会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明申请
    • СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
    • 生长氮化镓单晶的方法
    • WO2013043081A1
    • 2013-03-28
    • PCT/RU2012/000041
    • 2012-01-30
    • ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ИННОВАЦИОННОЕ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "КРИСТАЛЛ"ЖЕРЕБЦОВ, Дмитрий Анатольевич
    • ЖЕРЕБЦОВ, Дмитрий Анатольевич
    • C30B9/12C30B29/38C03B19/02
    • C30B19/02C30B9/12C30B29/406
    • Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. Задачей, на решение которой направлено изобретение, является создание способа выращивания монокристаллов нитрида галлия с составом флюса, являющимся химически инертным по отношению к большинству конструкционных материалов, используемых для изготовления контейнеров. Способ выращивания монокристаллов нитрида галлия включает нагрев и выдержку при заданной температуре, либо нагрев и медленное охлаждение от заданной температуры в контейнере при поддержании градиента температуры между верхней и нижней частями контейнера под давлением азотсодержащего газа шихты, содержащей источник галлия и компоненты флюса, при этом флюс, согласно изобретению, содержит в качестве основных компонентов цианиды или цианамиды или дицианамиды щелочных и/или щелочноземельных металлов и модифицирующие добавки. Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия.
    • 本发明涉及一种用于生长半导体材料的技术,并可用于获得氮化镓的单晶以及其上的固体溶液。 本发明要解决的问题是创建一种用于生长氮化镓单晶的方法,其中组成为相对于用于制造容器的大多数结构材料而言化学惰性的助熔剂。 生长氮化镓单晶的方法包括加热并保持在特定温度,或者在容器的上部和下部之间保持温度梯度的容器中的特定温度下的加热和缓慢冷却,压力为 含有镓源和助熔剂组分的电荷的含氮气体,其中根据本发明的助熔剂作为主要成分含有碱金属和/或碱土金属的氰化物或氰酰胺或二氰胺,以及改性添加剂 。 技术结果是含有熔体的容器的材料的腐蚀速率降低,并且获得的氮化镓单晶质量的提高。