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51. 发明申请

WO2015124464A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2015124464A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/052761
申请日：2015-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L25/50 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit zumindest einer Montagefläche (11), ein Erzeugen von zumindest zwei Durchkontaktierungen (4) in dem Träger (1) mit in den Durchkontaktierungen (4) verlaufenden elektrisch leitenden Kontakten (12, 13), ein Bereitstellen zumindest eines Licht emittierenden Halbleiterchips (2), wobei der Halbleiterchip (2) ein Aufwachssubstrat (10) und eine darauf epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (7) umfasst, ein Montieren des zumindest einen Halbleiterchips (2) auf die zumindest eine Montagefläche (11) des Trägers (1), wobei der Halbleiterchip (2) beim Montieren auf die Montagefläche (11) im selben Verfahrensschritt elektrisch leitend mit den Kontakten (12, 13) verbunden wird, ein Vereinzeln des Trägers (1) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei eine Vereinzelungslinie (V) durch zumindest eine der Durchkontaktierungen (4) verläuft, so dass nach dem Vereinzeln die Kontakte (12, 13) Kontaktflächen (5) an zumindest einer Seitenfläche (la) des Trägers (1) bilden, wobei die Seitenfläche (la) senkrecht zur Montagefläche (11) des Trägers (1) ist, und eine Montage des Trägers (1) mit den Kontaktflächen (5) auf einer Anschlussplatte (8), wobei die Montagefläche (11) senkrecht zu der Anschlussplatte (8) steht.
摘要翻译：提供了一种方法用于制造光电子组件（100），包括提供一个载体（1），具有至少一个安装表面（11），产生在所述支承件（1）与（在通孔中的至少两个通孔（4） 4）延伸的导电触点（12，13），提供至少一个发光半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2），包括在生长衬底（10）和随后的外延生长层序列（7），安装所述至少一个半导体芯片（2）到所述载体（1）的至少一个安装表面（11），其中所述半导体芯片（2）在同一工艺步骤中的安装表面（11）上安装时，导电连接到接触件（12，13）连接，一个切单该载体（1）沿着切割线（V），其特征在于，分离线（V）通过通孔（4）中的至少一个，从而使后分离所述触点（12,13）的接触表面（5）上的支架（1）的至少一个侧表面（LA），其特征在于，垂直于所述载体（1）的安装面（11）的侧表面（LA），和载体的组件（1）用在连接板（8）的接触表面（5），其中所述安装表面（11）垂直于所述连接板（8）。

52. 发明申请

WO2015110359A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2015110359A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：PCT/EP2015/050781
申请日：2015-01-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , ILLEK, Stefan , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/60 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L23/147 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/80 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/08235 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (100) angegeben, bei dem ein Träger (1) mit einer ersten Isolierungsschicht (12), einer von der ersten Isolierungsschicht zumindest bereichsweise bedeckten Spiegelschicht (13) und einem Anschlusselement (41) bereitgestellt wird, wobei der Träger eine freiliegende, planare Montagefläche (11) aufweist und sich das Anschlusselement durch die erste Isolierungsschicht hindurch zur Montagefläche erstreckt. Des Weiteren wird ein Hauptkörper (2) mit einem Halbleiterkörper (20), einer zweiten Isolierungsschicht (22) und einem Kontaktelement (42) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers bereitgestellt, wobei der Hauptkörper eine freiliegende, planare Kontaktfläche (21) aufweist und sich das Kontaktelement durch die zweite Isolierungsschicht hindurch zur Kontaktfläche erstreckt. Der Hauptkörper wird mit dem Träger verbunden, wobei die planare Kontaktfläche und die planare Montagefläche zur Bildung einer Verbindungsfläche (3) zusammen geführt werden und das Kontaktelement und das Anschlusselement elektrisch miteinander verbunden werden. Weiterhin wird ein solches Halbleiterbauelement angegeben, wobei die Spiegelschicht eben ausgebildet ist, in Draufsicht seitlich über den Hauptkörper hinausragt, und die Verbindungsfläche (3) frei von einem Verbindungsmaterial ist.
摘要翻译：本发明提供一种制造半导体器件（100），其中，载体（1）设置有第一绝缘层（12），一个至少部分地由第一绝缘层反射镜层（13）和连接元件（41）覆盖的方法，具有暴露的平坦的安装面（11）和所述连接元件的承载穿过第一绝缘层，以安装表面延伸。此外，一个主体（2）与半导体主体（20），第二绝缘层（22）和用于半导体本体的电接触的接触元件（42）设置，其中，所述主体具有暴露的平面接触表面（21）和所述接触元件穿过第二绝缘层延伸至所述接触表面。主体被连接到载体上，其中所述平坦接触表面和平面的安装表面，以形成一个连接表面（3）被引导一起和接触元件和连接元件电连接在一起。此外，这种半导体装置被提供，其中，所述反射镜层形成为平坦状，在延伸横向在主体俯视图和连接表面（3）是自由的接合材料的。

