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51. 发明申请

WO2014060355A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN 审中-公开
标题翻译：用于生产光电半导体器件各种
公开(公告)号：WO2014060355A2
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/EP2013/071428
申请日：2013-10-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRANDL, Martin , BOSS, Markus , PINDL, Markus , JEREBIC, Simon , BRUNNER, Herbert , GEBUHR, Tobias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L31/0203 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), - Aufbringen einer Vielzahl von Anordnungen (20) von elektrisch leitenden ersten Kontaktelementen (21) und zweiten Kontaktelementen (22) auf dem Hilfsträger (1), - Aufbringen jeweils eines optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf dem zweiten Kontaktelement (22) jeder Anordnung (20), - elektrisch leitendes Verbinden der optoelektronischen Halbleiterchips (3) mit den ersten Kontaktelementen (21) der jeweiligen Anordnung (20), - Umhüllen der ersten Kontaktelemente (21) und der zweiten Kontaktelemente (22) mit einem Umhüllungsmaterial (4), und - Vereinzeln in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, wobei - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (21b) eines jeden ersten Kontaktelements (21) abschließt, und - das Umhüllungsmaterial (4) bündig mit der dem Hilfsträger (1) zugewandten Unterseite (22b) eines jeden zweiten Kontaktelements (22) abschließt.
摘要翻译：一种用于制备光电半导体部件的多个与所述步骤方法表示： - 提供一个辅助载体（1）， - 所述辅助载体上涂敷导电的第一接触元件（21）和第二接触元件（22）的多个阵列（20）（1）， - 将在每个组件（20）的第二接触元件（22）上各一个光电子半导体芯片（3）， - 与各个组件的第一接触元件（21）（20）的光电子半导体芯片（3）的导电连接， - 涂覆第一接触元件（21）和所述第二接触元件（22）的包装材料（4），以及 - 分离成多个光电半导体部件的方法，其中 - 所述包装材料（4）与所述辅助载体齐平（1）的面对底部（ 21B）每一个第一触点元件（21）关闭，并且 - 所述包装材料（4）是齐平面向底部的辅助载体（1）（22b）的每一个第二接触元件（22）关闭。

52. 发明申请

WO2019025451A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019025451A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/EP2018/070757
申请日：2018-07-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEISEN, Daniel , BRUNNER, Herbert , DINU, Emilia , EBERHARD, Jens , KEITH, Christina , REESWINKEL, Thomas , RICHTER, Daniel
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/52
摘要： Bei einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger mit einer Oberseite bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Auf die Vergussoberfläche werden Partikel aufgesprüht, wobei ein Teil der Partikel an der Vergussoberfläche verbleibt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.

