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31. 发明申请

WO2008107136A1 VERFAHREN ZUR MESSUNG DER AUSGASUNG SOWIE EUV-LITHOGRAPHIEVORRICHTUNG UND MESSAUFBAU 审中-公开
标题翻译：法测量脱气和EUV光刻设备和测量多达作者：
公开(公告)号：WO2008107136A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001643
申请日：2008-03-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ASML NETHERLANDS B.V. , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , WOLSCHRIJN, Bastiaan, Theodoor , MOORS, Johannes, Hubertus, Josephina
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/70233 , G03F7/70925 , G03F7/70983
摘要： Vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Messung der Ausgasung in EUV-Vakuumsystemen, insbesondere in EUV-Lithographievorrichtungen, durch Analyse des Restgases, bei dem vor der Analyse des Restgases die Ausgasung induziert wird. Es hat sich herausgestellt, dass gerade auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die Kontamination der optischen Komponenten (15, 16, 18, 19) bei Betriebsaufnahme einer EUV-Lithographievorrichtung (10) haben, sie aber bei herkömmlichen Verfahren nicht detektiert werden. Durch Induzierung von Ausgasung für die Restgasanalyse mit Hilfe einer Stimulierungseinheit (32, 34) zur Oberflächenaktivierung wird erreicht, dass auch schwerflüchtige Kohlenwasserstoffe in einer Konzentration im Restgas vorliegen, die über der Nachweisgrenze üblicher Restgasanalysatoren (31, 33) liegt. Dadurch wird erreicht, dass viel genauer prognostiziert werden kann, ob der Innenraum einer EUV-Lithographievorrichtung (10) rein genug ist, um den Betrieb aufnehmen zu können, ohne eine zu hohe Kontamination befürchten zu müssen. Somit wird effektiv eine höhere Sensitivität der Restgasanalyse erreicht.
摘要翻译：一种方法，提出了一种用于在EUV光刻设备测量EUV真空系统除气，尤其是由其中的残余气体的残余气体的脱气分析之前诱导分析。已经发现，特别是低挥发性烃对在操作接收EUV光刻设备（10）具有与光学组件（15，16，18，19）的污染具有不可忽略的影响，但它们没有在常规的方法来检测。通过用刺激单元（32，34），用于表面活化的方法诱导对残余气体分析脱气实现了甚至非挥发性烃存在于在残余气体中的浓度，这是上述现有的残余气体分析仪（31，33）的检测极限。这确保了可以更准确地EUV光刻设备（10）的内部是否是足够纯净的启动和运行，而无需过度的污染的恐惧预测。因此，残余气体分析的更高的灵敏度被有效地实现。

32. 发明申请

WO2008044924A3 CLEANING METHOD, APPARATUS AND CLEANING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：清洁方法，装置和清洁系统
公开(公告)号：WO2008044924A3
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/NL2007050468
申请日：2007-09-25
申请人： ASML NETHERLANDS BV , CARL ZEIS SMT AG , EHM DIRK HEINRICH , MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPH , WOLSCHRIJN BASTIAAN THEODOOR , MEIJERINK MARCUS GERHARDUS HEN , STEIN THOMAS
发明人： EHM DIRK HEINRICH , MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPH , WOLSCHRIJN BASTIAAN THEODOOR , MEIJERINK MARCUS GERHARDUS HEN , STEIN THOMAS
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925
摘要： A method to clean optical elements of an apparatus, the apparatus being configured to project a beam of radiation onto a target portion of a substrate, the apparatus comprising a plurality of optical elements arranged in sequence in the path of the radiation beam, wherein the cleaning method comprises: cleaning one or more second optical elements of the sequence, which receive one or more relatively low second radiation doses during operation of the apparatus, utilizing cumulatively shorter cleaning periods than one or more first optical elements of the sequence that receive one or more first radiation doses during operation of the apparatus, a second radiation dose being lower than each relatively high first radiation dose.
摘要翻译：一种清洁装置的光学元件的方法，该装置被配置为将辐射束投射到基板的目标部分上，该装置包括依次布置在辐射束的路径中的多个光学元件，其中清洁方法包括：清洁序列的一个或多个第二光学元件，其在装置的操作期间接收一个或多个相对低的第二辐射剂量，利用比接收一个或多个序列的序列的一个或多个第一光学元件更短的清洁周期在装置运行期间的第一辐射剂量，第二辐射剂量低于每个相对高的第一辐射剂量。

