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41. 发明申请

WO2009011152A1 ＳＯＩ基板およびＳＯＩ基板を用いた半導体装置审中-公开
标题翻译： SOI衬底和使用SOI衬底的半导体器件
公开(公告)号：WO2009011152A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/055486
申请日：2008-03-25
申请人：国立大学法人東北大学 , 三井造船株式会社 , Soitec Asia 株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央 , 吉見信
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 佐野純央 , 吉見信
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L27/1203
摘要：　半導体層を形成するシリコンよりも、機械的特性の優れたＳｉＣ等の材料によって基体を形成し、当該基体と半導体層とを絶縁物層を介して貼り合わせる。貼り合わせた後、半導体層を基体から機械的に切り離してＳＯＩ基板を作成する一方、切り離された半導体層を次のＳＯＩ基板の作成に再利用する。これによって、従来の手法では困難であった直径４００ｍｍ以上の大きさを有する大型のＳＯＩ基板を得ることができた。
摘要翻译：基体由诸如SiC的材料形成，具有比用于形成半导体层的硅的机械特性更高的机械特性，并且基底材料和半导体层通过绝缘层接合。在接合之后，通过将半导体层与基体机械分离来形成SOI衬底，并且分离的半导体层被再次用于形成随后的SOI衬底。因此，可以获得通过常规方法难以获得的直径为400mm以上的大型SOI衬底。

42. 发明申请

WO2008153064A1 プラズマ処理装置および処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008153064A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060692
申请日：2008-06-11
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 平山昌樹 , 大見忠弘 , 堀口貴弘
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘 , 堀口貴弘
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/511 , B05C13/00 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
摘要：【課題】誘電体の使用量をなるべく少なくできるプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】プラズマ処理される基板Ｇを収納する金属製の処理容器４と、処理容器４内にプラズマＰを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源３４を備え、電磁波源３４から供給される電磁波を処理容器４の内部に透過させる、処理容器４の内部に一部を露出した１または２以上の誘電体２５を処理容器４の蓋体３下面に備えたプラズマ処理装置であって、処理容器４の内部に露出した金属面に沿ってマイクロ波を伝搬させる表面波伝搬部５１が、誘電体２５に隣接して設けられている。
摘要翻译：提供一种可以尽可能地减少要使用的电介质材料的量的等离子体处理装置。解决问题的手段等离子体处理装置设置有用于存储用等离子体处理的基板（G）的金属加工容器（4）和用于向处理容器（4）供给的电磁波源（34）激发等离子体（P）所需的电磁波。等离子体处理装置在处理容器（4）的壳体（3）的下表面上设置有一个或多个电介质体（25）。电介质体将从电磁波源（34）供给的电磁波传送到处理容器（4）内，部分露出在处理容器（4）的内部。用于沿着暴露在处理容器（4）内部的金属表面传播微波的表面波传播部分（51）布置成与电介质体（25）相邻。

43. 发明申请

WO2008153053A1 プラズマ処理装置、給電装置およびプラズマ処理装置の使用方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置，电源装置和使用等离子体处理装置的方法
公开(公告)号：WO2008153053A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060672
申请日：2008-06-11
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 平山昌樹 , 大見忠弘
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32238
摘要：【課題】同軸管を用いたマイクロ波の伝送線路を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置１０では、マイクロ波源９００から分岐導波管９０５を介して同軸管６００に伝送させたマイクロ波を分岐板６１０により複数のマイクロ波に分配させて複数の同軸管の内部導体３１５ａに伝送させる。各同軸管の内部導体３１５ａを伝送したマイクロ波は、各内部導体３１５ａと連結された各誘電体板３０５から処理容器１００の内部に放出される。放出されたマイクロ波により処理容器１００に導入された処理ガスを励起させて基板Ｇに所望のプラズマ処理を施す。複数の誘電体板３０５を用いることにより、大面積化に対応して拡張性が高く、かつ伝送線路に同軸管を用いることにより、伝送線路のコンパクトな設計と低周波数のマイクロ波の供給との両立を図ることができる。
摘要翻译： [问题]提供一种使用同轴管的微波传输线。解决问题的手段等离子体处理装置（10）通过分割板（610）将从微波源（900）通过分离波导管（905）传输到同轴管（600）的微波分离，进入多个微波并将微波传输到同轴管的内部导体（315a）。通过同轴管的内部导体（315a）传输的微波从与内部导体（315a）连接的电介质板（305）输出到处理容器（100）中。引入处理容器（100）的处理气体被输出的微波激励，对基板（G）进行期望的等离子体处理。等离子体处理装置通过使用多个电介质板（305）具有高扩展性以应对面积增加，此外，传输线的紧凑设计和低频微波电源可以通过使用用于传输线的同轴管。

