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41. 发明申请

WO2014140047A2 METHOD AND DEVICE FOR WRITING PHOTOMASKS WITH REDUCED MURA ERRORS 审中-公开
标题翻译：用减少MURA错误写入光子的方法和装置
公开(公告)号：WO2014140047A2
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014054750
申请日：2014-03-11
申请人： MICRONIC MYDATA AB
发明人： SANDSTRÖM TORBJÖRN
IPC分类号： G03F1/42
CPC分类号： G03F1/42 , G03F1/76 , G03F7/70358 , G03F7/70383 , G03F7/704 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70583 , G03F7/70775 , G03F9/7011 , G03F9/708
摘要： The problem of mura in large area photomasks is solved or at least reduced by setting up a writing system to write a pattern with high accuracy and with the optical axes essentially parallel to the movement axes of the stage, then writing photomasks in two passes with the substrate rotated to different angles on the stage. The angle between the orientation of the first and second pass is larger than about 10 degrees, larger than about 20 degrees or larger than about 35 degrees and it can be approximately 10 degrees, approximately 50 degrees, approximately 60 degrees or approximately 90 degrees. The substrate is physically rotated on the stage and aligned with high accuracy after the rotation and the data driving the first and second exposure passes are derived from the first input data specification but processed according to the known oblique angles, so that the second pass is accurately overlaid on the first pass.
摘要翻译：通过设置写入系统以高精度写入图案并且光轴基本上平行于平台的移动轴来解决或至少减少了大面积光掩模中的mura的问题，然后将光掩模写入两次通过中衬底在舞台上旋转到不同的角度。第一和第二通过的取向之间的角度大于约10度，大于约20度或大于约35度，并且其可以为大约10度，大约50度，大约60度或大约90度。衬底物理地在舞台上旋转并且在旋转之后以高精度对准并且数据驱动第一和第二曝光通过从第一输入数据规范导出，但是根据已知的倾斜角度进行处理，使得第二遍准确重叠在第一遍。

42. 发明申请

WO2014139238A1 显示面板及其制备方法、掩模板及其制备方法、显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2014139238A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/CN2013/078052
申请日：2013-06-26
申请人：合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人：袁慧芳
IPC分类号： G02F1/1339 , G03F7/00
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133514 , G02F2001/13396 , G02F2201/503 , G03F1/00 , G03F1/32 , G03F1/76 , G03F1/80
摘要：一种显示面板及其制备方法、掩模板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括相对设置的第一显示基板（31）和第二显示基板（32），以及设置在第一显示基板（31）和第二显示基板（32）之间的主隔垫物（1）和辅助隔垫物（2）。所述主隔垫物（1）和辅助隔垫物（2）均设置于所述第一显示基板（31）上，所述主隔垫物（1）的高度等于所述第一显示基板（31）到所述第二显示基板（32）的距离以支撑所述第一显示基板（31）和所述第二显示基板（32），所述副助隔垫物（2）的高度小于所述主隔垫物（1）的高度，至少一个所述辅助隔垫物（2）的悬空一端的端面为平面，和/或至少一个所述辅助隔垫物（2）的悬空一端的端面为凸面。

43. 发明申请

WO2014109337A1 ネガ型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びにレジスト膜を備えたマスクブランクス审中-公开
标题翻译：负极性组合物，使用相同的电阻膜，图案形成方法和提供抗电影的掩蔽层
公开(公告)号：WO2014109337A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：PCT/JP2014/050162
申请日：2014-01-08
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：土村　智孝 , 八尾　忠輝
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要：　解像性（例えば、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性、及び露光後線幅（ＰＥＤ）安定性に優れたパターンを形成できるネガ型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びにレジスト膜を備えたマスクブランクスを提供する。　本発明のネガ型レジスト組成物は、カチオン部に窒素原子を含むオニウム塩化合物（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）と、酸架橋性基を含む化合物（Ｃ）とを含有する。
摘要翻译：提供：能够形成分辨率优异（例如分辨率，图案形状，线边缘粗糙度（LER）），优异的曝光后烘烤（PEB）温度依赖性和优异的后曝光延迟的图案的负型抗蚀剂组合物（PED）稳定性; 使用负性抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜; 图案形成方法; 以及设置有抗蚀剂膜的掩模坯料。本发明的负光刻胶组合物含有（A）在其阳离子成分中含有氮原子的鎓盐化合物，（B）当用活性光或辐射照射时产生酸的化合物，和（C）化合物其含有酸交联基团。

