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81. 发明申请

WO2013160500A1 PROCEDIMIENTO PARA LA MEJORA DEL CONTRASTE ÓPTICO EN LA ELABORACIÓN DE GRABADOS A NANOESCALA 审中-公开
标题翻译：改进光学对比在生产纳米蚀刻中的方法
公开(公告)号：WO2013160500A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/ES2013/000093
申请日：2013-04-15
申请人： UNIVERSIDAD DE CÁDIZ
发明人： MOLINA RUBIO, Sergio Ignacio , HERRERA COLLADO, Miriam , HERNANDEZ SAZ, Jesus , DELGADO GONZALEZ, Francisco Javier
IPC分类号： B41M5/26 , B44C3/10 , A44C17/00 , B23K26/00 , B05D5/12
CPC分类号： A44C17/00 , B23K15/0086 , B23K2203/52 , B41M5/26 , B44C1/22 , B44C1/26 , B44F1/02 , C23C16/06 , C23C16/486 , C23C16/487
摘要： Procedimiento para la mejora del contraste óptico en la elaboración de grabados a nanoescala. El marcado de piedras preciosas y otros cristales mediante nanograbado es muy importante en joyería para permitir un estricto control de los mismos durante su distribución y compra-venta. Además, permite convertirlos en piezas exclusivas y/o añadirles un valor sentimental seleccionando cuidadosamente el motivo que será grabado en el mismo. Sin embargo, debido al carácter translúcido de la mayoría de piedras preciosas, la visualización del nanograbado por medios ópticos no está optimizada. El objeto de la invención es la mejora en el contraste óptico de nanograbados realizados en piedras preciosas mediante la deposición de materiales en el nanograbado, preferentemente metales preciosos. Dicha mejora puede ocurrir porque la deposición de un material opaco aumenta la reflexión y la absorción de la luz respecto de la piedra translúcida, y/o porque la deposición de metales nanoestructurados puede producir efectos plasmónicos.
摘要翻译：本发明涉及一种改善纳米尺度蚀刻生产中的光学对比度的方法。通过纳米刻痕对宝石和其他晶体的标记在珠宝中是非常重要的，以便在其分配，购买和销售期间能够对其进行严格控制。此外，所述技术使得可以通过仔细选择要蚀刻到其上的图案将珠宝转换为独占部分和/或添加感伤价值。然而，鉴于大多数宝石的半透明性质，nanoetchings并不是通过光学手段进行优化的。本发明旨在通过将材料沉积到纳米刻蚀中，优选贵金属来改善在宝石中制备的纳米取芯的光学对比度。所述改进是可能的，因为不透明材料的沉积增加了光相对于半透明石的反射和吸收和/或由于沉积纳米结构金属可以产生等离子体效应。

82. 发明申请

WO2013152805A1 METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCTION AND ADDITIVE MANUFACTURING OF METALS AND ALLOYS 审中-公开
标题翻译：金属和合金的生产和添加制造方法和系统
公开(公告)号：WO2013152805A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/EP2012/056798
申请日：2012-04-13
申请人： EUROPEAN SPACE AGENCY , VOICE, Wayne Eric , JARVIS, David John
发明人： VOICE, Wayne Eric , JARVIS, David John
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/513 , B05B7/22 , C23C4/12 , C22B34/12 , H05H1/42 , H01J37/32
CPC分类号： B05B7/22 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C22B4/00 , C23C4/134 , C23C16/06 , C23C16/513 , H01J37/32055 , H05H1/42
摘要： A method and system are disclosed for depositing materials comprising metals and alloys by decomposing one or more metal iodides using a directed plasma arc source. Additive manufacturing of shaped components may be accomplished by directing the source output towards defined regions of a work-piece.
摘要翻译：公开了一种用于通过使用定向等离子体电弧源分解一种或多种金属碘化物来沉积包括金属和合金的材料的方法和系统。可以通过将源输出引导到工件的限定区域来实现成形部件的添加制造。

83. 发明申请

WO2013150920A1 半導体デバイスの製造方法及び基板処理システム审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和衬底处理系统
公开(公告)号：WO2013150920A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/JP2013/058805
申请日：2013-03-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：秋山　浩二 , 東島　裕和 , 田村　知大 , 青山　真太郎 , 和村　有
IPC分类号： H01L21/336 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L28/40 , H01L29/401 , H01L29/517
摘要：　ソース・ドレイン及びチャネルが形成された被処理体上に酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムを含むゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜を６００℃以下の温度で結晶化熱処理する工程と、を含み、前記結晶化熱処理後の前記絶縁膜の比誘電率が２７以上である、半導体デバイスの製造方法。
摘要翻译：该半导体器件制造方法包括在形成源极，漏极和沟道的工件上形成含有氧化铪和氧化锆的栅极绝缘膜的步骤，以及在600℃的温度下对绝缘膜进行结晶热处理的步骤 ℃以下，其中结晶热处理后的绝缘膜的介电常数为27以上。

