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41. 发明申请

WO1991016477A1 PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL OF OXIDE 审中-公开
标题翻译：生产单晶氧化物的方法
公开(公告)号：WO1991016477A1
公开(公告)日：1991-10-31
申请号：PCT/JP1991000510
申请日：1991-04-17
申请人： KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO , NAKAMURA, Kozo;
发明人： KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： C30B29/22 , C30B15/00
摘要： A process for producing a single crystal of SrLaGaO4 by the Czochralski process using the following oxide as a melt of raw material: SrxLayGazOw wherein z » x, y » x, 0.28 « x « 0.325, x+y+z=1, and w=(2x+3y+3z)/2. Preferably the melt is formed by rotating the raw material, and further preferably the single crystal is produced in an atmosphere containing reduced amounts of steam and carbon dioxide.

42. 发明申请

WO1990007591A1 METHOD FOR PREPARING THIN FILM OF OXIDE SUPERCONDUCTOR AND BASE USED IN THE PREPARATION 审中-公开
标题翻译：用于制备氧化物超导体薄膜和制备中使用的基材的方法
公开(公告)号：WO1990007591A1
公开(公告)日：1990-07-12
申请号：PCT/JP1989001299
申请日：1989-12-25
申请人： KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO , NAKAMURA, Kozo;
发明人： KABUSHIKI KAISHA KOMATSU SEISAKUSHO
IPC分类号： C30B23/08
CPC分类号： H01L39/2458 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225
摘要： An object of this invention is to provide a method for preparing a thin film of an oxide superconductor having high crystallinity and good quality and a new single crystal base material adapted for that method to afford a good epitaxial film readily. The method for preparing the aforementioned thin film comprises conducting epitaxial growth of a thin film of an oxide superconductor on a base comprising a single crystal of SrLaGaO4 which is a high-melting oxide having a lattice constant very close to that of the oxide superconductor. The aforementioned single crystal base material comprises an oxide single crystal having a crystal structure of K2NiF4 type and a composition of Sr1-xLa1-yGa1-zO4-w wherein -0.1

43. 发明申请

WO2017121024A1 K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2017121024A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/CN2016/076020
申请日：2016-03-10
申请人：中国科学院福建物质结构研究所
发明人：罗军华 , 赵三根
IPC分类号： C30B29/22 , C30B29/12 , C30B9/12 , C01B35/18 , G02F1/355
CPC分类号： C30B9/12 , C30B29/12 , C30B29/22 , G02F1/355
摘要：一种K 3 Ba 3 Li 2 Al 4 B 6 O 20 F化合物、K 3 Ba 3 Li 2 Al 4 B 6 O 20 F非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的晶体易长大且透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；该非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

44. 发明申请

WO2017108994A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE, NOTAMMENT PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：生产单晶层的方法，特别是压电
公开(公告)号：WO2017108994A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/EP2016/082245
申请日：2016-12-21
申请人： SOITEC
发明人： GHYSELEN, Bruno , BETHOUX, Jean-Marc
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/22 , H01L21/762 , H01L41/312
CPC分类号： C30B29/22 , C30B25/186 , H01L21/76254 , H01L41/1873 , H01L41/312 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche monocristalline (10), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : - la fourniture d'un substrat donneur (100) comprenant un matériau piézoélectrique de composition ABO 3 , où A est constitué d'au moins un élément parmi : Li, Na, K, H, Ca; B est constitué d'au moins un élément parmi : Nb, Ta, Sb, V; - la fourniture d'un substrat receveur (110), - le transfert d'une couche (102) dite « couche germe » du substrat donneur (100) sur le substrat receveur (110) par collage du substrat donneur sur le substrat receveur de telle sorte que la couche germe (102) se trouve à l'interface de collage puis amincissement du substrat donneur (100) jusqu'à ladite couche germe (102); - la croissance, par épitaxie sur le matériau piézoélectrique ABO 3 de la couche germe (102), d'une couche monocristalline (103) de composition A'B'O 3 , où : A' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Li, Na, K, H; B' est constitué d'au moins un des éléments suivants : Nb, Ta, Sb, V; A' est différent de A ou B' est différent de B.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法用于制造单晶层（10），其特征在于它在于它包括以下连续的步骤去： - 提供包括一垫é廖内PIéZOé组合物电ABO <子> 3 的供体基板（100），O＆ugrave; A构成以下中的至少一种：Li，Na，K，H，Ca; B构成 Nb，Ta，Sb，V中的至少一种; 提供接收衬底（110），传送所谓的层（102）; 种子层＆raquo; 由接收器基板上，使得所述种子层（102）是与agrave对施主衬底的接合接收衬底（110）上所述施主衬底（100）; 然后粘合界面变薄供体衬底（100）直到所述种子层（102）; - 生长，通过外延é在籽晶层（102），单晶层的垫é廖内PIéZOé电动ABO <子> 3 （103）A'B'O组合物 _{3 ，其中＆gt; ：A'构成＆oacute; 至少以下之一：Li，Na，K，H; B'构成＆oacute; 至少以下之一：Nb，Ta，Sb，V; 它不同于A或B'与B不同。}

