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21. 发明申请

WO2009143802A1 LED-ARRAY MIT MITTELN ZUR REDUKTION VON OPTISCHEM ÜBERSPRECHEN 审中-公开
标题翻译：有用于LED阵列用于降低光学TALK ABOUT
公开(公告)号：WO2009143802A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2009/000646
申请日：2009-05-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIRTH, Ralph , ENGL, Karl , STREUBEL, Klaus
发明人： WIRTH, Ralph , ENGL, Karl , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/13
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Träger (1) umfasst, auf dem zumindest zwei Halbleiterbauelemente (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei jedes der Halbleiterbauelemente (2) - im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und - eine vom Träger (1) abgewandte Hauptoberfläche (21) aufweist, auf der ein Wellenlängenkonversionselement (3) zur zumindest teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung angeordnet ist, - das Wellenlängenkonversionselement (3) eine Strahlungseintrittsfläche (31), eine Strahlungsaustrittsfläche (32) und Seitenflächen (33), die die Strahlungseintrittsfläche (31) mit der Strahlungsaustrittsfläche (32) verbinden, umfasst und mit der Strahlungseintrittsfläche (31) auf der Hauptoberfläche (21) angeordnet ist, - wobei auf den Seitenflächen (33) ein erstes nicht-transparentes Material (4) angeordnet ist.
摘要翻译：它是提供一种发射辐射的装置，包括：载体（1），其上的至少两个半导体组件（2）彼此相邻地布置，每个所述半导体组件（2） - 发射操作过程中的电磁初级辐射，以及 - 从载体一（1）的面向远离具有在其上的波长转换元件（3）被布置为初级辐射的至少部分转化成电磁次级辐射主表面（21）， - 所述波长转换元件（3）具有一个辐射入射面（31），辐射出射表面（32）和侧面（33）与辐射出射表面（32）连接所述辐射入射面（31），与辐射入射面（31）的主表面上包括：（21）设置， - 其中，在所述侧表面（33）被布置在第一非透明材料（4）。

22. 发明申请

WO2007036198A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007036198A2
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001616
申请日：2006-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph
发明人： PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip offenbart, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4), der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einem an der Halbleiterschichtenfolge angeordneten separat gefertigten TCO-Stützsubstrat (10), das ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCO) aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt.
摘要翻译：
据的光电子半导体芯片中公开了从正面侧在操作期间电磁辐射（7），其包括发射： - 具有有源区的半导体层序列（1）（4），其适于将电磁以产生辐射;以及 - 布置在单独制造的TCO-圣导航用途tzsubstrat（10）的半导体层序列并具有选自透明导电氧化物的（TCO），该半导体层序列（1）机械地第一导航用途TZT

23. 发明申请

WO2006002614A1 REFLEKTIERENDES SCHICHTSYSTEM MIT EINER MEHRZAHL VON SCHICHTEN ZUR AUFBRINGUNG AUF EIN III/V-VERBINDUNGSHALBLEITERMATERIAL 审中-公开
标题翻译：映含分层损伤NUMBER层体系：施用于III / V族化合物半导体材料
公开(公告)号：WO2006002614A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/DE2005/001148
申请日：2005-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph , ZULL, Heribert
发明人： KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden Schichtsystems und ein reflektierendes Schichtsystem zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial (4), wobei eine erste Schicht (1), die Phosphosilikatglas enthält, direkt auf das Halbleitersubstrat (4) aufgebracht ist. Hierauf befindet sich eine zweite Schicht (2), die Siliziumnitrid enthält. Daran anschließend ist eine metallische Schicht (3) aufgebracht.
摘要翻译：本发明描述了用于制造反射层系统和反射层系统用于施加到III / V族化合物半导体材料（4），其中第一层（1）含有磷，直接地（4）被施加在半导体基板上的方法。再有就是含有氮化硅的第二层（2）。此后，金属层（3）被施加。

