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21. 发明申请

WO2014029642A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体元器件与发光半导体元件
公开(公告)号：WO2014029642A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013/066727
申请日：2013-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , MOOSBURGER, Jürgen , PLÖSSL, Andreas , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/0066 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem - eine Licht emittierende Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) bereitgestellt wird, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen, - eine Wellenlängenkonversionsschicht (4) mit zumindest einem Wellenlängenkonversionsstoff auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und - auf der Wellenlängenkonversionsschicht (4) eine Keramikschicht (5) mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于制造发光半导体元件，其中一个方法： - 与活性层（3），其适于在所述半导体器件的操作期间发光，提供了一种发光半导体层序列（2） - 的波长转换层（4）与至少一种波长转换材料施加在半导体层序列（2），以及 - 波长转换层（4）上是陶瓷层（5）由一个Aerosolabscheideverfahrens施加。此外，发光半导体装置。

22. 发明申请

WO2018109064A1 MODUL MIT LEUCHTDIODENCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018109064A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：PCT/EP2017/082762
申请日：2017-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , KOSTELNIK, Jan
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/62
摘要： Es wird ein Modul mit Leuchtdiodenchips vorgeschlagen, wobei die Leuchtdiodenchips an gegenüberliegenden Seiten jeweils eine erste und eine zweite Kontaktelektrode aufweisen, wobei auf einer Oberseite einer Trägerschicht eine erste Metallisierungsebene mit Reihenleitungen und ersten Umverdrahtungsleitungen angeordnet ist, wobei die Leuchtdiodenchips mit den ersten Kontaktelektroden auf den Reihenleitungen angeordnet, wobei die Trägerschicht erste Durchkontaktierungen aufweist, die von einer Oberseite der Trägerschicht zu einer Unterseite der Trägerschicht geführt sind, wobei auf der Unterseite der Trägerschicht eine zweite Metallisierungsebene mit ersten und weiteren ersten Kontaktflächen angeordnet ist, wobei die Reihenleitungen über die ersten Durchkontaktierungen mit den ersten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbunden sind, wobei auf der Trägerschicht eine erste Deckschicht angeordnet ist, wobei die erste Deckschicht die Leuchtdiodenchips umgibt und wenigstens teilweise bedeckt, wobei auf der ersten Deckschicht eine dritte Metallisierungsebene mit Spaltenleitungen angeordnet ist, wobei die zweiten Durchkontaktierungen mit den Spaltenleitungen elektrisch leitend verbunden sind, wobei dritte Durchkontaktierungen von der Oberseite der ersten Deckschicht bis zu den ersten Umverdrahtungsleitungen geführt sind, wobei in der Trägerschicht vierte Durchkontaktierungen vorgesehen sind, die die ersten Umverdrahtungsleitungen mit zweiten Kontaktflächen der zweiten Metallisierungsebene verbinden.

23. 发明申请

WO2016184813A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2016184813A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/EP2016/060885
申请日：2016-05-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L22/22 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2221/68359 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： Das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) umfasst ein Bereitstellen eines Wafersubstrats (1) umfassend eine lichtemittierende Schichtenfolge (1a), ein Vereinzeln des Wafersubstrats (1) mit der Schichtenfolge (1a) in mehrere Halbleiterbauteile (3), ein Aufbringen der Halbleiterbauteile (3) auf einen Zwischenträger (4), und ein Anordnen eines Vergusses (5) auf den Zwischenträger (4), so dass der Verguss (5) die Halbleiterbauteile (3) lateral umgibt und mit Seitenflächen (3b) der Halbleiterbauteile (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Anordnen jeweils eines Kontaktes (6) auf jeweils einem Halbleiterbauteil (3) und dem Verguss (5), wobei jeweils ein Kontakt (6) an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) des Halbleiterbauteils (3) und des Vergusses (5) angeordnet ist. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Verbinden des Bauteils (10) mit einem Trägerelement (7),an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) der Halbleiterbauteile (3), ein Entfernen des Zwischenträgers (4) und jeweils des Wafersubstrats (1) der Halbleiterbauteile (3), undein elektrisches Kontaktieren der Halbleiterbauteile (3) über die Kontakte (6) und den Verguss (5), wobei eine Kontaktschicht (8) über eine Oberseite (5a) des Vergusses (5), welche den Kontakten (6) abgewandt ist, zur lichtemittierenden Schichtenfolge (1a) geführt wird.
摘要翻译：用于制造光电子组件的方法（10），包括包括：提供在晶片衬底（1）的发光层序列（1a）中，晶片衬底的分离（1），具有所述层序列（1A）划分为多个半导体器件（3），半导体器件的应用的（3）到中间载体（4），和设置灌封化合物（5）至所述中间支撑件（4），使得所述封装（5）包围所述半导体部件（3）横向并具有侧面（3b）的半导体元件（3）的至少局部地直接接触。此外，该方法包括定位每一个相应的半导体部件（3）上的触点（6）的和背对半导体部件的侧面（3a）的铸件（5），其中，相应的中间载体上的接触（6）（4）（3）布置和封装（5）。该方法还包括连接包含（7）的面向远离所述半导体元件的中间载体（4）侧（3a）的一个支承元件的部件（10）（3），除去在中间载体（4），并且每个晶片衬底（1）的半导体部件（3），安石经由触点（6）的半导体元件（3）的电接触和在铸件（5），其特征在于，接触层（8）在所述封装（5），该（触点6的上侧（5a）中）是远程的，（用于光发射层序列1a）中被引导。

