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61. 发明申请

WO2010120411A2 PULSED PLASMA DEPOSITION FOR FORMING MICROCRYSTALLINE SILICON LAYER FOR SOLAR APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：形成用于太阳能应用的微晶硅层的脉冲等离子体沉积
公开(公告)号：WO2010120411A2
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/US2010/026667
申请日：2010-03-09
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , SHENG, Shuran , CHAE, Yong Kee
发明人： SHENG, Shuran , CHAE, Yong Kee
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： A method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer is provided. In one embodiment, the microcrystalline silicon layer is fabricated by providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture into the processing chamber, applying a RF power at a first mode in the gas mixture, pulsing the gas mixture into the processing chamber, and applying the RF power at a second mode in the pulsed gas mixture.
摘要翻译：提供本征型微晶硅层的方法。在一个实施例中，微晶硅层通过将衬底提供到处理室中，将气体混合物供应到处理室中，在气体混合物中以第一模式施加RF功率，将气体混合物脉冲到处理室中，以及在脉冲气体混合物中以第二模式施加RF功率。

62. 发明申请

WO2010010195A3 PHOTOVOLTAIC CELL BASED IN SILICON AND RELATED PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：基于硅和相关生产方法的光电池
公开(公告)号：WO2010010195A3
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2009059613
申请日：2009-07-24
申请人： INST NAT SCIENCES APPLIQ , CENTRE NAT RECH SCIENT , UNIV CLAUDE BERNARD LYON , NYCHYPORUK TETYANA , LEMITI MUSTAPHA , LYSENKO VOLODYMYR , MARTY OLIVIER , BREMOND GEORGES
发明人： NYCHYPORUK TETYANA , LEMITI MUSTAPHA , LYSENKO VOLODYMYR , MARTY OLIVIER , BREMOND GEORGES
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L31/077 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a photovoltaic cell comprising a semiconductor layer including silicon regions (22a, 22b, 22c) and treated porous silicon regions (21a) that can mechanically stress the silicon regions, deforming their mesh parameter, thereby modifying the absorption spectrum thereof.
摘要翻译：本发明涉及一种包括半导体层的光伏电池，该半导体层包括硅区域（22a，22b，22c）和经过处理的多孔硅区域（21a），可以对硅区域进行机械应力，使其网格参数变形，从而改变其吸收光谱。

63. 发明申请

WO2010109567A1 光電変換装置、太陽電池モジュール、及び光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置，太阳能电池模块及制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2010109567A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2009/006909
申请日：2009-12-16
申请人：富士電機ホールディングス株式会社 , 竹中研介
发明人：竹中研介
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/035281 , H01L31/05 , H01L31/077 , Y02E10/548
摘要：　複数の光電変換素子を接続するための新規な構造を有する光電変換装置を提供する。第１光電変換素子は、第１下部電極、第１光電変換層、及び第１上部電極を備えている。第２光電変換素子は、第２下部電極、第２光電変換層、及び第２上部電極を備えている。第１光電変換素子及び第２光電変換素子は、第１の方向に沿って互いに並んで配置されている。第２下部電極は、第１の方向と平行な側面から第２光電変換層の外に延伸する第１延伸部を備えている。また第１光電変換素子の側面のうち第１延伸部の延伸方向に向いている側面には、第１絶縁層が形成されている。第１接続部は、第１絶縁層上を介して、第１上部電極と第１延伸部とを接続している。
摘要翻译：提供具有用于连接多个光电转换元件的新颖结构的光电转换装置。第一光电转换元件设置有第一下电极，第一光电转换层和第一上电极。第二光电转换元件设置有第二下电极，第二光电转换层和第二上电极。第一光电转换元件和第二光电转换元件沿第一方向并排布置。第二下电极设置有从平行于第一方向的侧表面延伸到第二光电转换层的外部的第一延伸部分。第一绝缘层形成在第一光电转换元件的侧表面中的与第一延伸部分的延伸方向相对的侧表面上。第一连接部分将第一上电极和第一延伸部分连接在第一绝缘层上。

