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51. 发明申请

WO1996013728A1 PROBE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：探索结构
公开(公告)号：WO1996013728A1
公开(公告)日：1996-05-09
申请号：PCT/JP1995002092
申请日：1995-10-12
申请人： NITTO DENKO CORPORATION , TAKAYAMA, Yoshinari , BABA, Toshikazu , HINO, Atsushi , AMINO, Ichiro
发明人： NITTO DENKO CORPORATION
IPC分类号： G01R01/073
CPC分类号： G01R1/07314 , G01R1/06761 , H05K3/4007
摘要： An insulating substrate (1) has a contact (2) on one side (1a) and a conductor circuit (3) on the other side (1b). The contact (2) and the conductor circuit (3) are connected electrically with each other through a conductor (5) formed in a through-hole (4) bored in the insulating substrate (1). The contact (2) has a laminate structure comprising a deep layer (1c) having a hardness of 100 to 700 Hk, an intermediate layer (1b) having a hardness of 10 to 300 Hk and a surface layer (1a) having a hardness of 700 to 1,200 Hk. Preferably, the tensile stress of the surface layer (1a) is not greater than 50 kg/mm . A low and stable contact resistance is maintained in an electrical test of small objects such as ICs, particularly in burn-in test. In a test method which forms and utilizes solder bumps on the object, the solder component of the object after inspection does not adhere to the contact. Even when ON/OFF of contact with the object under test is repeated, deterioration from the initial contact state is less, and the test can be carried out with high reliability.
摘要翻译：绝缘基板（1）在一侧（1a）上具有触点（2）和另一侧（1b）上的导体电路（3）。触点（2）和导体电路（3）通过在绝缘基板（1）上钻孔的通孔（4）中形成的导体（5）彼此电连接。触点（2）具有包括硬度为100〜700Hk的深层（1c），硬度为10〜300Hk的中间层（1b）和硬度为10〜300Hk的表面层（1a）的层叠结构， 700至1,200 Hk。优选地，表面层（1a）的拉伸应力不大于50kg / mm 2。在小型物体（如IC）的电气测试中，特别是在老化测试中，保持了低稳定的接触电阻。在形成并利用物体上的焊料凸块的测试方法中，检查后物体的焊料部件不粘附于接触。即使重复与被测试物体的接触ON / OFF，初始接触状态的劣化也较小，可以高可靠性地进行试验。

52. 发明申请

WO2016146451A1 CONTACT PROBE FOR A TESTING HEAD 审中-公开
标题翻译：联系人测试头
公开(公告)号：WO2016146451A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/055023
申请日：2016-03-09
申请人： TECHNOPROBE S.P.A.
发明人： CRIPPA, Roberto , CRIPPA, Giuseppe , VALLAURI, Raffaele
IPC分类号： G01R1/073 , G01R1/067 , H01R13/24
CPC分类号： G01R1/06738 , G01R1/06716 , G01R1/06755 , G01R1/06761 , G01R1/073 , G01R1/07314 , G01R1/07357 , H01R13/03 , H01R13/2464
摘要： A contact probe (10) for a testing head of a testing apparatus of electronic devices is described, the contact probe (10) comprising a body essentially extended in a longitudinal direction between respective end portions adapted to contact respective contact pads. Suitably, at least one end portion (10A) comprises an insert (20) made of a first conductive material having a hardness being greater than a second conductive material, which the contact probe (10) is made of, the insert (20) being supported by a section (21) of the end portion (10A), the section (21) being made of the second conductive material and being shaped so as to have a shape that is complementary to the insert (20) and to have respective abutting surfaces (21A, 21B) facing and adhering to respective abutting surfaces (20A, 20B) of the insert (20).
摘要翻译：描述了用于电子设备测试装置的测试头的接触探针（10），所述接触探针（10）包括主体，其基本上在适于接触相应接触垫的相应端部之间沿纵向方向延伸。适当地，至少一个端部（10A）包括由第一导电材料制成的插入件（20），所述插入件（20）具有大于第二导电材料的第一导电材料，所述接触探针（10）由所述第二导电材料制成，所述插入件由所述端部（10A）的部分（21）支撑，所述部分（21）由所述第二导电材料制成并且成形为具有与所述插入件（20）互补的形状，并且具有相应的邻接表面（21A，21B）面向并粘附到插入件（20）的相应的邻接表面（20A，20B）。

