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21. 发明申请

WO2012157697A1 回折格子製造方法、分光光度計、および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：衍射光栅制造方法，分光光度计和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2012157697A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/JP2012/062622
申请日：2012-05-17
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立ハイテクノロジーズ , 江畠佳定 , 松井繁 , 長谷川昇雄 , 角田和之 , 小野塚利彦
发明人：江畠　佳定 , 松井　繁 , 長谷川　昇雄 , 角田　和之 , 小野塚　利彦
IPC分类号： G02B5/18 , G01J3/18 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G02B5/1857 , G01J3/0262 , G01J3/18 , G01J3/42 , G02B5/18 , G02B5/1814 , G02B5/1861 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0005 , H01L21/26
摘要：　第１技術は、分光光度計に用いるのに好適な、凸部の頂角が概略９０度で、高い回折効率と低い迷光量を満足できる回折格子の製造技術の提供を目的とする。周期構造の開口部を有するマスクの開口部形状に対して、露光により形成された基板上のレジストの凸部の断面形状が、非対称の三角形状であって該三角形状の長辺と短辺のなす角が概９０度となるように露光条件を設定し、露光を行い、回折格子を形成する。第２技術は、精度向上と製作時間の短縮が可能な回折格子の製造技術の提供を目的とする。光源から放出された光を、光軸に対して非対称な照明形状にして、所定の周期パターンを備えたマスクを透過させ、前記マスクを透過させることにより生じる０次光と１次光とを基板の表面で干渉させて、前記基板の表面の感光材料を露光し、前記基板上に前記ブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种制造衍射光栅的技术，其适用于分光光度计，具有大约90度的突起的顶角，并且具有高的衍射效率和少量的杂散光。一种衍射光栅的制造方法，其特征在于，在曝光条件下进行曝光，所述曝光条件设定为使得通过曝光形成的基板上的抗蚀剂中的突起的横截面形状为不对称三角形，三角形的长边和短边相对于具有周期性结构的开口部分的掩模中的开口部分的形状形成的角度为大约90度。

22. 发明申请

WO2006057776A2 APPARATUS FOR PACKAGING ELECTRONIC COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：包装电子元件的装置
公开(公告)号：WO2006057776A2
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/US2005/039427
申请日：2005-11-01
申请人： SUD-CHEMIE INC. , DICK, Stefan , MARTIN, Michelle , DESSUS, François
发明人： DICK, Stefan , MARTIN, Michelle , DESSUS, François
IPC分类号： B65D85/00
CPC分类号： H05K13/0084 , H01L21/26 , H01L24/86 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01077 , H01L2924/14
摘要： An apparatus (10) for packaging electronic components, particularly integrated circuits (12), which includes a carrier tape (20) into or on which the integrated circuits can be secured, a packing reel (40), to which is secured the carrier tape, wherein one or more components of the packing reel is composed of a plastic material and a desiccating material, and preferably a copolymer, and optionally an electrostatic dissipating product. The packing reel may further include a humidity indicator system (90). The apparatus may also be placed within a water and moisture-proof barrier bag (60) for shipment purposes.
摘要翻译：一种用于包装电子部件的设备（10），特别是集成电路（12），其中集成电路可以被固定在其上或其上，其上装载有载体带（20）;密封卷轴（40）其中包装卷轴的一个或多个部件由塑料材料和干燥材料组成，优选由共聚物和任选的静电消散产品组成。包装卷轴还可以包括湿度指示器系统（90）。该装置还可以放置在用于装运目的的防水和防潮隔离袋（60）内。

