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21. 发明申请

WO2014111298A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014111298A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2014/050238
申请日：2014-01-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , WEBER, Michaela , GOTSCHKE, Tobias , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/50 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子半导体芯片包括具有用于产生光辐射和一个转换结构（120，125）的有源区（135）的半导体层序列（130）。转换结构（120，125）包括转换区域（121，126，221），用于将nichtkonvertierende区域（122，127，222）被布置在它们之间产生的光辐射。本发明还涉及一种制造光电半导体芯片的方法。

22. 发明申请

WO2014056908A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS AUF GAN-BASIS MITTELS IONENIMPLANTANTION UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：一种用于制造光电子半导体芯片ON GaN基方法的装置IONENIMPLANTANTION和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014056908A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013/070941
申请日：2013-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PETER, Matthias , PERZLMAIER, Korbinian , MAUTE, Markus , BAUR, Johannes , ENGL, Karl , TAEGER, Sebastian , KIESLICH, Albrecht
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26553 , H01L21/2654 , H01L21/26586 , H01L29/2003 , H01L33/0066 , H01L33/305 , H01L33/325
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte : - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), - Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und - Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.
摘要翻译：在至少一个实施例中，当建立用于制造光电子半导体芯片（1）的方法。该方法包括以下步骤： - 提供在生长衬底（2）， - 制备生长衬底（2），其中，所述半导体层序列（3）的n侧（31），p侧上的半导体层序列（3）（33 有），并提供给产生辐射的有源层（33）和p侧（33）和n侧（31之间的活性层（32））和n侧（31）（所述生长衬底 2）位于邻居，以及 - 通过离子注入的方式掺杂通过有源层（32）n侧（31）。

23. 发明申请

WO2017129446A1 KONVERSIONSELEMENT UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM SOLCHEN KONVERSIONSELEMENT 审中-公开
标题翻译：具有这种转换元件的转换元件和辐射发射半导体元件
公开(公告)号：WO2017129446A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/EP2017/050895
申请日：2017-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LÖFFLER, Andreas , BAUER, Adam , PETER, Matthias , BINDER, Michael
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/502 , H01L2933/0083
摘要： Es wird ein Konversionselement (1) angegeben, mit einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst, einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (la) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind. Ferner wird ein Verfahren zu Herstellung eines solchen Konversionselements angegeben.
摘要翻译：提供了一种转换元件（1），其具有由半导体材料形成的有源区（13）并且包括多个势垒（131）和多个量子阱（132）布置在所述转换元件（1）的上侧（1a）上的第一结构元件（14）以及背对所述多个第一结构元件（14）中的一个的多个第二结构元件（15）和/或第三结构元件（16）的有源区（13）的布置。此外，指定了生产这种转换元件的方法。

24. 发明申请

WO2016146376A1 BAUELEMENT MIT EINER MEHRFACHQUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：具有更多量子阱结构COMPONENT
公开(公告)号：WO2016146376A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/054312
申请日：2016-03-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , LEHNHARDT, Thomas , PETER, Matthias , ASAKO, Hirai , OFF, Jürgen , DRECHSEL, Philipp , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/2228 , H01S5/309 , H01S5/3216 , H01S5/34
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die inseitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.
摘要翻译：它与半导体层序列，设备（10），其包括p型半导体层中指定（1）中，n型半导体层（2）和，设置在所述p型半导体层和n型半导体层有源区（3）之间，其中，所述有源区域包括p型半导体层向多个p侧的阻挡层（32P）与中间量子阱层（31）的n型半导体层的多量子阱结构和多个n侧阻挡层（32N）具有中间量子层（31）。在由p型半导体层的凹陷的半导体层序列（4）被形成为具有侧面，其中，所述量子阱层和/或n和p侧的阻挡层至少部分地延伸符合凹部的侧壁。所述inseitigen阻挡层具有平均厚度比所述p侧势垒层大。

25. 发明申请

WO2015124495A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：一种用于生产氮化物半导体层
公开(公告)号：WO2015124495A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053004
申请日：2015-02-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OFF, Jürgen , PETER, Matthias , LEHNHARDT, Thomas , BERGBAUER, Werner
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02645 , H01L21/02658
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Nitrid- Verbindungshalbleiterschicht beschrieben,umfassend die Schritte: - Abscheiden einer ersten Keimschicht (1), die ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, auf ein Substrat (10), - zumindest teilweises Desorbieren des Nitrid- Verbindungshalbleitermaterials der ersten Keimschicht von dem Substrat (10), - Abscheiden einer zweiten Keimschicht (2), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial umfasst, und - Aufwachsen der Nitrid-Verbindungshalbleiterschicht (3), die ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, auf die zweite Keimschicht (2).
摘要翻译：描述了一种用于制造氮化物化合物半导体层的方法，包括以下步骤： - 沉积（1），包括衬底（10）上的氮化物化合物半导体材料的第一晶种层， - 至少部分地解吸所述第一籽晶层的氮化物半导体材料在基板（10）的， - 沉积第二籽晶层（2）包括一氮化物半导体材料，和 - （3）包括第二晶种层上的氮化物半导体材料的氮化物化合物半导体层生长（2）。