53. 发明申请

WO2016107756A1 SEMI-FINISHED PRODUCT COMPRISING A PLURALITY OF CONTACT PROBES FOR A TESTING HEAD AND RELATED MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：包含测试头和接头检测方法的多个接触探头的半成品
公开(公告)号：WO2016107756A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/EP2015/080419
申请日：2015-12-18
申请人： TECHNOPROBE S.P.A.
发明人： CRIPPA, Giuseppe , CRIPPA, Roberto
IPC分类号： G01R3/00
CPC分类号： G01R3/00 , G01R1/06761 , G01R1/07307 , G01R1/07314
摘要： It is described a manufacturing method of a semi-finished product (15) comprising a plurality of contact probes (10) for a testing head of electronic devices, the method comprising the steps of: - providing a substrate (11) made of a conductive material; and defining each of the contact probes (10) by removing material from the substrate (11) so that each of the contact probes (10) turns out to be anchored to the substrate (11) by at least one bridge of material (13), that step of defining the contact probes (10) comprising a step of laser cutting, in correspondence with a contour of the contact probes (10) and of that at least one bridge of material (13).
摘要翻译：描述了包括用于电子设备测试头的多个接触探针（10）的半成品（15）的制造方法，所述方法包括以下步骤： - 提供由导电材料制成的基底（11）材料; 以及通过从所述基底（11）上移除材料来限定每个所述接触探针（10），使得每个所述接触探针（10）通过至少一个材料桥（13）被固定到所述基底（11）限定接触探针（10）的步骤包括与接触探针（10）和该至少一个材料桥接件（13）的轮廓对应的激光切割步骤。

54. 发明申请

WO2013179471A1 量子電池の試験用半導体プローブ、試験装置及び試験方法审中-公开
标题翻译：用于测试量子电池，测试装置和测试方法的半导体探针
公开(公告)号：WO2013179471A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/JP2012/064232
申请日：2012-05-31
申请人：株式会社日本マイクロニクス , グエラテクノロジー株式会社 , 出羽晴匡 , 檜皮清康 , 中澤明
发明人：出羽　晴匡 , 檜皮　清康 , 中澤　明
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/36 , H01M10/48
CPC分类号： G01R1/067 , G01R1/06744 , G01R1/06761 , G01R31/3624 , G01R31/3665 , H01L22/14
摘要：　量子電池の製作プロセス途中での充電層の電気的特性評価を、損傷することなく行う事ができる半導体プローブによる量子電池の試験装置及び試験方法を提供する。電極５４と金属酸化物半導体５６とを支持体５２に積層して構成された半導体プローブ５０に、さらに量子電池と同じ材料でプローブ充電層５８を形成し、紫外線照射する。半導体プローブ５０に、量子電池と同じ材料でプローブ充電層５８を形成することで、量子電池の充電層を傷つけることが無く評価が可能である。このプローブ充電層５８を備えた半導体プローブ５０を使用して、電圧計６４と、定電流源６２又は放電抵抗６６により、量子電池製作途中での充電層１８の充放電特性を測定する試験装置及び試験方法を提供する。
摘要翻译：提供一种使用半导体探针测量量子电池的装置和方法，其中可以通过半导体探针的电特性来评估充电层的电特性，而不会造成损坏。使用与量子单元中使用的材料相同的材料，在由支撑体上的电极（54）和金属氧化物半导体（56）构成的半导体探针（50）上形成探针充电层（58） 52），并用UV照射。使用与量子单元中使用的材料相同的材料在半导体探针（50）上形成探针充电层（58）使得可以进行评估而不损坏量子单元的充电层。提供了一种测试装置和测试方法，其中通过电压计（64）和恒流源（62）或放电（62）测量通过制造量子单元的过程的充电层（18）的充电/放电特性电阻（66），使用设置有探针充电层（58）的半导体探针（50）。

55. 发明申请

WO2013058465A1 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법 审中-公开
标题翻译：制造用于测试半导体器件的接触的方法
公开(公告)号：WO2013058465A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/KR2012/004979
申请日：2012-06-25
申请人： 실리콘밸리(주) , 윤경섭
发明人： 윤경섭
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26
CPC分类号： G01R1/067 , G01R1/06761 , G01R3/00 , Y10T156/1052
摘要： 본 발명은 반도체소자의 리드단자를 접촉시켜 반도체소자에 대한 정상 여부를 검사하기 위해 사용되는 절연체판에 도전체부가 일정간격 배열형성된 테스트 소켓용 콘텍트에 관한 것으로, 이를 더 상세하게 설명하면, 상기 콘텍트를 절연체층과 도전체층을 연속 반복하여 접합 적층하고, 이 적층물의 일면을 절단한 후, 상기 적층물과 절연체층을 다시 연속 반복하여 접합 적층한 다음, 이 적층물의 전면을 절단하여서 완성물을 얻는 새로운 타입의 콘텍트를 제조방법을 제공함으로써, 상기 제조과정에서 층을 형성하는 두께와, 절단 폭에 따라 도전체부의 피치 간격을 결정할 수 있어 도전체부의 피치 간격을 달성할 수 있는 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测试插座的触点，其中导体部分被形成为以一定间隔布置在用于通过接触半导体器件的读取端子来测试半导体器件是否正常的电介质板上具体地说，涉及一种用于制造用于测试半导体器件的接触的方法，其中接触件与电介质层和导体层交替重复地粘合和堆叠，堆叠的一侧被切割，然后堆叠和电介质层再次经过重复的交替粘合和堆叠，之后切割堆叠的前表面以产生新型接触的成品。因此，可以根据制造过程中的层的厚度和切割宽度来确定导体部分的间距，从而可以实现导体部分的期望间距。

