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1. 发明申请

WO2013058465A1 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법 审中-公开
标题翻译：制造用于测试半导体器件的接触的方法
公开(公告)号：WO2013058465A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/KR2012/004979
申请日：2012-06-25
申请人： 실리콘밸리(주) , 윤경섭
发明人： 윤경섭
IPC分类号： G01R1/067 , G01R31/26
CPC分类号： G01R1/067 , G01R1/06761 , G01R3/00 , Y10T156/1052
摘要： 본 발명은 반도체소자의 리드단자를 접촉시켜 반도체소자에 대한 정상 여부를 검사하기 위해 사용되는 절연체판에 도전체부가 일정간격 배열형성된 테스트 소켓용 콘텍트에 관한 것으로, 이를 더 상세하게 설명하면, 상기 콘텍트를 절연체층과 도전체층을 연속 반복하여 접합 적층하고, 이 적층물의 일면을 절단한 후, 상기 적층물과 절연체층을 다시 연속 반복하여 접합 적층한 다음, 이 적층물의 전면을 절단하여서 완성물을 얻는 새로운 타입의 콘텍트를 제조방법을 제공함으로써, 상기 제조과정에서 층을 형성하는 두께와, 절단 폭에 따라 도전체부의 피치 간격을 결정할 수 있어 도전체부의 피치 간격을 달성할 수 있는 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测试插座的触点，其中导体部分被形成为以一定间隔布置在用于通过接触半导体器件的读取端子来测试半导体器件是否正常的电介质板上具体地说，涉及一种用于制造用于测试半导体器件的接触的方法，其中接触件与电介质层和导体层交替重复地粘合和堆叠，堆叠的一侧被切割，然后堆叠和电介质层再次经过重复的交替粘合和堆叠，之后切割堆叠的前表面以产生新型接触的成品。因此，可以根据制造过程中的层的厚度和切割宽度来确定导体部分的间距，从而可以实现导体部分的期望间距。

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