24. 发明申请

WO2016071439A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2016071439A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075801
申请日：2015-11-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOENCH, Wolfgang , SINGER, Frank , SCHWARZ, Thomas , MOOSBURGER, Jürgen , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L2933/0058
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Einbetten eines optoelektronischen Bauteils in einen Formkörper derart, dass eine Oberseite des optoelektronischen Bauteils an einer Oberseite des Formkörpers zumindest teilweise freiliegt, zum Anordnen und Strukturieren einer Opferschicht über der Oberseite des optoelektronischen Bauteils und der Oberseite des Formkörpers, zum Anordnen und Strukturieren einer Schicht eines optischen Materials über der Opferschicht, und zum Entfernen der Opferschicht.
摘要翻译：制造光电子器件，包括嵌入的光电子器件成形体的步骤的方法，使得光电子器件在成型的上表面的顶表面被至少部分地暴露，用于布置和在所述光电元件的顶面和顶部图案化的牺牲层状体用于布置和图案化在牺牲层的光学材料制成的层以及去除牺牲层。

25. 发明申请

WO2014056911A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT INTEGRIERTER SCHUTZDIODE UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有集成保护二极管和方法亚光电子成分在制造
公开(公告)号：WO2014056911A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013/070944
申请日：2013-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/62 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L29/861 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/03002 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13147 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100) mit einer ersten Oberfläche (121), an der ein erster (130) und ein zweiter elektrischer Kontakt (135) angeordnet sind. Die erste Oberfläche (121) grenzt an einen Formkörper (170) an. Ein erster (160) und ein zweiter Stift (165) sind in den Formkörper (170) eingebettet und elektrisch leitend mit dem ersten (130) und dem zweiten Kontakt (135) verbunden. Eine Schutzdiode (140) ist in den Formkörper eingebettet und elektrisch leitend mit dem ersten (130) und dem zweiten Kontakt (135) verbunden.
摘要翻译：的光电元件（10，20）包括一个光电子半导体芯片（100）具有第一表面（121）在其上的第一（130）和第二电触点（135）被布置。所述第一表面（121）邻近的成形体（170）。第一（160）和第二销（165）嵌入在模制体（170）和电连接到所述第一（130）和所述第二接触（135）连接。保护二极管（140）被嵌入在模制体和导电地连接到所述第一（130）和所述第二接触（135）连接。

26. 发明申请

WO2014048830A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2014048830A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069489
申请日：2013-09-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/24 , H01L25/50 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement. Das Bauelement weist einen Träger (140), einen auf dem Träger (140) angeordneten ersten optoelektronischen Halbleiterchip (101), ein auf dem ersten Halbleiterchip (101) angeordnetes erstes Konversionselement (110) zum Konvertieren einer von dem ersten Halbleiterchip (101) abgegebenen Lichtstrahlung, einen auf dem Träger (140) angeordneten zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (102), und ein auf dem zweiten Halbleiterchip (102) angeordnetes zweites Konversionselement (120) zum Konvertieren einer von dem zweiten Halbleiterchip (102) abgegebenen Lichtstrahlung auf. Das optoelektronische Bauelement weist des Weiteren ein auf dem Träger (140) angeordnetes Isolationsmaterial (150) auf, welches den ersten und zweiten Halbleiterchip (101; 102) und das erste und zweite Konversionselement (110; 120) umgibt. Das erste Konversionselement (110) ist stufenförmig ausgebildet und weist einen ersten und einen zweiten Abschnitt (111; 112) auf, wobei der erste Abschnitt (111) seitlich über den zweiten Abschnitt (112) hervorsteht. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件。该装置包括一个载体（140），布置成一个在载体上（140）第一光电子半导体芯片（101），一个第一半导体芯片上（101）布置的第一转换元件（110），用于将发出的第一半导体芯片（101）的光辐射的一个用于将所述第二半导体芯片（102）的光线的一个布置在所述载体（140）的第二光电子半导体芯片（102），和一个第二半导体芯片（102）发射的布置的第二转换元件（120）上一个。光电子器件还包括所述载体（140）上设置绝缘材料（150）在其上的第一和第二半导体芯片（101; 102）和所述第一和第二转换元件（110; 120）围绕。所述第一转换元件（110）是阶梯状的，并具有第一和第二部分（111; 112），其中所述第一部分（111）横向地突出超过所述第二部分（112）。本发明还涉及用于制造这种装置的方法。