44. 发明申请

WO2008105344A1 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法审中-公开
标题翻译：层间绝缘膜，互连结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2008105344A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：PCT/JP2008/053083
申请日：2008-02-22
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 日本ゼオン株式会社 , 大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平 , 中村昌洋
发明人：大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平 , 中村昌洋
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要：　Ｓｉ原子を含有するハイドロカーボン層とＮ原子を含有するフルオロカーボン層とを積層して構成し、かつ前記ハイドロカーボン層を、Ｃ原子数に対するＨ原子数の比（Ｈ／Ｃ）が０．８乃至１．２となる割合でＨ原子とＣ原子とを含有する層間絶縁膜が得られる。当該層間絶縁膜は、リーク電流の発生や熱アニールによる膜の縮小が抑制されると共に、低誘電率でかつ、安定である。
摘要翻译：层间绝缘膜可以通过层叠含有Si原子的烃层和含有N原子的碳氟化合物层而制造，其中烃层含有H原子和C原子，其比例为的C原子数与H原子数（H / C）成为0.8〜1.2。层间绝缘膜的漏电流减少，热退火引起的膜收缩率低，介电常数低，稳定。

45. 发明申请

WO2008090891A1 複合磁性体、その製造方法、それを用いた回路基板、及びそれを用いた電子機器审中-公开
标题翻译：复合磁体，其制造方法，使用其的电路基板和使用其的电子器件
公开(公告)号：WO2008090891A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050821
申请日：2008-01-22
申请人：国立大学法人東北大学 , 住友大阪セメント株式会社 , 株式会社ヨコオ , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 石塚雅之 , 日高宣浩 , 白方恭
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 石塚雅之 , 日高宣浩 , 白方恭
IPC分类号： H01F1/26 , H01F1/147 , H01F1/24 , H01F1/37 , H01F41/02 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K9/00
CPC分类号： H01F41/0246 , H01F1/26 , H01F1/37 , H05K1/0233
摘要：　数百ＭＨｚ～数ＧＨｚの周波数において、磁気損失が充分小さい複合磁性体及びその製造方法を提供する。　磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される複合磁性体において、前記磁性粉末は、球状又は扁平状であり、前記複合磁性体は、次の（ａ）から（ｃ）の内のいずれか一つの特性を有している。（ａ）１ＧＨｚ又は５００ＭＨｚの周波数おいて比透磁率μｒが1よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．１以下であること、（ｂ）１．２ＧＨｚ以下の周波数における複素透磁率の実部μｒ’が１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であること、及び（ｃ）複素透磁率の実部μｒ’が４ＧＨｚ以下の周波数で1よりも大きく、かつ１ＧＨｚ以下の周波数において損失正接ｔａｎδが０．１以下であること。
摘要翻译：可以提供具有几百MHz至几GHz频率的足够小的磁损耗的复合磁体及其制造方法。复合磁体通过将磁粉分散在绝缘材料中而形成。磁粉具有球形或扁平形状。复合磁体具有以下特征（a）〜（c）中的一个：（a）在1GHz或500MHz的频率下，相对磁导率μr大于1，损耗角正切tan d不大于0.1 。（b）在不大于1.2GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于10，损耗角正切tan d不大于0.3。（c）在不大于4GHz的频率下，复磁导率的实部μr'大于1; 在不大于1GHz的频率下，损耗角正切tan d不大于0.1。

46. 发明申请

WO2008056748A1 層間絶縁膜、配線構造および電子装置と、それらの製造方法审中-公开
标题翻译：层间绝缘膜，接线结构，电子器件及制造层间绝缘膜的方法，接线结构和电子器件
公开(公告)号：WO2008056748A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：PCT/JP2007/071734
申请日：2007-11-08
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平
发明人：大見忠弘 , 安田聖治 , 井ノ口敦智 , 松岡孝明 , 川村剛平
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置等の配線構造は、下地層上に形成されたフルオロカーボン膜を備えた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込み形成された導体とを備えている。前記フルオロカーボン膜は窒素を含し、低誘電率で再現性よく形成でき、安定である。
摘要翻译：半导体器件等的布线结构设置有在基底层上形成有碳氟化合物膜的层间绝缘膜，以及嵌入在层间绝缘膜中的导体。氟碳膜包括氮，具有低介电常数，形成具有优异的重复性，并且是稳定的。