53. 发明申请

WO2017037037A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITER-BAUTEILS, OPTOELEKTRONISCHES; HALBLEITER-BAUTEIL, UND TEMPORÄRER TRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件，光电; 半导体部件和临时载体
公开(公告)号：WO2017037037A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/070359
申请日：2016-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： JAEGER, Harald , MOOSBURGER, Jürgen , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Offenbart wird: ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines temporären Trägers (100) mit einer ersten Metallschicht (110) und einer zweiten Metallschicht (120), wobei die Metallschichten voneinander lösbar sind, und wobei zwischen den beiden Metallschichten eine Zwischenschicht (130), insbesondere eine Chromschicht, angeordnet ist, Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchips (140) auf der ersten Metallschicht (110) des temporären Trägers (100), und mechanisches Lösen der zweiten Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110); ein optoelektronisches Halbleiter-Bauteil (180), das durch dieses Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) hergestellt wurde, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (140) und Kontaktflächen, die ein Material der Zwischenschicht (130), insbesondere Chrom, aufweisen; und einen temporären Träger (100) zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180), wobei der temporäre Träger (100) eine erste Metallschicht (110), eine zweite Metallschicht (120), und eine zwischen den beiden Metallschichten angeordnete Zwischenschicht (130), welche insbesondere Chrom enthält oder aus Chrom besteht, aufweist, und wobei die erste Metallschicht (110) auf der zweiten Metallschicht (120) so angebracht ist, dass die zweite Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110) mechanisch lösbar ist.
摘要翻译：公开的是：用于生产包括以下步骤的光电子半导体器件（180）的方法：提供临时支撑件（100），具有第一金属层（110）和第二金属层（120），其中，所述金属层是可拆卸的相互，和其中，布置在所述两个金属层之间的中间层（130），尤其是铬层，安装的临时支撑（100）和所述第二金属层（120）的机械释放的所述第一金属层（110）上的光电子半导体芯片（140）第一金属层（110）; 的光电子半导体器件（180），这是由该方法生产的用于制造光电子半导体器件（180），与光电半导体芯片（140）和构成该中间层（130）的材料，特别是铬的接触面; 和用于制造光电子半导体器件（180）的临时载体（100），所述临时支撑件（100），第一金属层（110），第二金属层（120）和设置在所述两个金属层中间层之间（130）其中包含，特别是铬或铬的，并且其中，所述第二金属层（120）在所述第一金属层（110）被安装成使得所述第一金属层（110）的所述第二金属层（120）是机械地可释放的。

54. 发明申请

WO2015172937A1 HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件，照明装置和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2015172937A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/EP2015/057096
申请日：2015-03-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , BOGNER, Georg , BRUNNER, Herbert , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/25 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; - einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 多个半导体芯片（2），每一个都具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 一个辐射出射侧（10），其平行于所述有源区; - 安装侧表面，该表面设置用于固定所述半导体器件和倾斜或垂直于所述辐射出射侧（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 连接其被布置在所述成型体和所述多个半导体芯片彼此电的至少两个半导体芯片的接触结构（50）。此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

55. 发明申请

WO2014023617A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHENS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件，转换剂板及其制造方法A转换器，平板
公开(公告)号：WO2014023617A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/EP2013/066011
申请日：2013-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , GALLMEIER, Hans-Christoph , STOLL, Ion , BRUNNER, Herbert , SCHLERETH, Thomas
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/501 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.
摘要翻译：至少在一个实施例中，半导体器件（1）包括的光电子半导体芯片3。此外，半导体器件（1）包括变换介质板（4），其被安装在半导体芯片（3）的辐射主侧（30）和适于初级辐射转换成一个次级辐射。转换介质板（4）包括嵌入在其中的基体材料（42）和转换剂颗粒（43）。此外，转换介质板（4）包括一个转换层（41A）。在所述至少一个转换层（41A）是变换介质颗粒（43）。转换剂颗粒（43），与任选存在的扩散剂颗粒（45）单独或一起构成的转换层（41A）的至少50％的体积分数。此外，转换介质板（4）包括一接合层（41C），其中所述颗粒的转换装置（43）是与存在的不超过2.5％的体积分数。

56. 发明申请

WO2023001592A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2023001592A1
公开(公告)日：2023-01-26
申请号：PCT/EP2022/069104
申请日：2022-07-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： NEUDECKER, Ingo , BRUNNER, Herbert , LEISEN, Daniel
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1), umfassend die folgenden Schritte angegeben: A) Bereitstellen eines strahlungsdurchlässigen Quellträgers (20) mit einer Wellenlängenkonversionsschicht (11), die auf einer Vorderseite (20A) des Quellträgers (20) angeordnet ist, und eines Zielträgers (30) mit einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (10), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind, B) bereichsweises Bestrahlen eines Zielbereichs (40A) des Quellträgers (20) von einer der Vorderseite (20A) gegenüberliegenden Rückseite (20B) mit einer elektromagnetischen Strahlung (40), wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (11) bereichsweise von dem Quellträger (20) abgelöst wird und jeweils als Wellenlängenkonversionselement (110) auf einen dem Zielbereich (40A) gegenüberliegenden Halbleiterkörper (10) aufgebracht wird. Ferner wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