27. 发明申请

WO2014048699A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2014048699A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/068487
申请日：2013-09-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ILLEK, Stefan , SCHWARZ, Thomas , MOOSBURGER, Jürgen , WEGLEITER, Walter
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/505 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) mit einem Konversionsmittelkörper (21) und mit einem Vergusskörper (22). Der Vergusskörper (22) umgibt, in Draufsicht gesehen, den Konversionsmittelkörper (21) wenigstens stellenweise. Elektrische Kontaktstrukturen (3) sind an dem Träger (2) angebracht. Eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (4) ist an dem Träger (2) angebracht. Die Halbleiterchips (4) sind zu einer Strahlungserzeugung eingerichtet. Der Konversionsmittelkörper (21) ist als Platte geformt. Die Halbleiterchips (4) sind mechanisch unmittelbar mit dem Konversionsmittelkörper (21) verbunden. Der Konversionsmittelkörper (21) ist frei von Aussparungen für die elektrischen Kontaktstrukturen (3) und ist nicht von diesen durchdrungen.
摘要翻译：在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括载体（2）与转换中心本体（21）和由密封体（22）。浇注体（22）围绕着如在平面图中看到的，所述转换装置主体（21）至少在某些地方。电接触结构（3）在载体上（2）。在载体上的多个光电子半导体芯片（4）的（2）。半导体芯片（4）适合于产生辐射。转换剂体（21）被成形为板。半导体芯片（4）被机械地直接连接到所述转换装置主体（21）。转换剂体（21）是自由的切口用于电接触结构（3）的，而不是通过它穿透。

28. 发明申请

WO2018077961A1 VERFAHREN ZUM TRANSFERIEREN VON HALBLEITERCHIPS UND TRANSFERWERKZEUG 审中-公开
标题翻译：转移半导体芯片和转移工具的方法
公开(公告)号：WO2018077961A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/EP2017/077331
申请日：2017-10-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , MOOSBURGER, Jürgen , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/67 , H01L23/00 , H05K13/04
CPC分类号： H01L24/97 , B65G47/90 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L33/0095 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/75303 , H01L2224/7565 , H01L2224/7598 , H01L2224/83192 , H01L2224/95001 , H01L2224/95136 , H01L2224/95146 , H01L2224/97 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： Ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Transferwerkzeugs mit einer Mehrzahl von Segmenten, wobei jedes Segment einen Flüssigkeitsaufnahmebereich aufweist, zum Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips in einer regelmäßigen Anordnung auf einem Quellträger, zum Bereitstellen eines Zielträgers, zum selektiven Anordnen von Flüssigkeitstropfen an den Flüssigkeitsaufnahmebereichen von zumindest einigen der Segmente, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Quellträger, wobei jeder Flüssigkeitstropfen mit einem Halbleiterchip in Kontakt gerät und diesen benetzt, zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Quellträger, wobei durch Flüssigkeitstropfen benetzte Halbleiterchips mit dem Transferwerkzeug von dem Quellträger abgehoben werden, zum Annähern des Transferwerkzeugs an den Zielträger, wobei die an dem Transferwerkzeug angeordneten Halbleiterchips in Kontakt mit dem Zielträger geraten, und zum Abheben des Transferwerkzeugs von dem Zielträger, wobei die mit dem Zielträger in Kontakt geratenen Halbleiterchips an dem Zielträger verbleiben.
摘要翻译：
转移的半导体芯片的方法包括提供具有多个节段的转移工具的步骤，具有FL导航用途每段具有ssigkeitsaufnahmebereich，对在常规BEAR ROAD强度排列提供多个半导体芯片一个Quelltr＆AUML; GER，用于提供Zieltr＆AUML;热尔，对于ssigkeitstropfen到的至少一些区段，为安＆AUML的FL导航用途ssigkeitsaufnahmebereichen选择性地将FL导航用途;埃尔南德斯转印工具向Quelltr＆AUML的; GER，每个FL导航用途ssigkeitstropfen有半导体芯片 GER接触BEAR t与此润湿，用于提升来自Quelltr＆AUML转移工具; GER，其中，由FL导航用途ssigkeitstropfen与Quelltr＆AUML的转移工具润湿半导体芯片; GER解除，为安＆AUML;埃尔南德斯转印工具向Zieltr＆AUML的; GER，其中 Halbl安排在转移工具上与Zieltr BEAR下降GER接触脓芯片，并且解除从Zieltr＆AUML转移工具; GER，其中与所述Zieltr＆AUML亨特钻进与半导体芯片到Zieltr BEAR GER接触时能保持