44. 发明申请

WO2013172515A1 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：掩模空白，照相机及其制造方法
公开(公告)号：WO2013172515A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/KR2012/008852
申请日：2012-10-26
申请人： 주식회사 에스앤에스텍 , 남기수 , 강긍원 , 이종화 , 양철규 , 권순기
发明人： 남기수 , 강긍원 , 이종화 , 양철규 , 권순기
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/80
摘要： 본 발명은 하부에 배치되는 상기 위상반전막을 식각하기 위하여 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 사용하는 포토마스크 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 이를 위한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크도 제공한다. 본 발명에 따르면, 하드마스크막을 패터닝하기 위한 레지스트막은 얇은 두께로 형성될 수 있고, 식각 선택비가 큰 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 위상반전막을 식각함에 따라 차광막 패턴에 의해 광학 밀도가 3.0 정도로 유지되면서 패턴 해상도 및 정확도를 높일 수 있으며, 로딩 효과를 줄일 수 있고, CD 균일성 및 CD 선형성과 같은 CD 특성이 향상된 포토마스크를 제조할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造光掩模的方法，其中使用硬掩模膜图案作为蚀刻掩模，以蚀刻设置在其下方的相位转移膜。本发明还提供了一种用于其的掩模板和使用其的光掩模。根据本发明，可以形成用于图形化硬掩模膜的抗蚀剂膜以具有小的厚度，并且使用具有大的蚀刻选择比的硬掩模膜图案作为蚀刻掩模，以便蚀刻相位转移膜，因此可以以光屏蔽膜图案将光密度维持在约3.0的方式制造光掩模，同时可以提高图案分辨率和精度，可以降低装载效果，并且诸如CD均匀性的CD特性 CD线性提高。

45. 发明申请

WO2013031686A1 ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク审中-公开
标题翻译：负性活性敏感性或辐射敏感性树脂组合物，使用相同的电阻膜，耐光涂层掩模，耐光图案形成方法和光电子
公开(公告)号：WO2013031686A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/JP2012/071451
申请日：2012-08-24
申请人：富士フイルム株式会社 , 土村智孝 , 稲崎毅
发明人：土村　智孝 , 稲崎　毅
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/68 , G03F1/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0388 , G03F7/2063 , G03F7/30
摘要：　感度、解像力及びパターン形状に優れ、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、スカム及び現像欠陥が低減されたパターンを形成できるネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する繰り返し単位（ａ）、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する高分子化合物、並びに、（Ｂ）架橋剤を含有する、ネガ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。
摘要翻译：作为能够形成具有优异的灵敏度，分辨率和图案形状的图案的负性活性光敏感性或辐射敏感性树脂组合物，在线边缘粗糙度（LER），浮渣和显影缺陷减少的同时，为含有（A）具有（a）当用活性光或辐射照射时产生酸的重复单元的聚合物化合物的负活性光敏感或辐射敏感性树脂组合物，和（b）具有酚羟基，（B）交联剂。

46. 发明申请

WO2004006014A2 METHOD OF USING AN AMORPHOUS CARBON LAYER FOR IMPROVED RETICLE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：使用非晶碳层改善制造方法
公开(公告)号：WO2004006014A2
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/US2003/020113
申请日：2003-06-25
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
发明人： TABERY, Cyrus, E. , LYONS, Christopher, F.
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/76
摘要： A method of using an amorphous carbon layer (130) for improved reticle fabrication includes depositing a stack of layers including a substrate (110), an absorber (120), a transfer layer (130), an antireflective coating (ARC) layer (140), and a photoresist layer (150), patterning (45) the photoresist layer (150), and etching (55, 65) the ARC layer (140) and the transfer layer (130). The method also includes etching (75) the absorber layer(120) and removing (85) the transfer layer (130). The transfer layer (130) including amorphous carbon.
摘要翻译：使用非晶碳层（130）用于改进的掩模版制造的方法包括沉积包括基底（110），吸收体（120），转移层（130），抗反射涂层（ARC）层（140））和光致抗蚀剂层（150），图案化（45）光致抗蚀剂层（150），以及蚀刻（55,65）ARC层（140）和转移层（130）。该方法还包括蚀刻（75）吸收层（120）并去除（85）转移层（130）。转移层（130）包括无定形碳。