26. 发明申请

WO2014173825A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
标题翻译：用中间层半导体部件
公开(公告)号：WO2014173825A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057947
申请日：2014-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , PETER, Matthias , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , GOTSCHKE, Tobias , LEIRER, Christian
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge mit einer p-dotierten Schicht, mit einer n-dotierten Schicht und mit einer zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordneten aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die n-dotierte Schicht wenigstens GaN aufweist, wobei in der n-dotierten Schicht eine Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht Al x Ga 1-x N aufweist, wobei 0
摘要翻译：本发明涉及一种方法，以及具有的光电子半导体器件用p型掺杂层的层序列，用n型掺杂层和具有设置在所述n型掺杂层和用于产生电磁辐射的p掺杂层有源区，其中间 n型掺杂层的至少的GaN，其中的中间层被设置在n掺杂层，其中所述中间层的AlxGa1-XN，其中0

27. 发明申请

WO2019042746A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019042746A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/EP2018/071786
申请日：2018-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PETER, Matthias , WURM, Teresa , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01L33/14 , H01S5/042 , H01L33/32 , H01S5/323
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(1)mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101).

28. 发明申请

WO2015074968A1 VERFAHREN ZUR OPTISCHEN CHARAKTERISIERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERMATERIALS UND VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS 审中-公开
标题翻译：处理该光学性质的光电子半导体材料与器件具体实施方法
公开(公告)号：WO2015074968A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/074655
申请日：2014-11-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBBECKE, Jens , KUGLER, Siegmar , MEYER, Tobias , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , G01R31/26 , G01N21/64
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/646 , G01R31/2635 , H01L33/0095
摘要： Es wird ein Verfahren zur ganzflächigen optischen Charakterisierung eines optoelektronischen Halbleitermaterials (1), das zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen ist und das eine Bandlücke aufweist, durch die eine charakteristische Wellenlänge des Halbleitermaterials (1) gegeben ist, mit den Schritten : A) Ganzflächiges Bestrahlen einer Hauptoberfläche (11) des optoelektronischen Halbleitermaterials (1) mit Licht (20) mit einer Anregungswellenlänge, die kleiner als die charakteristische Wellenlänge des Halbleitermaterials (1) ist, zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren im Halbleitermaterial (1); B) Ganzflächiges Detektieren einer durch Rekombination der Elektron-Loch-Paare von der Hauptoberfläche (11) des Halbleitermaterials (1) abgestrahlten Rekombinationsstrahlung (30) mit der charakteristischen Wellenlänge. Weiterhin wird eine Vorrichtung (100) zur Durchführung des Verfahrens angegeben.
摘要翻译：它是被设置用于制造多个光电子半导体芯片和光电子半导体材料（1）的整个区域的光学表征的方法，其具有的带隙，通过该半导体材料的特征波长（1）中给出，其包括以下步骤：A）用激发波长比所述半导体材料（1）的特征波长更小，电子 - 空穴对的生成在所述半导体材料（1）的光电子半导体材料（1）与光（20）的主表面（11）的整个区域的辐射; B）整个区域的从半导体材料（1）的主表面11）检测（通过电子 - 空穴对的再结合辐射与所述特征波长重组（30）。此外，用于实施该方法的装置（100）中给出。

29. 发明申请

WO2014048907A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014048907A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069816
申请日：2013-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , MEYER, Tobias , PETER, Matthias , OFF, Jürgen , HERTKORN, Joachim , LÖFFLER, Andreas , WALTER, Alexander , SCHIAVON, Dario
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/58
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur mit einer leuchtaktiven Schicht. Dabei weist die leuchtaktive Schicht in einem ersten lateralen Bereich eine höhere Dichte an V-Defekten auf als in einem zweiten lateralen Bereich.
摘要翻译：一种光电子器件，包括具有发光活性层的层结构。在这种情况下，发光活性层中的V缺陷上更高密度的第一横向区域中比在第二横向区域。

30. 发明申请

WO2014048805A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2014048805A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069356
申请日：2013-09-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERTKORN, Joachim , AHL, Jan-Philipp , ZINI, Lorenzo , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , FREY, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/02 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements angegeben, das Schritte umfasst zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufbringen einer Nukleationsschicht auf einer Oberfläche des Substrats, zum Aufbringen und Strukturieren einer Maskenschicht auf der Nukleationsschicht, zum Aufwachsen eines Nitridhalbleiters in einem ersten Wachstumsschritt, wobei Stege angelegt werden, die ein laterales Gitter bilden, wobei die Stege in Wachstumsrichtung abschnittsweise trapezförmige Querschnittsflächen aufweisen, und zum lateralen Überwachsen der Stege mit einem Nitridhalbleiter in einem zweiten Wachstumsschritt, um Freiräume zwischen den Stegen zu schließen.
摘要翻译：它用于制造光电子组件被说明，包括对所述基板的表面上沉积成核层，用于施加和在成核层上图案化在第一生长步骤生长氮化物半导体的一个掩模层，提供一基底的步骤的方法，所述纤维网被创建，其形成侧格，腹板部分具有梯形的横截面面积在生长的方向，并以纤维网，其包括在第二生长步骤中的氮化物半导体，的横向过生长来关闭腹板之间的间隙。

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