84. 发明申请

WO2013054045A1 MIROIR COMPRENANT UNE COUCHE MODIFICATRICE DE TAIN 审中-公开
标题翻译：镜子包含一个镀银修饰层
公开(公告)号：WO2013054045A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/FR2012/052306
申请日：2012-10-11
申请人： SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE
发明人： FAURE, Régine , RACHET, Vincent
IPC分类号： G02B5/08 , B29D11/00 , C03C17/34
CPC分类号： G02B5/26 , B29D11/00596 , C03C15/00 , C03C17/36 , C03C17/3618 , C03C17/3636 , C03C19/00 , C03C2218/31 , C23C16/06 , C23C18/31 , G02B5/0816
摘要： L'invention concerne un miroir coloré comprenant un substrat transparent et une couche réfléchissante, comprenant une couche colorante entre ledit substrat et ladite couche réfléchissante, ladite couche colorante comprenant une matrice et un colorant. L'invention concerne également un procédé de préparation d'un miroir comprenant un substrat transparent et une couche réfléchissante, une couche colorante entre ledit substrat et ladite couche réfléchissante, ladite couche colorante comprenant une matrice et un colorant, comprenant la réalisation de la couche colorante sur le substrat puis le dépôt de la couche réfléchissante sur la couche colorante.
摘要翻译：本发明涉及一种着色反射镜，其包括透明基板和反射层，该反射层包括在所述基板和所述反射层之间的着色层，所述着色层包括基体和着色剂。本发明还涉及一种制备反射镜的方法，所述反射镜包括透明基底和反射层，所述基底和所述反射层之间的着色层，所述着色层包括基质和着色剂，所述着色层包括在底物，然后在着色层上沉积反射层。

85. 发明申请

WO2012148801A3 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：半导体基板处理系统
公开(公告)号：WO2012148801A3
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/US2012034374
申请日：2012-04-20
申请人： APPLIED MATERIALS INC , SANCHEZ ERROL ANTONIO C , CARLSON DAVID K , KUPPURAO SATHEESH
发明人： SANCHEZ ERROL ANTONIO C , CARLSON DAVID K , KUPPURAO SATHEESH
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/06 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67201 , H01L21/67207
摘要： Apparatus for processing substrates are provided. In some embodiments, a processing system may include a first transfer chamber and a first process chamber coupled to the transfer chamber, the process chamber further comprising a substrate support to support a processing surface of a substrate within the process chamber, an injector disposed to a first side of the substrate support and having a first flow path to provide a first process gas and a second flow path to provide a second process gas independent of the first process gas, wherein the injector provides the first and second process gases across the processing surface of the substrate, a showerhead disposed above the substrate support to provide the first process gas to the processing surface, and an exhaust port disposed to a second side of the substrate support, opposite the injector, to exhaust the first and second process gases from the process chamber.
摘要翻译：提供了用于处理衬底的设备。在一些实施例中，处理系统可以包括耦合到传送室的第一传送室和第一处理室，处理室还包括用于支撑处理室内的基板的处理表面的基板支撑件，所述衬底支撑件的第一侧面具有第一流动路径，以提供第一工艺气体和第二流动路径，以提供独立于所述第一工艺气体的第二工艺气体，其中所述喷射器在所述处理表面上提供所述第一和第二工艺气体基板支撑件上方的喷头，以将第一处理气体提供给处理表面;以及排气口，设置在与喷射器相对的基板支撑件的第二侧上，从而将第一和第二处理气体从处理室。

86. 发明申请

WO2013011974A1 金属体を備える基体の製造方法审中-公开
标题翻译：用金属体生产衬底的方法
公开(公告)号：WO2013011974A1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/JP2012/068063
申请日：2012-07-17
申请人： JSR株式会社 , 酒井達也 , 西村秀樹 , 山本雅浩 , 中川恭志 , 齊藤隆一 , 青木英行 , 古川剛
发明人：酒井　達也 , 西村　秀樹 , 山本　雅浩 , 中川　恭志 , 齊藤　隆一 , 青木　英行 , 古川　剛
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/12 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要：　成膜特性（反射率及び密着性）に優れ、大きな基体への適用も容易であり、しかも低コストで実施できる、金属体を備える基体の製造方法を提供する。　（Ａ）錯体を第一の温度に加熱して該錯体の蒸気を生成する工程と、（Ｂ）前記蒸気と前記第一の温度以下である第二の温度に加熱した基体とを接触させて、前記基体の表面の少なくとも一部に前記錯体の中心金属の単体又は化合物（ただし、前記錯体を除く。）を含む金属体を形成する工程とを含む、金属体を備える基体の製造方法。工程（Ｂ）の第二の温度は、錯体の分解温度未満である。前記錯体の中心金属は、アルミニウムまたはチタンである。
摘要翻译：提供一种具有金属体的基板的制造方法，其具有优异的成膜特性（反射率和粘合性），并且可应用于大的基板。此外，可以低成本地进行具有金属体的基板的制造方法。一种用金属体制造衬底的方法，包括：（A）将络合物加热至第一温度，生成复合物的蒸气的步骤; 和（B）其中将已经被加热到不高于第一温度的第二温度的蒸气和基底彼此接触的步骤，使得含有单质或化合物的金属体的复合物的中心金属（不包括络合物）形成在基材表面的至少一部分上。步骤（B）中的第二温度小于络合物的分解温度。复合体的中心金属是铝或钛。