47. 发明申请

WO2003028940A1 UTRASHORT PULSED LASER MICROMACHINING/SUBMICROMACHINING USING AN ACOUSTOOPTIC SCANNING DEVICE WITH DISPERSION COMPENSATION 审中-公开
标题翻译：使用具有分散补偿的突发扫描装置的无缝激光脉冲显微镜/次扫描
公开(公告)号：WO2003028940A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/SG2002/000151
申请日：2002-07-02
申请人： NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
发明人： NGOI KOK ANN, Bryan , KRISHNAN, Venkatakrishnan
IPC分类号： B23K26/00
CPC分类号： B23K26/382 , B08B7/0042 , B23K26/0624 , B23K26/066 , B23K26/0736 , B23K26/08 , B23K26/082 , B23K26/40 , B23K2201/35 , B23K2203/08 , B23K2203/26 , B23K2203/50 , G02F1/33 , G03F1/76 , G03F7/202
摘要： A method and apparatus for precision laser scanning suitable for precision machining or cleaning using an ultrashort pulsed laser beam are disclosed. The apparatus employs a laser source that emits a pulsed laser beam, a dispersion compensation scanner that scans the pulsed laser beam, and a focusing unit that focuses the pulsed laser beam from the dispersion compensation scanner on a work piece. The dispersion compensation scanner comprises a first scanning device that scans the pulsed laser beam in a first direction and that causes dispersion of the pulsed laser beam. The dispersion compensation scanner further comprises a first dispersion compensation device that compensates for the dispersion caused by the first scanning device. Effects of polarization of the ultrashort pulsed laser beam on the quality of machining are described. Uses of the invention in direct fabrication of photolithographic masks and in work piece cleaning are also described.
摘要翻译：公开了一种用于精密激光扫描的方法和装置，其适用于使用超短脉冲激光束的精密加工或清洁。该装置采用发射脉冲激光束的激光源，扫描脉冲激光束的色散补偿扫描器，以及将来自色散补偿扫描器的脉冲激光束聚焦在工件上的聚焦单元。色散补偿扫描器包括第一扫描装置，其沿第一方向扫描脉冲激光束并且引起脉冲激光束的分散。色散补偿扫描器还包括补偿由第一扫描装置引起的色散的第一色散补偿装置。描述了超短脉冲激光束的极化对加工质量的影响。还描述了本发明在直接制造光刻掩模和工件清洁中的用途。

48. 发明申请

WO2002091080A1 ORGANIC BOTTOM ANTIREFLECTIVE COATING FOR HIGH PERFORMANCE MASK MAKING OPTICAL IMAGING 审中-公开
标题翻译：用于高性能面罩制作光学成像的有机底部抗反射涂层
公开(公告)号：WO2002091080A1
公开(公告)日：2002-11-14
申请号：PCT/US2002/013968
申请日：2002-05-02
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： MONTGOMERY, Melvin, W. , ALBELO, Jeffrey, A.
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/091
摘要： The disclosure pertains to a method of optically fabricating a photomask using a direct write continuous wave laser, comprising a series of steps including applying an organic antireflection coating over a chrome-containing layer; applying a chemically-amplified DUV photoresist over the organic antireflection coating; and exposing a surface of the DUV photoresist to the direct write continuous wave laser. The direct write continuous wave laser operates at a wavelength of 244 nm or 257 nm. In an alternative embodiment, the organic antireflection coating may be applied over an inorganic antireflection coating which overlies the chrome containing layer.
摘要翻译：本公开涉及一种使用直写式连续波激光器光学制造光掩模的方法，包括一系列步骤，包括在含铬层上施加有机抗反射涂层; 在有机抗反射涂层上施加化学放大的DUV光致抗蚀剂; 并将DUV光致抗蚀剂的表面暴露于直写式连续波激光器。直写式连续波激光器在244nm或257nm波长下工作。在替代实施例中，有机抗反射涂层可以涂覆在覆盖含铬层的无机抗反射涂层上。

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