワーク演算を行う情報処理装置を提供する。　節点ユニットのネットワーク構造を有し、各節点ユニットは、位相状態値を保持する状態値保持手段と、位相状態値を一定の位相速度で経時的に増加させる状態進行手段と、位相状態値が所定の最大値にするとトリガを出力し、初期値にリセットするトリガ発生手段と、隣接節点ユニットがトリガを出力した時、隣接位置に応じて位相状態値を、当該位相状態値に当該位相状態値を所定倍した値を加えた値に変化させることにより位相状態値を更新する状態更新手段とを備えた。
摘要翻译：提供了一种执行蜂窝结构网络计算的信息处理设备，该信息处理设备能够进行异步操作并且可以用简单的电路进行配置。信息处理装置具有由节点单元组成的网络结构，其中每个节点单元设置有：保持相位状态值的状态值保持装置; 状态提前装置，其以恒定相速度随时间增加相位状态值; 触发发生装置，当相位状态值达到预定的最大值时，输出触发并将相位状态值复位到其初始值; 以及状态更新装置，当与上述节点单元相邻的节点单元已经输出触发时，根据相邻节点单元相对于上述节点单元的相对位置改变相位状态值，来更新相位状态值通过将当前值的预定倍数与当前值相加而获得的另一个值的相位状态值的当前值。

88. 发明申请

WO2010133401A1 ELECTRONIC LEARNING SYNAPSE WITH SPIKE-TIMING DEPENDENT PLASTICITY USING MEMORY-SWITCHING ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：使用存储器切换元件的SPIKE-TIMING相关塑料的电子学习实验
公开(公告)号：WO2010133401A1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：PCT/EP2010/054719
申请日：2010-04-09
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , IBM UNITED KINGDOM LIMITED , SHENOY, Rohit, Sudhir , MODHA, Dharmendra, Shantilal
发明人： SHENOY, Rohit, Sudhir , MODHA, Dharmendra, Shantilal
IPC分类号： G06N3/04 , G06N3/063
CPC分类号： G06N3/049 , G06N3/0635
摘要： According to embodiments of the invention, a system, method and computer program product producing spike-dependent plasticity in an artificial synapse. In an embodiment, a method includes: receiving a pre-synaptic spike in an electronic component; receiving a post-synaptic spike in the electronic component; in response to the pre-synaptic spike, generating a pre-synaptic pulse that occurs a predetermined period of time after the received pre-synaptic spike; in response to the post-synaptic spike, generating a post-synaptic pulse that starts at a baseline value and reaches a first voltage value a first period of time after the post-synaptic spike, followed by a second voltage value a second period of time after the post synaptic spike, followed by a return to the baseline voltage a third period of time after the post-synaptic spike; applying the generated pre-synaptic pulse to a pre-synaptic node of a synaptic device that includes a uni-polar, two-terminal bi-stable device in series with a rectifying element; and applying the generated post-synaptic pulse to a post-synaptic node of the synaptic device, wherein the synaptic device changes from a first conductive state to a second conductive state based on the value of input voltage applied to its pre and post-synaptic nodes, wherein the resultant state of the conductance of the synaptic device after the pre- and post-synaptic pulses are applied thereto depends on the relative timing of the received pre-synaptic spike with respect to the post synaptic spike.
摘要翻译：根据本发明的实施例，在人造突触中产生尖峰依赖可塑性的系统，方法和计算机程序产品。在一个实施例中，一种方法包括：在电子部件中接收突触前突起; 接收电子元件中的突触后尖峰; 响应于突触前尖峰，产生在接收到的突触前尖峰之后发生预定时间段的突触前脉冲; 响应于突触后尖峰，产生在基线值开始并在突触后尖峰之后的第一时间段达到第一电压值的后突触后脉冲，随后是第二时间段的第二电压值后突触尖峰后，再次回到基线电压第三个时间段后突触后尖峰; 将产生的突触前脉冲应用于包括与整流元件串联的单极性双端双稳态器件的突触器件的突触前节点; 以及将所产生的突触后脉冲应用于所述突触装置的突触后结点，其中所述突触装置基于施加到其前和后突触节点的输入电压的值从第一导通状态改变到第二导通状态其中将突触前装置和突触后脉冲之后的突触装置的电导的结果状态施加到其上取决于所接收的突触前尖峰相对于突触后尖峰的相对时间。