53. 发明申请

WO2015074900A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：集成ESD保护的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015074900A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/074071
申请日：2014-11-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , HAHN, Berthold , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HERRMANN, Siegfried , PLÖSSL, Andreas , KATZ, Simeon , MEYER, Tobias , ZINI, Lorenzo , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/16 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L27/15 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem integrierten Überbrückungselement (9, 9A) angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（1）与成为过电压保护的一体的桥接元件（9，9A）。

54. 发明申请

WO2015062990A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND ANORDNUNG MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和装置与至少一个这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015062990A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/EP2014/072888
申请日：2014-10-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/62 , H05K1/18 , H01L33/48 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/382 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2924/10158 , H05K1/182 , H05K2201/10106
摘要： In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet die Anordnung (2) einen Halbleiterchip (1) sowie zumindest eine Montageplattform (3). Elektrische Anschlussflächen (31) an einer Plattformanschlussseite (30) sind elektrisch und mechanisch mit den elektrischen Kontakten (15) an einer Trägerhauptseite (12) eines Trägers (11) des Halbleiterchips (1) verbunden. Der Halbleiterchip (1) ist derart an der Montageplattform (3) angeordnet, so dass sich eine Halbleiterschichtenfolge (13) des Halbleiterchips (1) in einem Fenster (32) der Montageplattform (3) befindet. Der Träger (11) des Halbleiterchips (1) überragt das Fenster (32) seitlich, in Draufsicht auf eine Strahlungshauptseite (18) gesehen. Eine Dicke (T) der Montageplattform (3) ist größer als eine Dicke (H) der Halbleiterschichtenfolge (13).
摘要翻译：在至少一个实施例中，所述组件（2）包括半导体芯片（1）和至少一个安装平台（3）。在一个平台上的连接侧（30）的电连接焊盘（31）电连接和机械连接到在半导体芯片（1）的载体（11）的载体主侧（12）的电触头（15）。在半导体芯片（1）被布置成安装平台（3）上，从而使半导体芯片（1）的在所述安装平台的窗口（32）的半导体层序列（13）（3）。在半导体芯片（1）的载体（11）延伸超过所述窗口（32）横向地，在看到了辐射主侧（18）的俯视图。安装平台（3）的厚度（T）大于所述半导体层序列（13）的厚度（H）大。

55. 发明申请

WO2020165164A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2020165164A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/EP2020/053460
申请日：2020-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/20 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (300) einen optoelektronischen Halbleiterchip (100) und ein reflektierendes Gehäuse (200). Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), die im bestimmungsgemäßen Betrieb eine Primärstrahlung erzeugt und mehrere Konversionselemente (21, 22). Die Konversionselemente (21, 22) sind dazu eingerichtet, die Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Konversionselemente (21, 22) sind jeweils als Nanorod oder Mikrorod ausgebildet. Die Konversionselemente (21, 22) sind in der Halbleiterschichtenfolge (1) eingebettet. Der Halbleiterchip (100) ist in einer Ausnehmung des Gehäuses (200) montiert und lateral von reflektierenden Innenflächen (205) des Gehäuses (200) umgeben.