29. 发明申请

WO2017198547A1 MODUL FÜR EINE VIDEOWAND MIT EINER FOLIE 审中-公开
标题翻译：一块带有一个箔的视频墙模块
公开(公告)号：WO2017198547A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/EP2017/061357
申请日：2017-05-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MARTIN, Alexander , SCHWARZ, Thomas , MOOSBURGER, Jürgen , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： G09F9/3026 , G02B3/0056 , G09F9/302 , G09F9/33 , H01L25/0753 , H01L33/58
摘要： Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand, wobei wenigstens ein Bauteil mit wenigstens einem lichtemittierenden Bauelement auf einem Träger angeordnet ist, wobei auf dem Bauteil eine Folie angeordnet ist, wobei die Folie ein optisches Element aufweist, wobei das optische Element ausgebildet ist, um eine Lichteinstrahlung auf die Bauteile und/oder eine Lichtausstrahlung der Bauteile zu beeinflussen.
摘要翻译：视频墙模块技术领域本发明涉及一种用于视频墙的模块，其中具有至少一个发光部件的至少一个部件被布置在载体上，其中在该部件上布置有膜，其中该膜是光学元件元件，其中光学元件被设计成影响组件的光照射和/或组件的光发射。

30. 发明申请

WO2017037037A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITER-BAUTEILS, OPTOELEKTRONISCHES; HALBLEITER-BAUTEIL, UND TEMPORÄRER TRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件，光电; 半导体部件和临时载体
公开(公告)号：WO2017037037A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/070359
申请日：2016-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： JAEGER, Harald , MOOSBURGER, Jürgen , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Offenbart wird: ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines temporären Trägers (100) mit einer ersten Metallschicht (110) und einer zweiten Metallschicht (120), wobei die Metallschichten voneinander lösbar sind, und wobei zwischen den beiden Metallschichten eine Zwischenschicht (130), insbesondere eine Chromschicht, angeordnet ist, Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchips (140) auf der ersten Metallschicht (110) des temporären Trägers (100), und mechanisches Lösen der zweiten Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110); ein optoelektronisches Halbleiter-Bauteil (180), das durch dieses Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) hergestellt wurde, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (140) und Kontaktflächen, die ein Material der Zwischenschicht (130), insbesondere Chrom, aufweisen; und einen temporären Träger (100) zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180), wobei der temporäre Träger (100) eine erste Metallschicht (110), eine zweite Metallschicht (120), und eine zwischen den beiden Metallschichten angeordnete Zwischenschicht (130), welche insbesondere Chrom enthält oder aus Chrom besteht, aufweist, und wobei die erste Metallschicht (110) auf der zweiten Metallschicht (120) so angebracht ist, dass die zweite Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110) mechanisch lösbar ist.
摘要翻译：公开的是：用于生产包括以下步骤的光电子半导体器件（180）的方法：提供临时支撑件（100），具有第一金属层（110）和第二金属层（120），其中，所述金属层是可拆卸的相互，和其中，布置在所述两个金属层之间的中间层（130），尤其是铬层，安装的临时支撑（100）和所述第二金属层（120）的机械释放的所述第一金属层（110）上的光电子半导体芯片（140）第一金属层（110）; 的光电子半导体器件（180），这是由该方法生产的用于制造光电子半导体器件（180），与光电半导体芯片（140）和构成该中间层（130）的材料，特别是铬的接触面; 和用于制造光电子半导体器件（180）的临时载体（100），所述临时支撑件（100），第一金属层（110），第二金属层（120）和设置在所述两个金属层中间层之间（130）其中包含，特别是铬或铬的，并且其中，所述第二金属层（120）在所述第一金属层（110）被安装成使得所述第一金属层（110）的所述第二金属层（120）是机械地可释放的。

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