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71. 发明申请

WO2020087722A1 一种碳化硅单晶的制备方法及其生长装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020087722A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/CN2018/123716
申请日：2018-12-26
申请人：山东天岳先进材料科技有限公司
发明人：刘鹏飞 , 刘家朋 , 李加林 , 李长进 , 孙元行 , 李宏刚 , 高超
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00
摘要：本申请涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：原料部、接收部和气相流通区域；所述原料部用于放置原料，并提供原料受热升华的场所；所述接收部用于接收原料升华后得到的产品；所述原料受热升华后经过气相流通区域到达接收部；在气相流通区域设有凝结碳吸附部，所述凝结碳吸附部用于吸附在气相流通区域形成的凝结碳；还包括控制部，所述控制部用于调节气相流通区域的压力分布。本申请使到达上部籽晶附近的Si m C n 不管是在组分还是温度分布上都非常均匀；得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体；本申请增加组分从原料到籽晶表面的的驱动力。

72. 发明申请

WO2020078328A1 高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020078328A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/CN2019/111083
申请日：2019-10-14
申请人：福建北电新材料科技有限公司
发明人：陈华荣 , 张洁 , 廖弘基 , 陈泽斌
IPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36
摘要：高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置及其方法，该装置包括生长坩埚，生长坩埚底部插有气管，生长坩埚顶部设置有生长坩埚盖，生长坩埚内部放置有碗状结构的原料坩埚，原料坩埚上部设置有挡板，原料坩埚底部设置有环状支撑的原料坩埚底脚，原料坩埚底脚的直径为原料坩埚直径的1/8，原料坩埚底脚上设置有均匀分布的8个～36个气孔。该装置采用特殊材质的原料坩埚，避免了碳化硅原料与石墨直接接触，使得碳化硅原料与生长坩埚隔离，避免生长坩埚及保温层中含N和B等的杂质进入原料，避免了生长过程引入杂质，且原料坩埚和生长坩埚可以重复回收利用，大大降低了生产成本。

73. 发明申请

WO2019144804A1 晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019144804A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/CN2019/071008
申请日：2019-01-09
申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人：高攀 , 忻隽 , 孔海宽 , 刘学超 , 郑燕青 , 施尔畏
IPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36
摘要：涉及晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法，所述坩埚是与制备的晶体侧面相接触的坩埚，所述坩埚具有环式非闭合拼接结构。该晶体生长用坩埚具有环式非闭合拼接结构，因此可以避免紧箍晶体，从而使晶体生长过程中在晶体内聚集形成的热应力得到有效释放，降低晶体的开裂率，提高晶体的成品率。

74. 发明申请

WO2018113013A1 一种氮化铝单晶生长方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018113013A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/CN2016/112915
申请日：2016-12-29
申请人：苏州奥趋光电技术有限公司
发明人：吴亮 , 曹凯 , 汪佳 , 刘理想 , 龚加玮 , 王智昊 , 王琦琨
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/00
CPC分类号： C30B23/00 , C30B23/002 , C30B29/38
摘要：本发明公开了一种氮化铝单晶生长方法，长晶时的温度曲线和压力曲线简单可控；在氮化铝烧结体表面进行长晶，生长得到的氮化铝单晶体内部几乎无缺陷；通过采用钨材料制备坩埚，杂质引入极少；能够得到最大尺寸为厘米级的氮化铝单晶；长晶成本较低。

75. 发明申请

WO2016147824A1 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2016147824A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/JP2016/055449
申请日：2016-02-24
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：櫻田　隆 , 木村　錬 , 高須賀　英良 , 仲田　博彦
IPC分类号： C30B29/36 , C23C14/06 , C23C14/24 , C30B23/00
CPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , C30B23/00 , C30B29/36
摘要：頂面と、頂面と反対側の底面と、頂面と底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、側面の温度を測定可能な第１放射温度計と、底面の温度を測定可能な第２放射温度計とが準備される。坩堝内に原料と種結晶とが配置される。原料を昇華させることにより、種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる。炭化珪素単結晶を成長させる工程は、第１放射温度計により側面の温度を測定する工程と、第２放射温度計により底面の温度を測定する工程とを含む。側面の温度測定領域における算術平均粗さをＲａ１とし、底面の温度測定領域における算術平均粗さをＲａ２とした場合、Ｒａ１およびＲａ２は１０μｍ以下であり、Ｒａ１とＲａ２との差の絶対値は１μｍ未満である。坩堝内の温度分布を精度良く制御可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
摘要翻译：在本发明中，具有上表面，与上表面相反一侧的底面和位于顶面和底面之间的圆筒形侧面的坩埚，能够测量温度的第一辐射温度计并且准备能够测量底面的温度的第二辐射温度计。将源材料和晶种放置在坩埚内。将源材料升华以使碳化硅单晶在晶种上生长。用于生长碳化硅单晶的步骤包括用第一辐射温度计测量侧面的温度的步骤，以及用第二辐射温度计测量底面的温度的步骤。 Ra1和Ra2为10μm以下，Ra1和Ra2之间的差的绝对值小于1μm，其中Ra1是侧面的温度测量区域的算术平均粗糙度，Ra2是温度的算术平均粗糙度底面的测量区域。本发明提供一种能够精确地控制坩埚内的温度分布的碳化硅单晶的制造方法。