87. 发明申请

WO2012151094A3 COMPOSITE MATERIALS FOR BATTERY APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：电池应用的复合材料
公开(公告)号：WO2012151094A3
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/US2012035033
申请日：2012-04-25
申请人： UCHICAGO ARGONNE LLC , AMINE KHALIL , YANG JUNBING , ABOUIMRANE ALI , REN JIANGUO
发明人： AMINE KHALIL , YANG JUNBING , ABOUIMRANE ALI , REN JIANGUO
IPC分类号： H01M4/04 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01M4/36 , H01M4/583
CPC分类号： C23C16/045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , C01B32/22 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/442 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/587
摘要： A process for producing nanocomposite materials for use in batteries includes electroactive materials are incorporated within a nanosheet host material. The process may include treatment at high temperatures and doping to obtain desirable properties.
摘要翻译：用于生产用于电池的纳米复合材料的方法包括电活性材料掺入纳米片材主体材料中。该方法可以包括在高温下进行处理和掺杂以获得所需的性质。

88. 发明申请

WO2012175147A1 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER BESCHICHTUNG AUF EINEM STRANGPRESSWERKZEUG 审中-公开
标题翻译：用于生产涂料在火车上冲压工具
公开(公告)号：WO2012175147A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2011/074224
申请日：2011-12-29
申请人： WEFA SINGEN GMBH , MAIER, Joachim , MAIER, Oliver , BÜRGIN, Werner , HOLZSCHUH, Helga
发明人： MAIER, Joachim , MAIER, Oliver , BÜRGIN, Werner , HOLZSCHUH, Helga
IPC分类号： C23C16/36 , B21C25/02
CPC分类号： C23C16/06 , B21C25/025 , C23C16/36
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer ein- oder mehrschichtigen Beschichtung auf einem Strangpresswerkzeug als Substratkörper aus einem hochwarmfesten und/oder dauerwarmbeständigen Stahlmaterial mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), mit den Schritten: Bereitstellen des Substratkörpers aus dem bei einer Strangpress-Betriebstemperatur im Bereich zwischen 400° C und 950° C, insbesondere zwischen 500° C und 640° C, dauerwarmfesten und zum Zusammenwirken mit duktilem Strangpressmetall vorgesehenem Stahlmaterial, insbesondere Warmarbeitsstahl, Einleiten eines ein Metall, insbesondere Titan, aufweisenden ersten Reaktionsgases in einen den Substratkörper aufnehmenden Reaktor zum Bereitstellen eines Beschichtungsmetalls, Einleiten eines zweiten, eine Kohlenstoffverbindung aufweisenden Reaktionsgases in den Reaktor zum Bereitstellen von Kohlenstoff für die Beschichtung, wobei das erste und/oder das zweite Reaktionsgas oder ein weiteres Reaktionsgas Stickstoff für die Beschichtung bereitstellen, Durchführen eines CVD-Beschichtungsprozesses mit den Reaktionsgasen bei einer Mitteltemperatur im Bereich von 700° C bis 950° C, insbesondere 800° C bis 900° C, zum Erzeugen der Beschichtung so, dass das Verhältnis, insbesondere Gewichts- und/oder Atomprozentverhältnis zwischen Kohlenstoff und Stickstoff in der mindestens einen Schicht der Beschichtung C/N>1, insbesondere C/N>=1,5, vorzugsweise C/N> 2, beträgt und/oder die mindestens eine Schicht der Beschichtung eine kolumnare und/oder stengelige Struktur mit einer Vielzahl von einander benachbarten, zueinander parallel und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichteten, insbesondere säulenartigen Gefügeabschnitten aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在挤出模头作为由通过化学气相沉积（CVD）耐热钢材料的耐热性高和/或持续时间的基板主体生产的单层或多层涂层，其包括以下步骤：从之间的范围内提供所述基板主体在挤压操作温度 400℃和950℃，尤其是500℃至640℃，耐热和用于与延性挤压金属配合预期钢材料，特别是热加工钢板，引入金属，特别是钛，具有在所述基板主体的第一反应气体吸收反应器，用于提供持续时间涂覆金属，将第二，反应气体到反应器中含碳化合物的，以提供碳涂层，其中所述第一和/或第二反应气体或另一种反应性气体氮提供用于涂料，在平均温度为700℃至950℃进行CVD涂覆过程中，随着反应气体，尤其是800℃至900℃，以产生所述涂层上，使比，特别是重量和 /或在涂层中C的至少一个层/ N> 1的碳和氮的原子百分比比率，特别是C / N> = 1.5，优选C / N>是2，和/或涂层的至少一个层具有柱状和具有/或具有多个相邻的，对齐的平行的和垂直于基板表面，特别是柱状结构部分的柱状结构。