56. 发明申请

WO2019115258A1 TEXTILKOMPONENTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TEXTILKOMPONENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019115258A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/EP2018/083188
申请日：2018-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HAIBERGER, Luca , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： D02G3/44 , D03D1/00
摘要： In einer Ausführungsform umfasst die Textilkomponente (1) wenigstens einen flexiblen, webbaren Faden (10). In oder an dem Faden (10) ist eine Vielzahl von Halbleitersäulen (3) befestigt, die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind. Ferner befinden sich in oder an dem Faden (10) mehrere elektrische Leitungen (4), mittels denen die Halbleitersäulen (3) elektrisch kontaktiert sind. Eine mittlere Höhe (H) der Halbleitersäulen (3) in Richtung quer zu einer Längsrichtung (L) des Fadens (10) liegt bei höchstens 20 % eines mittleren Durchmessers (D) des Fadens (10).

57. 发明申请

WO2018104170A3 BAUTEIL MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104170A3
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/EP2017/081182
申请日：2017-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LINKOV, Alexander , SINGER, Frank , BRUCKSCHLOEGL, Matthias , HERRMANN, Siegfried , SCHWARZ, Thomas
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/58 , H01L33/48
摘要： Die Erfindung betrifft ein Bauteil (1) mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement (2), wobei das Bauelement (2) mit einer Unterseite auf einer Oberseite (30) eines ersten Trägers (3) angeordnet ist, wobei der erste Träger (3) transparent für die Strahlung des Bauelementes (2) ist, wobei der erste Träger (3) mit einer Unterseite (31) auf einer Oberseite (13) eines zweiten Trägers (4) angeordnet ist, wobei der zweite Träger (4) zweite elektrische Kontakte (10, 11) aufweist, wobei die zweiten elektrischen Kontakte (10, 11) über elektrische Leitungen (16, 17) mit elektrischen Kontakten (14, 15) des Bauelementes (2) verbunden sind.

58. 发明申请

WO2017129697A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT SEITENKONTAKTEN 审中-公开
标题翻译：具有侧面接触的光电子器件
公开(公告)号：WO2017129697A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/051679
申请日：2017-01-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHOLZ, Dominik , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/568 , H01L33/486 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2924/18162 , H01L2933/0066
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip mit einer Emissions- und mit einer Unterseite. Das Bauelement ist ausgebildet, Licht über die Emissionsseite abzustrahlen. Das optoelektronische Bauelement weist eine isolierende Schicht auf, in die der Halbleiterchip eingebettet ist. Zwei elektrische Kontaktstellen des Halbleiterchips sind von der Emissionsseite abgewandt und jeweils mit einer Kontaktstelle des Halbleiterchips elektrisch leitfähig verbunden. Die elektrisch leitfähigen Kontaktschichten sind in der isolierenden Schicht angeordnet. Die erste elektrisch leitfähige Kontaktschicht grenzt an eine erste Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements an, die zweite elektrisch leitfähige Kontaktschicht grenzt an eine zweite Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements an. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: Einbetten eines Halbleiterchips in eine erste elektrisch isolierende Schicht; Aufbringen von zwei elektrisch leitfähigen Kontaktschichten auf der ersten isolierenden Schicht derart, dass die elektrisch leitfähigen Kontaktschichten voneinander isoliert sind und jeweils mit einer elektrischen Kontaktstelle des Halbleiterchips verbunden sind; und Aufbringen einer zweiten elektrisch isolierenden Schicht, welche die elektrisch leitfähigen Kontaktschichten bedeckt.
摘要翻译：本发明涉及一种具有发光半导体芯片的发光半导体芯片和具有底侧的光电子器件。该设备设计为通过发射侧发光。光电子器件具有绝缘层，半导体芯片嵌入其中。半导体芯片的两个电接触点远离发射侧并且分别与半导体芯片的接触点导电连接。导电接触层布置在绝缘层中。第一导电接触层邻接光电子器件的第一侧表面，并且第二导电接触层邻接光电子器件的第二侧表面。此外，本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，包括以下步骤：将半导体芯片嵌入第一电绝缘层中; 在第一绝缘层上施加两个导电接触层，使得导电接触层彼此绝缘并且各自连接到半导体芯片的电接触点; 以及施加覆盖导电接触层的第二电绝缘层