45. 发明申请

WO2017107608A1 偏硼酸锂晶体及制备方法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2017107608A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/CN2016/100752
申请日：2016-09-29
申请人：中国科学院新疆理化技术研究所
发明人：潘世烈 , 陈幸龙 , 张方方 , 侯雪玲
IPC分类号： C30B29/22 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/22
摘要：本发明涉及一种偏硼酸锂晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为LiBO 2 ，分子量为49.75，属于单斜晶系，空间群为P2 1 /c，晶胞参数为a=5.85(8)Å，b=4.35(7)Å，c=6.46(6)Å，β=115(5)°，Z=4；该晶体可用于红外-可见-深紫外波段，采用熔体法或助熔剂法生长晶体；通过本发明所述方法获得的晶体易于生长、易于加工；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜和光隔离器、环形器、光束位移器等光学元件，在光学和通讯领域有重要应用。

46. 发明申请

WO2017054347A1 非线性光学晶体氟硼铍酸盐及其制备方法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2017054347A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/CN2015/099397
申请日：2015-12-29
申请人：中国科学院福建物质结构研究所
发明人：叶宁 , 彭广 , 罗敏 , 张戈 , 陈昱 , 林哲帅
IPC分类号： C30B29/10 , C30B29/22 , C30B7/10 , C30B9/12
CPC分类号： C30B7/10 , C30B9/12 , C30B29/10 , C30B29/22
摘要：本发明提供一种新型非线性光学晶体氟硼铍酸盐及其制备方法和用途。NH 4 Be 2 BO 3 F 2 或Be 2 BO 3 F(简称BBF)具有非线性光学效应，在空气中不潮解，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓深紫外波段的非线性光学应用。

47. 发明申请

WO2016119157A1 一种热释电单晶的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2016119157A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/CN2015/071798
申请日：2015-01-29
申请人：上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人：罗豪甦 , 王升 , 李晓兵 , 徐海清 , 赵祥永
IPC分类号： C30B29/22 , C30B29/32 , C30B29/30 , C30B11/00 , H01L37/02
CPC分类号： C30B29/22 , C30B11/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L37/02
摘要：本发明公开了一种大尺寸、高均匀性锰掺杂热释电单晶的制备方法，所述的锰掺杂热释电单晶的化学组成为：Mn-(1-x-y)Pb(In 1/2 Nb 1/2 )O 3 -yPb(Mg 1/3 Nb 2/3 )O 3 -xPbTiO 3 ，其中x＝0.35～0.42，y＝0.30～0.45，1-x-y＝0.20～0.29。Mn的掺杂量为0～5.0％。所述材料的制备方法是一种改进的Bridgman法，包括：原料合成、籽晶选择、生长过程控制、缺陷调控等。本发明克服了现有技术中Mn元素难以掺入、坩埚容易渗漏、[001]方向容易产生缺陷的缺点，为大尺寸热释电单晶的工业化生长提供了实现方法。