23. 发明申请

WO0046859A8 HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR WITH MULTI-LAYER CONDUCTION REGION 审中-公开
标题翻译：具有多层导电区域的高压晶体管
公开(公告)号：WO0046859A8
公开(公告)日：2000-10-05
申请号：PCT/US0002343
申请日：2000-01-31
申请人： POWER INTEGRATIONS INC , RUMENNIK VLADIMIR , DISNEY DONALD R , AJIT JANARDHANAN S
发明人： RUMENNIK VLADIMIR , DISNEY DONALD R , AJIT JANARDHANAN S
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/76 , H01L29/80
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/26 , H01L21/266 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/0873 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66674 , H01L29/66681 , H01L29/7801 , H01L29/7832 , H01L29/7835
摘要： A high voltage insulated gate field-effect transistor includes an insulated gate field-effect device structure having a source (14) and a drain (19), the drain (19) being formed with an extended well region (17) having one or more buried layers (18) of opposite conduction type sandwiched therein. The one or more buried layers (18) create an associated plurality of parallel JFET conduction channels in the extended portion of the well region. The parallel JFET conduction channels provide the HVFET with a low on-state resistance.
摘要翻译：高压绝缘栅场效应晶体管包括具有源极（14）和漏极（19）的绝缘栅场效应器件结构，漏极（19）形成有延伸阱区（17），该延伸阱区具有一个或多个夹在其中的相反导电类型的掩埋层（18）。一个或多个埋层（18）在阱区的延伸部分中产生相关联的多个平行JFET导电沟道。并联JFET导电沟道为HVFET提供低导通电阻。

24. 发明申请

WO1996026536A1 SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH CRYSTAL DEFECTS AND PROCESS FOR ITS FABRICATION 审中-公开
标题翻译：具有晶体缺陷的半导体器件及其制造工艺
公开(公告)号：WO1996026536A1
公开(公告)日：1996-08-29
申请号：PCT/JP1996000368
申请日：1996-02-19
申请人： ROHM CO., LTD. , SAKAMOTO, Kazuhisa
发明人： ROHM CO., LTD.
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26 , H01L21/263 , H01L29/32 , H01L29/73 , H01L29/7322 , H01L29/78
摘要： It is an object to provide a semiconductor apparatus having both fast switching characteristics and high dielectric breakdown strength or small leakage current characteristics, as well as a process for fabricating such improved semiconductor apparatus. The apparatus comprises a semiconductor substrate; a semiconductor layer on said semiconductor substrate, said semiconductor layer having a pn junction formed along the surface of said semiconductor substrate, wherein crystal defects being formed by irradiation with particle rays to the only vertical direction of said pn junction; and a silicon nitride film provided on the substrate surface of said layer for restraining the exposure to particle rays being provided on the substrate surface of said element in the areas other than said pn junction.
摘要翻译：本发明的目的是提供具有快速开关特性和高介电击穿强度或小的漏电流特性的半导体装置，以及制造这种改进的半导体装置的方法。该装置包括半导体衬底; 在所述半导体衬底上的半导体层，所述半导体层具有沿着所述半导体衬底的表面形成的pn结，其中通过用所述pn结的唯一垂直方向照射粒子射线形成晶体缺陷; 以及设置在所述层的衬底表面上的氮化硅膜，用于抑制在所述pn结以外的区域中的所述元件的衬底表面上提供的颗粒射线的暴露。

25. 发明申请

WO1981001345A1 INTEGRATED CIRCUIT ALPHA RADIATION SHIELDING MEANS 审中-公开
标题翻译：集成电路ALPHA辐射屏蔽方式
公开(公告)号：WO1981001345A1
公开(公告)日：1981-05-14
申请号：PCT/GB1980000180
申请日：1980-10-27
申请人： BURROUGHS CORP , WILKINSON J
发明人： BURROUGHS CORP
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/26 , H01L23/556 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： An integrated circuit (16) is provided with shielding means (14) (20) to protect it from bombardment by alpha particles and other ionising radiation, so as to avoid errors in the functioning of the integrated circuit by the sudden introduction of electrical charge attendant upon the incidence of such radiation. The shielding means is in the form of a semiconducting layer, of the type of material which itself might be used for the fabrication of an integrated circuit, said layer being located in a close, overlapping manner relative to the fabricated area of the semiconducting lamina on which the integrated circuit, to be protected, is situated, so sandwiching the integrated circuit between two layers of material which are thick enough to prevent the through-passage of high energy alpha particles, and which, by their purity, are substantially free from any radioactive inclusions.

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