47. 发明申请

WO2008047704A1 プラズマ反応炉処理システムを用いた電子装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用等离子体反应器处理系统制造电子器件的方法
公开(公告)号：WO2008047704A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069937
申请日：2007-10-12
申请人：オムロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 井上善規 , 森下貞治 , 大見忠弘
发明人：井上善規 , 森下貞治 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L21/3065 , B01J19/08 , H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , H01J37/32449
摘要：【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。【解決手段】各成分ガスの圧力制御型流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。
摘要翻译：为了能够改变处理室中的气氛浓度，以低成本实现制造液晶装置和半导体装置所需的等离子体反应过程。 [解决问题的手段]给予各构成气体的压力控制型流量调节装置的新的流量设定值是通过在估计变化之后的处理气体浓度计算得到的值，在浓度变化之前和之后的值相同。排气管的压力控制器从压力设定模式切换到阀打开设定模式仅在修改开始的预定的小时间内接收实验获得的阀打开设定值以减轻变更后的压力波动。

48. 发明申请

WO2008047541A1 膜塗布装置および膜塗布方法审中-公开
标题翻译：电影涂装和胶片涂布方法
公开(公告)号：WO2008047541A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068757
申请日：2007-09-27
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/04 , B05C11/10 , B05D3/00 , B05D3/04 , G03F7/16
CPC分类号： G11B7/266 , B05D1/002 , G11B5/842
摘要：　被塗布基板を内部に導入して、この基板に膜塗布を行うための塗布容器と、塗布液を保持する塗布液容器と、前記塗布液容器から塗布液を前記塗布容器に輸送する液輸送系とを含む膜塗布装置において、塗布された膜内における酸素及び水分の内の少なくとも一方の含有を抑制する手段を有する。
摘要翻译：涂膜装置设置有涂布容器，其在待涂布的基材内部引入并涂覆基材; 用于储存涂布溶液的涂布溶液容器; 以及用于从涂布液容器将涂布液输送到涂布容器的液体输送系统。膜涂装置还具有抑制所施加的膜中至少氧或水的含量的装置。

49. 发明申请

WO2008041625A1 塗布膜コーティング装置审中-公开
标题翻译：电影涂装
公开(公告)号：WO2008041625A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/068936
申请日：2007-09-28
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/00 , B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16 , G11B5/84 , G11B7/26
CPC分类号： G11B5/84 , G03F7/162 , G11B7/261 , H01L21/6715 , H01L21/6838
摘要：　音速ノズルより、ウェーハの裏面に向かってガスを噴出させる。ウェーハの裏面に沿って外周側へと流れるガスの流速が、ウェーハの裏面と第２カップとの間で速められ、ベルヌーイ効果により保持される。これによって、ウェーハのバタツキが抑えられる。また、裏面へレジスト液が回り込むのを防止することができる。
摘要翻译：从声波喷嘴向晶片的后表面喷射气体。沿着晶片的后表面流动到外周侧的气体的流速在晶片的后表面和第二杯之间增加，并且保持由伯努利的作用。因此，晶片的摇摆被抑制。此外，防止抗蚀剂溶液流到背面。

50. 发明申请

WO2007145255A1 発光素子および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：发光装置及制造发光装置的方法
公开(公告)号：WO2007145255A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061924
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 八木靖司 , 渡辺伸吾 , 野沢俊久 , 河村忠一 , 吉野公彦 , 大見忠弘
发明人：八木靖司 , 渡辺伸吾 , 野沢俊久 , 河村忠一 , 吉野公彦 , 大見忠弘
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/56
摘要：　被処理基板上に有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための基板処理が行われる、複数の処理室を有し、複数の処理室は、それぞれ、被処理基板の発光素子が形成される素子形成面が、重力方向と反対の方向を向くようにして被処理基板の基板処理が行われるように構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置が開示される。
摘要翻译：公开了一种用于制造发光器件的设备，其特征在于包括多个处理室，用于进行用于形成具有包括待处理对象的有机层的多个层的发光器件的衬底处理。该装置的特征还在于，每个处理室被构造成使得在其上形成有发光装置的基板的装置安装表面面向与重力方向相反的方向的同时进行基板的处理。

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