64. 发明申请

WO2010018961A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2010018961A3
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/KR2009004451
申请日：2009-08-10
申请人： TG SOLAR CORP , LEE YOO JIN , JANG IN GOO , KIM DONG JEE , JANG SEOK PIL , LEE YOUNG HO , LEE BYUNG IL , JANG TAEK YONG
发明人： LEE YOO JIN , JANG IN GOO , KIM DONG JEE , JANG SEOK PIL , LEE YOUNG HO , LEE BYUNG IL , JANG TAEK YONG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0392 , H01L31/046 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to a solar cell and to a method for manufacturing same. The solar cell according to the present invention includes a substrate (100); a lower electrode (111a) formed on the substrate (100); a photoelectric element unit (200a) including a polycrystalline photoelectric element (210) formed on the lower electrode (111a) and which has a plurality of laminated polycrystalline semiconductor layers (211a, 212a, 213a), and an amorphous photoelectric element (220) formed on the polycrystalline photoelectric element (210), and which has a plurality of laminated amorphous semiconductor layers (221, 222, 223); and an upper electrode (400) formed on the photoelectric element unit (200a).
摘要翻译：太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及太阳能电池及其制造方法。根据本发明的太阳能电池包括基板（100）; 形成在所述基板（100）上的下电极（111a）包括形成在下电极（111a）上并具有多个层叠多晶半导体层（211a，212a，213a）的多晶光电元件（210）和形成有非晶质光电元件（220）的光电元件单元（200a）在所述多晶硅元件（210）上，具有多个层叠的非晶半导体层（221,222,223）; 以及形成在所述光电元件单元（200a）上的上电极（400）。

65. 发明申请

WO2010050271A1 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置及制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2010050271A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/JP2009/062429
申请日：2009-07-08
申请人：三菱重工業株式会社 , 鶴我薫典 , 山口賢剛 , 呉屋真之 , 坂井智嗣
发明人：鶴我　薫典 , 山口　賢剛 , 呉屋　真之 , 坂井　智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L27/1423 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　開放電圧を増加させるとともに、ｎ層と裏面側透明電極層または中間コンタクト層とのコンタクト性を改善して形状因子を向上させた光電変換装置、及び、その製造方法を提供する。基板（１）上に、ｐ層（４１）とｉ層（４２）とｎ層とが積層された光電変換層（３）を備える光電変換装置（１００）であって、前記ｎ層が、窒素含有ｎ層（４３）と、該窒素含有ｎ層（４３）の前記基板（１）と反対側の面に形成された界面処理層（４４）とを備え、前記窒素含有ｎ層（４３）が、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が０以上３未満であり、前記界面処理層（４４）が、結晶化率１以上６以下であることを特徴とする光電変換装置（１００）。
摘要翻译：提供一种通过改善n层与后侧透明电极层或中间接触层的接触来提高开路电压并提高形状因数的光电转换装置。还提供了一种制造这种光电转换装置的方法。在基板（1）上设置有层叠有p层（41），i层（42）和n层的光电转换层（3）的光电转换元件（100）。 n层设置有含氮的n层（43）和在与基板（1）相反的一侧的含氮n层（43）的表面上形成的界面处理层（44））。在光电转换装置（100）中，含氮n层（43）含有原子浓度为1％以上且20％以下的氮原子，结晶化率为0以上且小于3 ，并且界面处理层（44）的结晶比为1以上且6以下。