89. 发明申请

WO2012148801A2 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：半导体基板处理系统
公开(公告)号：WO2012148801A2
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/US2012/034374
申请日：2012-04-20
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , SANCHEZ, Errol Antonio C. , CARLSON, David K. , KUPPURAO, Satheesh
发明人： SANCHEZ, Errol Antonio C. , CARLSON, David K. , KUPPURAO, Satheesh
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/06 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67201 , H01L21/67207
摘要： Apparatus for processing substrates are provided. In some embodiments, a processing system may include a first transfer chamber and a first process chamber coupled to the transfer chamber, the process chamber further comprising a substrate support to support a processing surface of a substrate within the process chamber, an injector disposed to a first side of the substrate support and having a first flow path to provide a first process gas and a second flow path to provide a second process gas independent of the first process gas, wherein the injector provides the first and second process gases across the processing surface of the substrate, a showerhead disposed above the substrate support to provide the first process gas to the processing surface, and an exhaust port disposed to a second side of the substrate support, opposite the injector, to exhaust the first and second process gases from the process chamber.
摘要翻译：提供了用于处理衬底的设备。在一些实施例中，处理系统可以包括耦合到传送室的第一传送室和第一处理室，处理室还包括用于支撑处理室内的基板的处理表面的基板支撑件，所述衬底支撑件的第一侧面具有第一流动路径，以提供第一工艺气体和第二流动路径，以提供独立于所述第一工艺气体的第二工艺气体，其中所述喷射器在所述处理表面上提供所述第一和第二工艺气体基板支撑件上方的喷头，以将第一处理气体提供给处理表面;以及排气口，设置在与喷射器相对的基板支撑件的第二侧上，从而将第一和第二处理气体从处理室。

90. 发明申请

WO2012123530A1 BESCHICHTUNG SOWIE VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BESCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：涂料和方法及装置COATING
公开(公告)号：WO2012123530A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/EP2012/054530
申请日：2012-03-15
申请人： REINHAUSEN PLASMA GMBH , ECKART GMBH , BISGES, Michael , WOLFRUM, Christian , GREB, Marco , RUPPRECHT, Markus
发明人： BISGES, Michael , WOLFRUM, Christian , GREB, Marco , RUPPRECHT, Markus
IPC分类号： C23C4/12 , C23C8/36 , B05B7/22 , H05H1/26
CPC分类号： C23C16/50 , B05B7/1404 , B05B7/226 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C8/36 , C23C16/06 , H05H1/34 , H05H1/42 , H05H1/48 , Y10T428/256 , Y10T428/257
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufbringen einer Beschichtung auf ein Substrat (20) offenbart. Bei dem durch Hindurchleiten eines Arbeitsgases (3) durch eine Anregungszone wird ein Plasmastrahl (2) eines Niedertemperaturplasmas erzeugt. Der Plasmastrahl wird auf das Substrat (20) gerichtet und in den Plasmastrahl (2) werden plättchenförmige Partikel (10) mit einer mittleren Dicke (H) zwischen 10 und 50.000 Nanometer und einem Formfaktor (F) in dem Wertebereich von 10 bis 2000 eingespeist. Die Einspeisung in den Plasmastrahl (2) erfolgt mit Hilfe eines Trägergases (14). Der Plasmastrahl (2) wird durch Anregung des Arbeitsgases (3) mittels einer Wechselspannung oder einer gepulsten Gleichspannung erzeugt.
摘要翻译：它是用于将涂层施加到基材上的方法和设备（20）中被公开。在其中通过使工作气体（3）通过一个激发区，（2）低温等离子体中产生的等离子流。等离子体射流被引导到衬底（20）并进入到等离子体射流（2）是具有的平均厚度（H）10-50000纳米和10中的值范围内的纵横比（F），以第2000张纸薄片状粒子（10）进料入等离子体射流（2）由载气（14）来实现的。等离子体射流（2）是由工作气体（3）的激励由交流电压或脉冲直流电压的装置产生。

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