33. 发明申请

WO2013045310A1 METHOD FOR PRODUCING A CAPPING LAYER COMPOSED OF SILICON OXIDE ON AN EUV MIRROR, EUV MIRROR, AND EUV LITHOGRAPHY APPARATUS 审中-公开
标题翻译：在EUV镜，EUV镜和EUV光刻设备上生产由氧化硅组成的吸收层的方法
公开(公告)号：WO2013045310A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068319
申请日：2012-09-18
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk, Heinrich , BLANCKENHAGEN, Gisela von
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , BLANCKENHAGEN, Gisela von
IPC分类号： G02B5/08 , G21K1/06 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： The invention relates to a method for producing a capping layer (18) composed of silicon oxide SiO x on a coating (16) of a mirror (13), said coating reflecting EUV radiation (6) e.g. for use in an EUV lithography apparatus or in an EUV mask metrology system, comprising: irradiating a capping layer (18) composed of silicon nitride SiN x or composed of silicon oxynitride SiN x O y for converting the silicon nitride SiN x or the silicon oxynitride SiN x O y of the capping layer (18) into silicon oxide SiO x . The invention also relates to a mirror (13) comprising a capping layer comprised of silicon oxide SiO x , and to an EUV lithography apparatus comprising at least one such mirror (13).
摘要翻译：本发明涉及一种在反射镜（13）的涂层（16）上制造由氧化硅SiO x构成的覆盖层（18）的方法，所述涂层反射EUV辐射（6）用于EUV光刻设备或EUV掩模测量系统中，包括：照射由氮化硅SiNx构成的或由氮氧化硅SiNxOy构成的覆盖层（18），用于转换覆盖层的氮化硅SiNx或氮氧化硅SiNxOy （18）转化为氧化硅SiO x。本发明还涉及一种包括由氧化硅SiO x构成的覆盖层的反射镜（13），以及包括至少一个这样的反射镜（13）的EUV光刻设备。

34. 发明申请

WO2012156394A1 REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：反射光学元件和光学系统的EUV LITHOGRAPHY
公开(公告)号：WO2012156394A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/058997
申请日：2012-05-15
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , HUBER, Peter , MUELLENDER, Stephan , BLANCKENHAGEN, Gisela von
发明人： EHM, Dirk Heinrich , HUBER, Peter , MUELLENDER, Stephan , BLANCKENHAGEN, Gisela von
IPC分类号： G02B1/10 , G02B5/08 , G02B27/00 , G02B19/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
摘要： In order to reduce the negative influence of reactive hydrogen on the lifetime of a reflective optical element, particularly inside an EUV lithography device, there is proposed for the extreme ultraviolet and soft X-ray wavelength region a reflective optical element (50) having a reflective surface with a multilayer system (51 ) and in the case of which the reflective surface (60) has a protective layer system (59) with an uppermost layer (56) composed of silicon carbide or ruthenium, the protective layer system (59) having a thickness of between 5 nm and 25 nm.
摘要翻译：为了减少反应性氢对反射型光学元件的寿命的负面影响，特别是在EUV光刻设备内，提出了极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件（50），其具有反射具有多层系统（51）的表面，并且在反射表面（60）具有由碳化硅或钌构成的最上层（56）的保护层系统（59）的情况下，保护层系统（59）具有在5nm和25nm之间的厚度。