24. 发明申请

WO2011154180A2 LEUCHTDIODENANORDNUNG UND LEUCHTMITTEL INSBESONDERE MIT SOLCH EINER LEUCHTDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译： LED的配置和灯具尤其是这样的安排LEDS
公开(公告)号：WO2011154180A2
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：PCT/EP2011/055848
申请日：2011-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , MAIWALD, Hubert , KRAUS, Robert , RODE, Patrick , WIRTH, Ralph
发明人： VON MALM, Norwin , MAIWALD, Hubert , KRAUS, Robert , RODE, Patrick , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H05B41/392 , H05B33/08
CPC分类号： H05B37/00 , F21K9/232 , F21K9/233 , F21V3/00 , F21V23/026 , F21V29/70 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L41/044 , H01L41/107 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0806 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Leuchtdiodenanordnung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der zumindest eine ausgangseitige Anschlussstelle (11) aufweist, und einer Hochvolt-Leuchtdiode (2), die einen Hochvolt- Leuchtdiodenchip (21) umfasst, wobei die Hochvolt-Leuchtdiode (2) elektrisch an die ausgangseitige Anschlussstelle (11) des Piezo-Transformators (1) angeschlossen ist und der Hochvolt-Leuchtdiodenchip (21) zumindest zwei aktive Bereiche umfasst, die zueinander in Reihe geschaltet sind.
摘要翻译：提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

25. 发明申请

WO2011051084A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011051084A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/064800
申请日：2010-10-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BARCHMANN, Bernd , KALTENBACHER, Axel , STATH, Norbert , WEGLEITER, Walter , WEIDNER, Karl , WIRTH, Ralph
发明人： BARCHMANN, Bernd , KALTENBACHER, Axel , STATH, Norbert , WEGLEITER, Walter , WEIDNER, Karl , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2224/24998 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Trägerkörper (3) mit einem Anschlussbereich (5) auf. Auf dem Trägerkörper (3) ist ein Halbleiterchip (7) angeordnet. Auf der vom Trägerkörper (3) abgewandten Oberfläche (8) des Halbleiterchips (7) ist ein Kontaktbereich (10) aufgebracht. Der Anschlussbereich (5; ist mit dem Kontaktbereich (10) über eine freitragende Leitungsstruktur (13) elektrisch leitend verbunden. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben.
摘要翻译：光电子器件包括支撑体（3）与连接区域（5）。在承载体（3），半导体芯片（7）布置。表面背离所述载体本体（3）的距离（8）的半导体芯片（7）是一个接触区域（10）施加。连接区域（5;是（悬臂管结构13）电连接（与接触部分10）一种用于生产描述的光电器件的方法..

26. 发明申请

WO2010054622A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2010054622A2
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/DE2009/001548
申请日：2009-11-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIRTH, Ralph
发明人： WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, mit - einem Anschlussträger (2), auf dem zumindest zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips (3) angeordnet sind, - einem Konversionselement (4), das am Anschlussträger (2) befestigt ist, wobei - das Konversionselement (4) die Halbleiterchips (3) derart überspannt, dass die Halbleiterchips (3) vom Konversionselement (4) und dem Anschlussträger (2) umgeben sind, und - zumindest zwei der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (3) sich hinsichtlich der Wellenlängen der von ihnen im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung voneinander unterscheiden.
摘要翻译：提供了一种光电部件（1），包括： - 终端载体（2），被布置在所述至少两个发射辐射的半导体芯片（3），上 - 一个转换元件（4），其被固定到所述终端支撑件（2），其中： - 所述转换元件（4）横跨半导体芯片（3），使得所述半导体芯片（3）由所述转换元件（4）和连接架（2）包围，以及 - 至少在从它们在操作的波长而言两个发射辐射的半导体芯片（3）的彼此不同，所发出的电磁辐射。

27. 发明申请

WO2009155899A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009155899A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000856
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
发明人： BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
IPC分类号： H01L33/00 , H01L51/52
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46 , H01L51/5268 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
摘要翻译：它是具有前侧（7），其被设置用于耦合输出辐射，所指定的发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片具有在所述前侧中的一个的方向（7）相反的后侧（8）前面（7）通过在所指示的顺序的下列元件：它被设置用于发射电磁辐射的有源层（1）; 的混合层（2），散射元件（21），用于的电磁辐射包括散射; 具有折射率比有源层（1）的折射率更小的过渡层（3）; 和的第一光子晶体（4）。