76. 发明申请

WO2014170503A1 PULSED VALVE CRACKER EFFUSION CELL 审中-公开
标题翻译：脉冲阀破碎机冲击细胞
公开(公告)号：WO2014170503A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/EP2014/058142
申请日：2014-04-22
申请人： NANO4ENERGY SLNE
发明人： BRIONES, Fernando , FERNÁNDEZ, Iván , WENNBERG, Ambiörn
IPC分类号： C23C14/24 , C30B23/00 , C30B23/06
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/243
摘要： A pulsed valve cracker effusion cell comprising an evaporation chamber (11), a delivery system (13) and a conduit (20) in fluid communication with the evaporation chamber (11) and the delivery system (13), a high temperature heating element located in the conduit and a flow controller (17) for controlling the flux of a gas into the delivery system (13), characterised by the flow controller (17) comprising an on/off valve and a controller for controlling the on/off state of the valve. This invention relates to a pulsed valve cracker effusion cell for the injection of vapours generated by solid or liquid sublimation into a process system, mainly a vacuum system. The present invention also relates to the regulation of the vapour flow by means of an intermittent valve (17). The invention has been designed for linear and uniform injection of gases from solid or liquid sources, e.g. sulphur, tellurium, selenium etc. as an elemental atomized vapour.
摘要翻译：一种包括蒸发室（11），输送系统（13）和与所述蒸发室（11）和所述输送系统（13）流体连通的导管（20）的脉冲阀裂化器渗出池，位于以及用于控制气体进入输送系统（13）的通量的流量控制器（17），其特征在于，所述流量控制器（17）包括开/关阀和用于控制所述输入/关闭状态的控制器阀门。本发明涉及一种用于将由固体或液体升华产生的蒸汽注入到主要是真空系统的处理系统中的脉冲阀裂化器渗出池。本发明还涉及通过间歇阀（17）调节蒸汽流量。本发明被设计用于从固体或液体源（例如，硫，碲，硒等作为元素雾化蒸气。

77. 发明申请

WO2013186556A1 APPARATUS AND METHOD FOR BULK VAPOUR PHASE CRYSTAL GROWTH 审中-公开
标题翻译：用于大容量蒸气相晶体生长的装置和方法
公开(公告)号：WO2013186556A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/GB2013/051541
申请日：2013-06-12
申请人： KROMEK LIMITED
发明人： WRIGHT, Timothy Simon , COLLEDGE, Steven , MULLINS, John Tomlinson
IPC分类号： C30B23/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B23/005 , C30B29/48 , C30B35/00 , F15D1/025
摘要： A vapour conduit for use in an apparatus for bulk vapour phase crystal growth, an apparatus for bulk vapour phase crystal growth, and a process for bulk vapour phase crystal growth are described. The vapour conduit is a flow conduit defining a passage means adapted for transport of vapour from a source volume to a growth volume, wherein a flow restrictor is provided in the passage means between the source volume and the growth volume and wherein the flow conduit further comprises a flow director structured to direct vapour flow downstream of the flow restrictor away from a longitudinal centre line of the conduit and for example towards an edge of the conduit.
摘要翻译：描述了用于本体气相晶体生长的装置中的蒸汽导管，用于体相气相晶体生长的装置和用于体相气相晶体生长的方法。蒸汽导管是限定通道装置的流动导管，其适于将蒸汽从源体积输送到生长体积，其中在源体积和生长体积之间的通道装置中设置有限流器，并且其中流动管道还包括导流器，其构造成将流量限制器的下游的蒸汽流引导离开导管的纵向中心线，并且例如朝向导管的边缘。