35. 发明申请

WO2011157684A1 OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：光学系统
公开(公告)号：WO2011157684A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/059793
申请日：2011-06-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , WEISS, Markus , ZACZEK, Christoph , HACKL, Tobias , SEITZ, Wolfgang
发明人： EHM, Dirk Heinrich , WEISS, Markus , ZACZEK, Christoph , HACKL, Tobias , SEITZ, Wolfgang
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
摘要： To prevent reflective optical elements (2) for EUV lithography from getting electrically charged as they are irradiated with EUV radiation (4), an optical system for EUV lithography is proposed, comprising a reflective optical element (2), including a substrate (21) with a highly reflective coating (22) emitting secondary electrons when irradiated with EUV radiation (4), and a source (3) of electrically charged particles, which is arranged in such a manner that electrically charged particles can be applied to the reflective optical element (2), wherein the source (3) is a flood gun applying electrons to the reflective optical element (2) as only means for charge carrier compensation.
摘要翻译：为了防止用于EUV光刻的反射光学元件（2）在用EUV辐射（4）照射时被充电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，包括反射光学元件（2），包括基板（21）具有当用EUV辐射（4）照射时发射二次电子的高反射涂层（22）和带电粒子的源（3），其被布置成使得带电粒子可以被施加到反射光学元件（2），其中源（3）是向反射光学元件（2）施加电子的泛洪枪，仅作为电荷载体补偿的装置。

36. 发明申请

WO2011092020A2 ARRANGEMENT FOR USE IN A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY HAVING A REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于具有反射光学元件的微结构的投影曝光工具中的布置
公开(公告)号：WO2011092020A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2011/000385
申请日：2011-01-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V. , EHM, Dirk Heinrich , VAN KAMPEN, Maarten , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BANINE, Vadim Yevgenyevich , LOOPSTRA, Erik
发明人： EHM, Dirk Heinrich , VAN KAMPEN, Maarten , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BANINE, Vadim Yevgenyevich , LOOPSTRA, Erik
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G01J1/58 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G03F7/70958
摘要： An arrangement for use in a projection exposure tool (100) for microlithography comprises a reflective optical element (10; 110) and a radiation detector (30; 32; 130). The reflective optical element (10; 110) comprises a carrier element (12) guaranteeing the mechanical strength of the optical element (10; 110) and a reflective coating (18) disposed on the carrier element (12) for reflecting a use radiation (20a). The carrier element (12) is made of a material which upon interaction with the use radiation (20a) emits a secondary radiation (24) the wavelength of which differs from the wavelength of the use radiation (20a), and the radiation detector (30; 32; 130) is configured to detect the secondary radiation (24).
摘要翻译：用于微光刻的投影曝光工具（100）中的布置包括反射光学元件（10; 110）和辐射检测器（30; 32; 130）。反射光学元件（10; 110）包括保证光学元件（10; 110）的机械强度的载体元件（12）和设置在载体元件（12）上的反射涂层（18），用于反射使用辐射 20A）。载体元件（12）由与使用辐射（20a）相互作用发射其波长与使用辐射（20a）的波长不同的次级辐射（24）和辐射探测器（30）的材料制成 ; 32; 130）被配置为检测所述次级辐射（24）。