89. 发明申请

WO2008083335A3 SOLVING THE DISTAL REWARD PROBLEM THROUGH LINKAGE OF STDP AND DOPAMINE SIGNALING 审中-公开
标题翻译：通过STDP和DOPAMINE信号的链接解决远程问题
公开(公告)号：WO2008083335A3
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/US2007089129
申请日：2007-12-28
申请人： NEUROSCIENCES RES FOUND , IZHIKEVICH EUGENE M
发明人： IZHIKEVICH EUGENE M
IPC分类号： G06F15/18
CPC分类号： G06N3/049 , G06N3/02 , G06N3/063 , G06N3/0635 , G06N99/005
摘要： In Pavlovian and instrumental conditioning, rewards typically come seconds after reward triggering actions, creating an explanatory conundrum known as the distal reward problem or the credit assignment problem. How does the brain know what firing patterns of what neurons are responsible for the reward if (1) the firing patterns are no longer there when the reward arrives and (2) most neurons and synapses are active during the waiting period to the reward? A model network and computer simulation of cortical spiking neurons with spike-timing-dependent plasticity (STDP) modulated by dopamine (DA) is disclosed to answer this question, STDP is triggered by nearly coincident firing patterns of a presynaptic neuron and a postsynaptic neuron on a millisecond time scale.
摘要翻译：在巴甫洛夫和工具条件下，奖励通常在奖励触发动作之后几秒钟，创造一个被称为远程奖励问题或信用分配问题的解释性难题。如果（1）当奖励到达时，射击模式不再在那里，（2）大多数神经元和突触在等待期间是活跃的，大脑如何知道什么是神经元对于奖励的触发模式？披露了由多巴胺（DA）调制的具有刺激时间依赖性可塑性（STDP）的皮层加标神经元的模型网络和计算机模拟来回答这个问题，STDP由突触前神经元和突触后神经元的几乎一致的发射模式触发一个毫秒的时间尺度。

90. 发明申请

WO2008023437A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008023437A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/JP2006/316750
申请日：2006-08-25
申请人：株式会社日立製作所 , 寺尾元康 , 笹子佳孝 , 黒土健三 , 都築浩一 , 半澤悟 , 外村修 , 高浦則克 , 松崎望
发明人：寺尾元康 , 笹子佳孝 , 黒土健三 , 都築浩一 , 半澤悟 , 外村修 , 高浦則克 , 松崎望
IPC分类号： H01L29/66
CPC分类号： G06N3/0635
摘要：　本発明は、外部入力を認識する系の配線および接続点を増加させ、部分的に消滅させながら学習を進めることを特徴とする人工知能デバイスに関する半導体装置である。記憶も配線の接続点の配列パターンによって行う。配線および接続点の増加や消滅には、例えばイオン移動による導電パス形成と、その太さの変化を利用する。そして、画像あるいは音声といった入力情報をそのまま時系列で記憶する領域、論理情報を時系列で記憶する領域、それらの情報を転送する領域、および論理処理をする領域を少なくとも有する。
摘要翻译：一种相对于人造智能装置的半导体器件，其特征在于，通过增加用于识别外部输入的系统的布线和节点来提前学习，同时部分地去除它们。存储器通过布线节点的排列模式进行。使用例如由离子迁移率形成的导电路径及其厚度变化来增加或消除配线和节点。此外，半导体器件至少设置有用于存储实时基于时间序列的图像或声音的输入信息的域，时间序列逻辑信息存储域，传送信息的另外的域，以及一个逻辑处理域。

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