57. 发明申请

WO2022017905A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BASISPLATTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022017905A1
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：PCT/EP2021/069736
申请日：2021-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SORG, Jörg Erich , HÜTTINGER, Roland , HOFMANN, Matthias , STRAUSS, Steffen , BRUNNER, Herbert , WAGNER, Ralph
IPC分类号： H01S5/0222 , H01S5/02224 , H01L33/48
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Strahlung (R) und ein Gehäuse (3), in dem der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip (2) hermetisch gekapselt ist. Das Gehäuse (3) umfasst einen Gehäusedeckel (31), der mit einem Verbindungsmittel (5) an einem Gehäusegrundkörper (32) befestigt ist. Weiterhin umfasst das Gehäuse (3) einen Gasaustauschkanal (4), der mit einer Abdichtung (7) hermetisch verschlossen ist.

58. 发明申请

WO2019072759A1 HALBLEITERLASER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUTEILE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019072759A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：PCT/EP2018/077313
申请日：2018-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SORG, Jörg Erich , KÖNIG, Harald , LELL, Alfred , PESKOLLER, Florian , AUEN, Karsten , SCHULZ, Roland , BRUNNER, Herbert , SINGER, Frank , HÜTTINGER, Roland
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02248 , H01S5/02 , H01S5/022
摘要： In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.

59. 发明申请

WO2017021411A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2017021411A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/EP2016/068437
申请日：2016-08-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRUNNER, Herbert , PINDL, Markus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers (100), zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens (200) an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (300) an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials (500) an der Oberseite des Bogens, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet wird, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper (600) gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.
摘要翻译：制造光电子器件（10）的方法，包括用于在片材的上侧在所述载体的上侧附接的含波长的材料片（200），用于光电子半导体芯片（300）的定位提供载体（100）的步骤用于在片材，其中，所述光电子半导体芯片是至少部分地嵌入在模制材料，其中灌封材料，片材和所述光电子半导体芯片全面复合体（600）上形成的顶部放置灌封材料（500），和用于分离该复合体从支撑。

60. 发明申请

WO2016066689A1 Herstellung eines Leuchtmoduls für eine Hinterleuchtungsvorrichtung 审中-公开
标题翻译：制备照明模块，用于背光
公开(公告)号：WO2016066689A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/EP2015/074988
申请日：2015-10-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRUNNER, Herbert , BOSS, Markus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2924/0002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls für eine Hinterleuchtungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats, ein Bereitstellen einer Trägerstruktur auf dem Substrat, und ein Anordnen von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Substrat. Die Strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfassen eine Gruppe aus in einer Reihe nebeneinander angeordneten Strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Weiter vorgesehen sind ein Anordnen einer strahlungsdurchlässigen Abdeckung auf der Trägerschicht, wobei die Abdeckung die strahlungsemittierenden Halbleiterchips überdeckt, und ein Durchtrennen des Substrats, der Trägerstruktur und der Abdeckung zum Separieren des Leuchtmoduls. Das separierte Leuchtmodul weist die Gruppe aus in einer Reihe nebeneinander angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Hinterleuchtungsvorrichtung, und ein Leuchtmodul.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造用于背光的发光模块的方法。该方法包括：提供衬底;在衬底上提供的支撑结构，和发射辐射的半导体芯片的衬底上布置。发射辐射的半导体芯片包括在一行中相邻的发射辐射的半导体芯片的基团。进一步提供了放置辐射可透过的覆盖背衬层，其中，所述盖覆盖所述发射辐射的半导体芯片，以及所述衬底的切断，所述支撑结构和用于分离发光模块的盖上。将分离的发光模块，该组成一系列并置的发射辐射的半导体芯片。本发明还涉及一种方法，用于生产背面照明装置，以及发光模块。

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