56. 发明申请

WO2013046985A1 METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT PROBE 审中-公开
标题翻译：制造接触探针的方法
公开(公告)号：WO2013046985A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012070823
申请日：2012-08-16
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES , CHIBA YUKIFUMI , NITTA KOJI , TOKUDA TAKESHI
发明人： CHIBA YUKIFUMI , NITTA KOJI , TOKUDA TAKESHI
IPC分类号： G01R1/067
CPC分类号： G01R1/067 , C25D1/00 , C25D1/20 , G01R1/06716 , G01R1/06761 , G01R1/07357 , G01R3/00 , Y10T29/49002
摘要： A method for manufacturing a contact probe (10) is provided with the following steps: a lithography step for obtaining a resin mold by forming, in a resist formed on a conductive substrate, the pattern of a contact probe (10), the pattern of a frame-shaped tie bar (20) surrounding the periphery thereof, and the pattern of a connection portion (30) connecting both the patterns by lithography; an electroforming step for forming a layer produced from a metal material in the resin mold by electroforming to form a metal structure (1) in which the contact probe (10) and the tie bar (20) are integrated by the connection portion (30); a removal step for removing the resin mold and the conductive substrate; a plating step for forming a plated layer on the surface of the metal structure (1) by electroplating after the removal step; and a separation step for separating the contact probe (10) from the metal structure (1) after the plating step. Consequently, the method for manufacturing the contact probe (10), by which the plating layer having a uniform thickness can be easily formed on the surface, can be provided.
摘要翻译：一种用于制造接触探针（10）的方法，其具有以下步骤：光刻步骤，用于通过在形成在导电基底上的抗蚀剂中形成接触探针（10）的图案来获得树脂模具，围绕其周边的框形连杆（20）和通过光刻连接两个图案的连接部分（30）的图案; 一种电铸步骤，用于通过电铸在所述树脂模具中形成由金属材料制成的层，以形成其中所述接触探针（10）和所述连杆（20）由所述连接部分（30）一体化的金属结构（1） ; 去除树脂模具和导电基板的去除步骤; 电镀步骤，用于在去除步骤之后通过电镀在金属结构（1）的表面上形成镀层; 以及用于在镀覆步骤之后从金属结构（1）分离接触探针（10）的分离步骤。因此，能够容易地在表面上形成具有均匀厚度的镀层的接触探针（10）的制造方法。

57. 发明申请

WO2012176289A1 スパイラルプローブ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：螺旋式探头及其制造方法
公开(公告)号：WO2012176289A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/JP2011/064238
申请日：2011-06-22
申请人：株式会社メイコー , 新開昇
发明人：新開　昇
IPC分类号： G01R1/067
CPC分类号： G01R1/06733 , G01R1/06716 , G01R1/06761 , G01R3/00 , H01R13/2421 , H01R2201/20
摘要：被検査物に直接接触する先細形状の先端部（２）と、前記先端部（２）の根本から一方向に延びる略中空円筒形状の先端側本体部（３）と、前記先端側本体部（３）と連続して一体的に前記一方向に延び、外周面が螺旋状に形成された略中空円筒形状のたわみ部（４）と、該たわみ部（４）と連続して一体的に前記一方向に延びる略中空円筒形状の基端部（５）とを備え、前記先端側本体部（３）、前記たわみ部（４）及び前記基端部（５）の外周面は前記一方向に沿って揃っている。
摘要翻译：在本发明中，提供了直接接触测试对象的锥形末端部分（2）; 具有基本上中空的圆筒形的从顶端部分（2）的根部沿一个方向延伸的尖端侧主体部分（3）; 具有大致中空圆筒形状的弯曲部分（4）连接到末端侧主体部分（3），沿一个方向一体地延伸，并且具有螺旋形状的外周表面; 和具有大致中空圆筒形状的基端部（5）连接到弯曲部分（4）并沿一个方向一体地延伸。前端侧主体部（3），弯曲部（4）和基端部（5）的外周面沿一个方向排列。