66. 发明申请

WO2010023991A1 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム审中-公开
标题翻译：光电转换装置的生产方法，光电转换装置和用于生产光电转换装置的系统
公开(公告)号：WO2010023991A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/JP2009/057976
申请日：2009-04-22
申请人：株式会社アルバック , 朝比奈伸一 , 内田寛人 , 浅利伸 , 橋本征典 , 藤長徹志 , 小林忠正 , 若井雅文 , 今北健一 , 植喜信 , 斎藤一也 , 中村久三
发明人：朝比奈　伸一 , 内田　寛人 , 浅利　伸 , 橋本　征典 , 藤長　徹志 , 小林　忠正 , 若井　雅文 , 今北　健一 , 植　喜信 , 斎藤　一也 , 中村　久三
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　この光電変換装置の製造方法は、第一光電変換ユニット（３）を構成するｐ型半導体層（３１）、ｉ型半導体層（３２）、及びｎ型半導体層（３３）と、結晶質のシリコン系薄膜からなる第二光電変換ユニット（４）を構成するｐ型半導体層（４１）とを減圧雰囲気内で連続して形成し、前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）を大気雰囲気に暴露させ、大気雰囲気に暴露された前記第二光電変換ユニット（４）の前記ｐ型半導体層（４１）上に、前記第二光電変換ユニットを構成するｉ型半導体層（４２）及びｎ型半導体層（４３）を形成する。
摘要翻译：公开了一种制造光电转换装置的方法，其中构成第一光电转换单元（3）的p型半导体层（31），i型半导体层（32）和n型半导体层（33）在减压气氛中连续地形成由结晶硅薄膜构成并构成第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）则第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）暴露于环境大气中; 然后在第二光电转换单元（4）的p型半导体层（41）上形成构成第二光电转换单元（4）的i型半导体层（42）和n型半导体层（43））已暴露于环境气氛。

67. 发明申请

WO2009099217A1 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子审中-公开
标题翻译：生产太阳能电池元件和太阳能电池元件的工艺
公开(公告)号：WO2009099217A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2009/052109
申请日：2009-02-06
申请人：京セラ株式会社 , 新楽浩一郎 , 西村剛太 , 伊藤憲和 , 稲葉真一郎
发明人：新楽浩一郎 , 西村剛太 , 伊藤憲和 , 稲葉真一郎
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　素子特性が従来よりも向上したスーパーストレート型のａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太陽電池を提供する。透明基板上に形成された透明導電膜の上にリンを付着させる工程と、透明導電膜の上にプラズマＣＶＤ法にてａ－Ｓｉ：Ｈからなるｐ型層、ｉ型層、およびｎ型層を順次に形成する工程とによって、太陽電池素子を形成する。リンの付着は、例えばリン含有ガスをプラズマ化することで行う。あるいは、プラズマＣＶＤ法によるｐ型層の形成開始時に、プラズマ励起電圧が印加されるものの透明基板が載置されないマージン領域に設けられたリン供給源を水素プラズマにてエッチングさせることで行う。好ましくは、ｉ型層におけるホウ素拡散範囲内におけるホウ素とリンの濃度差の算術平均値ΔＣａｖが、１．１×１０ 17 （ｃｍ -3 ）≦ΔＣａｖ≦１．６×１０ 17 （ｃｍ -3 ）以下となるように、リンの付着を制御する。
摘要翻译：公开了一种与常规太阳能电池元件相比具有改进的元件特性的超轻型a-Si：H薄膜太阳能电池元件。太阳能电池元件通过包括在设置在透明基板上的透明导电膜上沉积磷的步骤的方法制造，以及连续形成p型层，i型层和n型层的步骤 a-Si：H通过等离子体CVD在透明导电膜上。磷例如通过含磷气体的等离子体化来沉积。或者，可以通过等离子体CVD开始形成p型层来沉积磷，但是在施加等离子体激发电压的情况下，设置在不提供透明基板的边缘区域中的磷供给源，氢等离子体。优选地，控制磷的沉积，使得i型层中的硼扩散范围内的硼和磷之间的浓度差的算术平均值（ΔCav）为1.1×10 17（cm -3）=π Cav = 1.6×1017（cm-3）以下。