37. 发明申请

WO2011039061A1 REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR OPERATING AN EUV LITHOGRAPHY APPARATUS 审中-公开
标题翻译：反射光学元件和操作EUV光刻设备的方法
公开(公告)号：WO2011039061A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/063694
申请日：2010-09-17
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk, Heinrich , DOCHNAHL, Axel , VON BLANCKENHAGEN, Gisela
发明人： EHM, Dirk, Heinrich , DOCHNAHL, Axel , VON BLANCKENHAGEN, Gisela
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , G02B5/08
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0825 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70941 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067
摘要： In order to reduce the adverse influence of contamination composed of silicon dioxide, hydrocarbons and/or metals within an EUV lithography apparatus on the reflectivity, a reflective optical element (50) for the extreme ultraviolet wavelength range having a reflective surface (59) is proposed, wherein the multilayer coating of the reflective surface (59) has a topmost layer (56) composed of a fluoride. The contaminations mentioned, which deposit on the reflective optical element (50) during the operation of the EUV lithography apparatus, are converted into volatile compounds by the addition of at least one of the substances mentioned hereinafter: atomic hydrogen, molecular hydrogen, perfluorinated alkanes such as e.g. tetrafluoromethane, oxygen, nitrogen and/or helium.
摘要翻译：为了减少由EUV光刻设备内的二氧化硅，碳氢化合物和/或金属构成的污染物对反射率的不利影响，提出了一种具有反射表面（59）的用于极紫外波长范围的反射光学元件（50），其中所述反射表面（59）的多层涂层具有由氟化物构成的最顶层（56）。在EUV光刻设备的操作期间沉积在反射光学元件（50）上的污染物通过添加至少一种以下提及的物质转化为挥发性化合物：原子氢，分子氢，全氟化烷烃例如四氟甲烷，氧，氮和/或氦。

38. 发明申请

WO2010115526A1 VERFAHREN ZUR KONTAMINATIONSVERMEIDUNG UND EUV-LITHOGRAPHIEANLAGE 审中-公开
标题翻译：方法预防污染和EUV光刻系统
公开(公告)号：WO2010115526A1
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/EP2010/001908
申请日：2010-03-26
申请人： CARL ZEISS SMT AG , KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
发明人： KRAUS, Dieter , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , WIESNER, Stefan , CZAP, Almut , KOEHLER, Stefan , CHUNG, Hin, Yiu, Anthony
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70041 , G03F7/70916
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist, und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18, 18') umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegen gerichteten Gasstroms (21 a, 21 b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21 a, 21 b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21 a, 21 b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18, 18') festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind, und wobei sich im Bereich der Öffnung (17b) die Gaspulse zeitlich mit den Pulsen der kontaminierenden Stoffe (18, 18') überlappen. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过EUV光刻设备（1），的壳体（图4a），其中，在所述壳体（4a）中的开口（17b）的至少一个光学元件的污染气态物质（18）的通过的防止用于引导 EUV辐射（6）设置，并且其中所述方法包括：生成所述污染物中的至少一个（18，18“）偏转，尤其是其流动方向（Z）相反方向的气体流（21 A，21 b）（在开口的区域中 17B）。的气体流（21，21 b）和极紫外辐射（6）产生的脉冲和所述气体流的脉冲率（21 A，21 B）是脉冲EUV辐射的作用下释放，脉冲速率的函数（6）污染物质（18，18“）固定，特别是两个脉冲率相等的尺寸，并且其中在所述开口的区域（17b）的与所述污染物质（18，18的脉冲在时间上的气体脉冲的”重叠）。本发明还涉及一种EUV光刻设备，其中，可以执行该方法。