58. 发明申请

WO2012067161A1 コンタクトプローブピン审中-公开
标题翻译：联系人探针
公开(公告)号：WO2012067161A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/JP2011/076444
申请日：2011-11-16
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 株式会社コベルコ科研 , 平野貴之 , 古保里隆
发明人：平野　貴之 , 古保里　隆
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
摘要：　本発明は、導電性と耐久性を兼ね備えた炭素皮膜を、先端が分割された基材に対して形成するようなコンタクトプローブピンにおいて、使用環境が高温になる様な状況下においても、Ｓｎ付着を極力低減し、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできるコンタクトプローブピンを提供する。本発明は、２つ以上の突起に分割された先端を有し、該突起で被検面に繰り返し接触するコンタクトプローブピンであって、少なくとも前記突起の表面には、金属元素を含有する炭素皮膜が形成されていると共に、前記突起の頂部における曲率半径が３０μｍ以上であるコンタクトプローブピンに関する。
摘要翻译：本发明提供了一种接触探针，其包括在具有分段末端的基板上形成的导电和耐用的碳膜，所述接触探针能够长时间保持稳定的电接触并减少锡沉积即使在导致高温使用环境的情况下也是如此。本发明涉及一种接触探针，其具有尖端分成至少两个突起并且经由所述突起重复地接触被测试的表面，其中包含金属元素的碳膜至少形成在每个突起的表面上每个突起的顶点的曲率半径为30μm以上。

59. 发明申请

WO2012014331A1 コンタクトシート、プローブ、半導体ウェハ試験装置、コンタクトシートの製造方法、及び半導体ウェハの試験方法审中-公开
标题翻译：接触片，探针，半导体波形测试装置，生产接触片的方法和测试半导体波形的方法
公开(公告)号：WO2012014331A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/JP2010/064823
申请日：2010-08-31
申请人：株式会社アドバンテスト , 三浦武雄 , 松村茂
发明人：三浦　武雄 , 松村　茂
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073
CPC分类号： G01R1/06761 , G01R1/06738
摘要：コンタクトシート２０は、樹脂材料から構成されたコア材２５、及び、金属材料から構成され、コア材２５の表面を被覆する被覆層２６を有するコンタクトボール２４と、コンタクトボール２４が挿入される貫通孔２２１，２３１がそれぞれ形成された一対のシート２２，２３と、を備えており、コンタクトボール２４が貫通孔２２１，２３１に挿入された状態で、一対のシート２２，２３の間にコンタクトボール２４が挟持されている。
摘要翻译：接触片（20）包括：具有由树脂材料构成的芯构件（25）的接触球（24）和由金属材料构成的覆盖层（26）的接触球（24）芯构件（25）; 以及分别设置有接触球（24）插入其中的通孔（221,231）的一对片（22,23）。接触球（24）被插入到通孔（221,231）中之前被保持在一对片（22,23）之间。

60. 发明申请

WO2012008128A1 半導体検査装置用プローブピン、その製造方法及び半導体検査方法审中-公开
标题翻译：半导体检测装置的探针，其制造方法和半导体检测方法
公开(公告)号：WO2012008128A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/003911
申请日：2011-07-07
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 伊藤弘高 , 山本兼司
发明人：伊藤　弘高 , 山本　兼司
IPC分类号： G01R1/067
CPC分类号： G01R1/06761
摘要：【課題】プローブピンがはんだと接触した際に、はんだの主成分であるスズがプローブピンの接触部に凝着することを防ぎ、耐スズ凝着性に優れた導電性皮膜を基材表面に形成して成る半導体検査装置用プローブピンを提供することを目的とする。【解決手段】導電性基材と、銅およびジルコニウムを含有する銅－ジルコニウム皮膜とを含む半導体検査装置用プローブピンであって、前記銅－ジルコニウム皮膜において、ジルコニウムと銅の総原子数に対するジルコニウム原子数の割合が、１５～８５原子％であり、前記皮膜の膜厚が、０．０５～３μｍであることを特徴とする半導体検査装置用プローブピン。前記銅－ジルコニウム皮膜はさらに炭素原子を含み、前記銅－ジルコニウム皮膜の総原子数に対する炭素原子数の割合が、４０原子％以下であることが好適である。
摘要翻译：提供了一种用于半导体检测装置的探针，其中当探针与焊料接触时，防止作为焊料的主要成分的锡和粘合到探针的接触部分的导电膜，在基材的表面上形成优异的锡粘附性。具体地提供了一种用于半导体检测装置的探针，其包括导电基材和含有铜和锆的铜 - 锆膜，其中锆原子数相对于锆和铜原子总数的比例为15至85 铜 - 锆膜中的原子％，膜的厚度为0.05〜3μm。此外，铜 - 锆膜也含有碳原子，优选相对于铜 - 锆膜中的总原子数的碳原子数的比例为40原子％以下。

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