68. 发明申请

WO2009081713A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置和用于制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：WO2009081713A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/072132
申请日：2008-12-05
申请人：三菱重工業株式会社 , 鶴我薫典 , 山口賢剛 , 呉屋真之 , 坂井智嗣
发明人：鶴我薫典 , 山口賢剛 , 呉屋真之 , 坂井智嗣
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　開放電圧を増加させることで発電効率を向上させた光電変換装置を提供する。ｐ層（４１）と、ｉ層（４２）と、ｎ層（４３）とが積層された光電変換層（３）を備える光電変換装置（１００）であって、前記ｐ層（４１）が、窒素原子を１％以上２５％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｐ層（４１）の結晶化率が０以上３未満である窒素含有層とされる。または、前記ｎ層（４３）が、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｎ層（４３）の結晶化率が０以上３未満である窒素含有層とされる。または、前記ｐ層（４１）と前記ｉ層（４２）との界面に界面層が形成され、該界面層が窒素原子を１％以上３０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層とされる。または、前記ｎ層（４３）と前記ｉ層（４２）との界面に界面層が形成され、該界面層が窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層とされる。
摘要翻译：提供了一种通过增加的开路电压具有改进的发电效率的光电转换装置。光电转换装置是包括由p层（41），i层（42）和n层（43）构成的叠层的光电转换层（3）的光电转换装置（100）。 p层（41）为含氮原子浓度为1％以上且25％以下的含氮层，并且使p层（41）的结晶化率不低于 0以上且n以下。n层（43）为氮原子浓度为1％以上且20％以下的含氮层，并且使n的结晶化率层（43）不小于0且小于3.或者，也可以采用以含有不少于1％且不大于30％的含氮层的界面层的结构的原子浓度为氮原子，设置在p层（41）和i层（42）的界面中，或者其中含有不少于1％的含氮层的界面层在n层的界面中提供了超过20％的原子浓度的氮原子（43）和第i层（42）。

69. 发明申请

WO2008132104A3 PHOTOVOLTAIC MODULE COMPRISING LAYER WITH CONDUCTING SPOTS 审中-公开
标题翻译：包含导电层的光伏组件
公开(公告)号：WO2008132104A3
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/EP2008054896
申请日：2008-04-23
申请人： HELIANTHOS BV , DUBBELDAM GERRIT CORNELIS , SPORTEL EDWIN PETER
发明人： DUBBELDAM GERRIT CORNELIS , SPORTEL EDWIN PETER
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/077
CPC分类号： H01L31/1872 , H01L31/077 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The invention pertains to a photovoltaic (PV) module comprising a plurality of cells, each cell containing a substrate, a transparent conductor layer, a photovoltaic layer, and a back-electrode layer, wherein the photovoltaic layer comprises at least one p-i-n or n-i-p silicon layer, characterized in that said silicon layer comprises 10 to 1000 conducting spots of recrystallized silicon per cm2, each having independently a surface or 10 to 2500 µm2. The PV module can be obtained by a method wherein the p-i-n or n-i-p silicon layer is locally heated whereby said silicon is transformed at these spots, after which the silicon at these spots is allowed to solidify in a transformed dtate.
摘要翻译：本发明涉及包括多个单元的光伏（PV）模块，每个单元包含基板，透明导体层，光伏层和背电极层，其中光伏层包括至少一个引脚或压区硅层，其特征在于，所述硅层每平方厘米包含10至1000个重结晶导电点，每个独立地具有10-2500μm2的表面。 PV模块可以通过其中局部加热p-i-n或n-i-p硅层的方法获得，由此所述硅在这些点被转化，之后使这些点上的硅在转化后的固化中固化。

70. 发明申请

WO2009034858A1 集積化タンデム型薄膜シリコン太陽電池モジュール及びその製造方法审中-公开
标题翻译：集成的TANDEM型薄膜硅太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：WO2009034858A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065529
申请日：2008-08-29
申请人：村田正義
发明人：村田正義
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要：　中間層を有する構造のタンデム型薄膜シリコン太陽電池モジュールにおいて問題となる該中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有するタンデム型薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。　中間層と接続溝の間に分離溝を設け、該分離溝は結晶質シリコン膜で埋め込まれるとともに、該分離溝と該接続溝の間には前記中間層の分離部材が存在しないという構造を有することを特徴とする。
摘要翻译：提供了具有其中布置有层间层的结构的串联型薄膜硅太阳能电池模块。该模块抑制了通过中间层的电流泄漏的问题，并且通过抑制无助于发电的无效区域的扩展而具有高的光转换效率。还提供了一种用于制造这种模块的方法。该模块具有这样的结构，其中分隔槽布置在中间层和连接槽之间，分离槽嵌有结晶硅膜，分离构件不存在于分隔槽和连接槽之间。

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