39. 发明申请

WO2010081721A1 EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND CABLE FOR THE SAME 审中-公开
标题翻译： EUV光刻系统和电缆
公开(公告)号：WO2010081721A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/EP2010/000212
申请日：2010-01-15
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
发明人： HOLGER, Fischer , EHM, Dirk, Heinrich , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , KRAUS, Dieter
IPC分类号： G03F7/20 , H01B7/17
CPC分类号： G03F7/70916 , G03F7/7095 , G03F7/70983 , G03F7/70991
摘要： The invention relates to an EUV lithography system, comprising: an EUV light source for generating EUV radiation as well as at least one cable (33) running in a beam guidance chamber of the EUV lithography system. The cable (33) running in the beam guidance chamber is exposed in at least a subregion of its surface (33a) to the EUV radiation and the cable (33) consists at least at the subregion of its surface (33a) exposed to the EUV radiation of a material (34a) resistant to the EUV radiation. The invention also relates to a cable (33) for use in a beam guidance chamber of an EUV lithography system as well as to a method for installing a cable (33) in a beam guidance chamber of an EUV lithography system. In particular, the electrical conductor of the cable or insulation of the cable may be provided with a sheathing, e.g. in the form of a foil (34), which comprises at least one EUV-resistant layer.
摘要翻译：本发明涉及一种EUV光刻系统，包括：用于产生EUV辐射的EUV光源以及在EUV光刻系统的光束引导室中运行的至少一个光缆（33）。在光束引导室中延伸的电缆（33）至少在EUV辐射表面（33a）的一个子区域上，电缆（33）至少在其暴露于EUV的表面（33a）的亚区域辐射耐EUV辐射的材料（34a）。本发明还涉及一种用于EUV光刻系统的光束引导室中的电缆（33）以及用于在EUV光刻系统的光束引导室中安装电缆（33）的方法。特别地，电缆的电导体或电缆的绝缘体可以设置有护套，例如电缆。以箔（34）的形式，其包括至少一个耐EUV的层。

40. 发明申请

WO2009152885A8 PARTICLE CLEANING OF OPTICAL ELEMENTS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：光学元件的微粒清洁
公开(公告)号：WO2009152885A8
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/EP2009001581
申请日：2009-03-06
申请人： ZEISS CARL SMT AG , ASML NETHERLANDS BV , EHM DIRK HEINRICH , STORM ARNOLDUS JAN , MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPH , CZAP ALMUT , NAGEL MONA , VAN DER DONCK JACQUES COR JOHA , STORTELDER JETSKE , SANDTKE MARIJN , CABALLERO MARIA ISABEL CATALIN , SCACCABAROZZI LUIGI
发明人： EHM DIRK HEINRICH , STORM ARNOLDUS JAN , MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA , CZAP ALMUT , NAGEL MONA , VAN DER DONCK JACQUES COR JOHAN , STORTELDER JETSKE , SANDTKE MARIJN , CABALLERO MARIA ISABEL CATALINA , SCACCABAROZZI LUIGI
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/00
CPC分类号： G03F7/70925 , B82Y10/00 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70975 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： An optical assembly serves the purpose of being mounted in a projection exposure apparatus (101) for EUV microlithography and comprises at least one vacuum chamber (70, 71, 68a), at least one optical element (6, 7; 65, 66; 63) arranged in the vacuum chamber (70, 71, 68a), the optical element (6, 7; 65, 66; 63) having an optical surface (18) which may be impinged upon by a useful beam bundle (3) of the projection exposure apparatus (101), and a cleaning device (72) for cleaning the optical surface (18). The cleaning device (72) is configured to perform particle cleaning of the optical surface (18) at a gas pressure within the vacuum chamber (70,71, 68a) which is higher than a vacuum pressure (p0) for performing an exposure operation with the projection exposure apparatus (101). The result is an optical assembly capable of providing optical elements having an optical surface which may be impinged upon by a useful beam bundle which can be cleaned reliably from foreign particles.
摘要翻译：光学组件用于安装在用于EUV微光刻的投影曝光设备（101）中，并且包括至少一个真空室（70,71,68a），至少一个光学元件（6,7; 65,66,63 ），所述光学元件（6,7; 65,66,63）具有光学表面（18），所述光学表面可被所述真空室（70,71,68a）的有用光束束（3）撞击投影曝光装置（101）和用于清洁光学表面（18）的清洁装置（72）。清洁装置（72）构造成在真空室（70,71,68a）内的气体压力下进行光学表面（18）的粒子清洁，该气体压力高于用于进行曝光操作的真空压力（p0）投影曝光装置（101）。其结果是能够提供光学元件的光学组件，该光学元件具有光学表面，该光学表面可以被可以被外界颗粒可靠地清洁的有用束束撞击。

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