59. 发明申请

WO2016180810A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和灯具
公开(公告)号：WO2016180810A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060400
申请日：2016-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , RACZ, David , HAIBERGER, Luca
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46 , H01L33/50 , G02F1/1335 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/62
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) weist einen optoelektronischen Halbleiterkörper (1)mit einer Strahlungsseite (16) und einer der Strahlungsseite (16) gegenüberliegenden Rückseite (12) auf. Auf der Strahlungsseite (16) ist ein Konverterelement (2) angeordnet, das im Betrieb eine vom Halbleiterkörper (1) über die Strahlungsseite (16) emittierte Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertiert. Auf Seitenflächen (15) des Halbleiterkörpers (1) und auf Seitenflächen (25) des Konverterelements (2) ist eine Spiegelschicht (3) angeordnet, die die Seitenflächen (15, 25) bedeckt. Die Seitenflächen (15, 25) des Halbleiterkörpers (1) und des Konverterelements (2) verlaufen jeweils quer zur Strahlungsseite (16). Die Rückseite (12) liegt im unmontierten Zustand des Halbleiterchips (100) frei. Die Spiegelschicht (3) weist eine Reflektivität für die von dem Halbleiterkörper (1) und/oder dem Konverterelement (2) emittierte Strahlung von zumindest 80 % auf. Die Spiegelschicht (3) weist eine Dicke von höchstens 5 µm auf.
摘要翻译：的光电子半导体芯片（100）包括在放射侧（16）和放射侧（16）相对的后侧（12）中的一个的光电子半导体元件（1）。在辐射侧（16）被布置成在操作期间由所述半导体主体（1）上部分地或完全发射到一个不同的波长范围内的辐射的辐射侧（16）将辐射转换的转换器元件（2）。在半导体主体（1）的侧表面（15）和在转换器元件（2）的侧表面（25）被布置在反射层（3）的侧表面（15，25）覆盖。半导体本体（1）和所述转换器元件的侧表面（15，25）（2）在每个横向延伸到放射侧（16）。背面（12）在半导体芯片（100）的未安装状态下露出。镜层（3）具有用于所述半导体主体（1）和/或所述转换器元件（2）发出的至少80％的辐射的反射率。镜层（3）的厚度至多5微米。

60. 发明申请

WO2016119973A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件与方法研究
公开(公告)号：WO2016119973A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2015/080033
申请日：2015-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LINKOV, Alexander , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , H01L24/96 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/96 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (5) aussendet, angegeben. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine erste Konversionsschicht (11) auf einer Seitenflanke (6) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, und eine zweite Konversionsschicht (12) auf der Strahlungsaustrittsfläche (5) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten oder eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Die erste Konversionsschicht (11) ist hierbei von der zweiten Konversionsschicht (12) verschieden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它发出一种半导体器件，包括：半导体芯片（1），在第一波长范围中所示的辐射出射表面（5）的所述电磁辐射。该半导体器件还包括在一侧侧面转换的第一转换层（11）（6）的半导体芯片（1），它是适合于第一波长范围转换为第二波长范围的电磁辐射的电磁辐射，并且辐射出射表面上的第二转换层（12）的在半导体芯片（1），其适于转换为第二的电磁辐射或所述第一波长范围的电磁辐射的第三波长范围的（5）。第一转换层（11）在这种情况下，从所述第二转换层（12）是不同的。此外，提供了一种制造这种半导体器件的方法。

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