48. 发明申请

WO2015037726A1 シンチレータ結晶材料、単結晶シンチレータ、放射線検出器、撮像装置および非破壊検査装置审中-公开
标题翻译：扫描仪晶体材料，单晶晶体管，辐射检测器，成像装置和非破坏性检查装置
公开(公告)号：WO2015037726A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/JP2014/074310
申请日：2014-09-12
申请人： TDK株式会社
发明人：二瓶　貴之 , 小野寺　晃 , 加賀谷　武 , 遠田　一重 , 吉川　彰 , 黒澤　俊介 , 横田　有為 , 庄子　育宏 , 鎌田　圭
IPC分类号： C09K11/79 , C09K11/00 , G01T1/20 , G01T1/202
CPC分类号： C09K11/7721 , C30B15/00 , C30B29/22
摘要：　（Ｇｄ１－ｘ－ｙ　Ｌａｘ　Ｃｅｙ　）２　Ｓｉ２　Ｏ７　で表され、ｘの範囲が０．２≦ｘ≦０．４５、ｙの範囲が０．０００１≦ｙ≦０．０５であるシンチレータ結晶材料。
摘要翻译：由式（Gd1-x-yLaxCey）2Si2O7表示的闪烁体晶体材料，其中x在0.2至0.45的范围内，并且y在0.0001至0.05的范围内。

49. 发明申请

WO2014054351A1 エピタキシャル成長用基板及びその製造方法、並びに超電導線材用基板审中-公开
标题翻译：用于外延生长的基材，其制造方法和超导体基板
公开(公告)号：WO2014054351A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/JP2013/072520
申请日：2013-08-23
申请人：東洋鋼鈑株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：神代　貴史 , 岡山　浩直 , 黒川　哲平 , 南部　光司
IPC分类号： C30B29/22 , C22F1/08 , H01B12/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/00
CPC分类号： C30B29/22 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/08 , C30B1/04 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/52 , C30B33/02 , H01B12/06 , H01B13/0016 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2454
摘要：　より高度な２軸結晶配向性を有するエピタキシャル成長用銅基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。　本発明のエピタキシャル成長用基板は、２軸結晶配向した銅層を含み、前記銅層の極点図に基づくピークの半値幅ΔΦが５°以内であり、且つ極点図に基づくピークの裾野幅Δβが１５°以内であることを特徴とする。このようなエピタキシャル成長用基板は、ΔΦが６°以内、且つ裾野幅Δβが２５°以内となるように銅層の熱処理を行う第一工程と、前記第一工程の後に、第一工程における熱処理温度よりも高温で、ΔΦが５°以内、且つ裾野幅Δβが１５°以内となるように銅層の熱処理を行う第二工程とにより製造される。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种具有更先进的双轴晶体取向的外延生长用铜基板及其制造方法。用于外延生长的该衬底包括双轴取向的铜层，其特征在于，基于铜层的极图的峰值的半值宽度＆Dgr;Φ为5°以下，裙部宽度＆DGR;＆BGR; 基于极数的峰值为15°或更小。这种用于外延生长的基板是通过对铜层进行热处理的第一步骤制成的，使得Dgr;Φ为6°或更小，裙部宽度为＆Dgr; 为25°以下，第1工序后，在比第1工序的热处理温度高的情况下进行铜层的热处理，使Dgr;Φ为5°以下，裙部宽度＆Dgr ;＆BGR; 为15°以下。

50. 发明申请

WO2014050793A1 半導体装置又は結晶、および、半導体装置又は結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件或晶体，以及生产半导体器件或晶体的方法
公开(公告)号：WO2014050793A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/JP2013/075659
申请日：2013-09-24
申请人： ROCA株式会社
发明人：金子　健太郎 , 人羅　俊実 , 平尾　孝
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/40 , C30B29/22 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/04 , C30B25/02 , C30B29/20 , C30B29/22 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/24
摘要：　良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。　本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。
摘要翻译：提供能够形成高品质刚玉型晶体膜的半导体器件。根据本发明，提供了一种半导体器件，其由具有刚玉型晶体结构的底层衬底，具有刚玉型晶体结构的半导体层和具有刚玉型晶体结构的绝缘层组成。在各种具有刚玉型晶体结构的材料中包含许多氧化物膜，因此氧化膜可以用作绝缘膜。此外，由于下面的基板，半导体层和绝缘膜中的每一个具有刚玉型晶体结构，因此可以在下面的基板上形成具有高品质的半导体层和具有高质量的绝缘膜。

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