78. 发明申请

WO2013151045A1 結晶成長方法および結晶成長装置审中-公开
标题翻译：晶体生长方法和晶体生长装置
公开(公告)号：WO2013151045A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/JP2013/060084
申请日：2013-04-02
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：大島　祐一 , 中村　優 , ガルシア　ビジョラ　エンカルナシオン　アントニア , 島村　清史
IPC分类号： C30B23/00 , C30B25/14 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/403
摘要：　非ガス原料を加熱・蒸発させて原料蒸気として供給する結晶成長方法で、成長条件安定前の原料供給を抑制し、種結晶表面汚染や品質低下を抑制し、多結晶化や結晶欠陥密度を低減可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供することを課題とする。空洞部１３ｃを備えた反応容器１３と、反応容器１３を加熱する加熱部１１と、を備え、空洞部１３ｃ内に基板ホルダー１２と非ガス原料容器７５とが取り付けられており、空洞部１３ｃ内を基板ホルダー１２側の成長室２１と非ガス原料容器７５側の蒸発室２３の２室に分割するように仕切り５１が配置されており、仕切り５１には２室２１、２３を連通する一又は二以上の孔部６１ｃが設けられており、反応容器１３には成長室２１に連通するガス供給管３１とガス排気管３２が接続され、蒸発室２３に連通するガス供給管３３とガス排気管３４が接続されている結晶成長装置１０１によって前記課題を解決できる。
摘要翻译：本发明解决了提供以下问题：提供一种晶体生长方法，其中非气体起始材料被加热和蒸发，从而作为原料蒸气供应，并且其中抑制生长条件稳定化之前的原料供应，抑制种子晶面的污染和质量恶化，可以降低多晶化和晶体缺陷密度; 和晶体生长装置。上述问题可以通过具有设置有中空部（13c）的反应容器（13）和用于加热反应容器的加热部（11）的晶体生长装置（101）来解决 13），并且其中：衬底保持器（12）和非气体原料容器（75）装配在中空部分（13c）内; 分隔部51配置成将中空部13c的内侧分为两个室，即基板保持件12上的生长室21和非空心部12的蒸发室23。气体原料容器（75）侧; 所述分隔件51设置有使所述两个室（21,23）彼此连通的一个以上的孔（61c）。以及与生长室（21）连通的供气管（31）和排气管（32），以及气体供给管（33）和排气管（34）蒸发室（23）连接到反应容器（13）上。

79. 发明申请

WO2013130873A1 GALLIUM-NITRIDE-ON-DIAMOND WAFERS AND MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHODS OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：金刚石 - 金刚石砂轮和制造设备及其制造方法
公开(公告)号：WO2013130873A1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：PCT/US2013/028406
申请日：2013-02-28
申请人： GROUP4 LABS, INC.
发明人： FRANCIS, Daniel , FALLI, Firooz , MATTHEWS, Kristopher , LOWE, Frank, Yantis , DIDUCK, Quentin , ZAYTSEV, Sergey , EJECKHAM, Felix
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： C30B25/16 , C23C16/271 , C23C16/463 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/205 , C30B29/04 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/187 , H01L29/2003 , H01L29/7786
摘要： A method for integrating wide-gap semiconductors, and specifically, gallium nitride epilayers, with synthetic diamond substrates is disclosed. Diamond substrates are created by depositing synthetic diamond onto a nucleating layer deposited or formed on a layered structure that comprises at least one layer of gallium nitride. Methods for manufacturing GaN-on-diamond wafers with low bow and high crystalline quality are disclosed along with preferred choices for manufacturing GaN-on-diamond wafers and chips tailored to specific applications.
摘要翻译：公开了一种用于将宽间隙半导体，特别是氮化镓外延层与合成金刚石衬底集成的方法。通过将合成金刚石沉积到沉积或形成在包括至少一层氮化镓的层状结构上的成核层上而形成金刚石基底。公开了用于制造具有低弓形和高结晶质量的GaN-on-diamond晶片的方法以及针对特定应用定制的用于制造在金刚石GaN晶片和芯片上的优选选择。

80. 发明申请

WO2013063020A1 SUPPRESSION OF RELAXATION BY LIMITED AREA EPITAXY ON NON-C-PLANE (In,Al,B,Ga)N 审中-公开
标题翻译：抑制有限区域外延对非C平面（In，Al，B，Ga）N的放松
公开(公告)号：WO2013063020A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/US2012/061557
申请日：2012-10-24
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , HARDY, Matthew T. , NAKAMURA, Shuji , DENBAARS, Steven P. , SPECK, James S.
发明人： HARDY, Matthew T. , NAKAMURA, Shuji , DENBAARS, Steven P. , SPECK, James S.
IPC分类号： C30B23/00
CPC分类号： H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： An (AlInGaN) based semiconductor device, including one or more (In,Al)GaN layers overlying a semi-polar or non-polar Ill-nitride substrate or buffer layer, wherein the substrate or buffer employs patterning to influence or control extended defect morphology in layers deposited on the substrate; and one or more (AlInGaN) device layers above and/or below the (In,Al)GaN layers.
摘要翻译：一种（AlInGaN）半导体器件，包括覆盖半极性或非极性III族氮化物衬底或缓冲层的一个或多个（In，Al）GaN层，其中衬底或缓冲层采用图案化来影响或控制扩展缺陷形态沉积在基底上的层; 和（In，Al）GaN层之上和/或之下的一个或多个（AlInGaN）器件层。

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