28. 发明申请

WO2009121339A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2009121339A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000417
申请日：2009-03-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEGLEITER, Walter , WIRTH, Ralph , BARCHMANN, Bernd
发明人： WEGLEITER, Walter , WIRTH, Ralph , BARCHMANN, Bernd
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Anschlussträger (2) mit einer Anschlussseite (20) und mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der auf der Anschlussseite angebracht und mit dem Anschlussträger elektrisch verbunden ist. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil eine haftvermittelnde Zwischenfolie (5) die auf der Anschlussseite angebracht ist und diese mindestens teilweise bedeckt. Zudem weist das Halbleiterbauteil mindestens einen strahlungsdurchlässigen Vergusskörper (4) auf, der den Halbeiterchip zumindest teilweise umgibt, wobei der Vergusskörper mittels der Zwischenfolie mit dem Anschlussträger mechanisch verbunden ist. Ein derart gestaltetes optoelektronisches Halbleiterbauteil ist alterungsbeständig und weist gute optische Eigenschaften auf.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述（2），其具有连接侧（20）和至少一个光电子半导体芯片（3）安装在所述连接侧并电连接到连接支承一个终端支持。此外，该半导体装置包括安装在终端侧，该至少部分地覆盖的粘合剂中间膜（5）。此外，该半导体器件包括至少一个辐射透灌封（4），其至少包围所述半导体芯片的一部分，其中，由所述中间膜来连接载体的装置中的铸造体机械地连接。这样设计的光电子半导体器件是耐老化，并具有良好的光学特性。

29. 发明申请

WO2009068007A1 BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2009068007A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001959
申请日：2008-11-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIRTH, Ralph
发明人： WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/44
摘要： Vorliegend wird eine Beleuchtungsvorrichtung mit einem Chipgehäuse (2) mit mindestens einer Vertiefung (5) angegeben, die durch eine reflektierende Innenfläche (4) begrenzt ist. Weiterhin umfasst die Beleuchtungsvorrichtung mindestens einen Strahlung emittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Chipfläche (9), der in der Vertiefung angeordnet ist, sowie ein chipfernes Winkelfilterelement (6), das in das Chipgehäuse integriert ist und dem Halbleiterchip in einer Vorzugsrichtung (v) nachgeordnet ist, wobei die reflektierende Innenfläche mindestens zehnmal so groß ist wie die Chipfläche.
摘要翻译：在当前情况下，与芯片外壳（2）具有至少一个凹部（5）的照明装置设置，这是由反射内表面界定（4）。此外，所述照明装置包括至少一个发射辐射的半导体芯片（3），其被布置在凹槽中的切屑表面（9），和一个芯片遥远角度过滤器元件（6），其被集成到芯片封装，并且在优选方向上的半导体芯片（V）的下游是，其中，所述反射内表面是至少10倍大的芯片面积。

30. 发明申请

WO2008145096A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT WINKELFILTERELEMENT 审中-公开
标题翻译： LED芯片与角过滤元件
公开(公告)号：WO2008145096A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/DE2008/000869
申请日：2008-05-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STREUBEL, Klaus , WIRTH, Ralph
发明人： STREUBEL, Klaus , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/46
摘要： Die Erfindung betrifft einen Lumineszenzdiodenchip mit - einem Halbleiterkörper (1), der Strahlung einer ersten Wellenlänge erzeugt, - einem Lumineszenzkonversionselement (5), das aus der Strahlung erster Wellenlänge Strahlung einer zweiten Wellenlänge erzeugt, und - einem Winkelfilterelement (4), das Strahlung, die unter einem speziellen Winkel relativ zu einer Hauptabstrahlrichtung auf das Winkelfilterelement auf trifft, in Richtung des Halbleiterkörpers zurückreflektiert.
摘要翻译：本发明涉及一种发光二极管芯片，包括： - 是从具有第二波长的第一波长的辐射和辐射产生的发光转换元件（5） - - 半导体基体（1），所述产生的第一波长的辐射的角度过滤器元件（4），所述辐射，这在特定相对角过滤元件的主发射方向的角度满足，在半导体本体的方向反射回来。

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