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21. 发明申请

WO2007145256A1 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：制造发光装置的装置及制造发光装置的方法
公开(公告)号：WO2007145256A1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：PCT/JP2007/061925
申请日：2007-06-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
发明人：茂山和基 , 八木靖司 , 野沢俊久 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：　被処理基板上に、有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための複数の処理室を有し、複数の処理室に被処理基板が順次搬送される発光素子の製造装置であって、複数の処理室が実質的に直線状に接続されるとともに、隣接する２つの処理室の間で被処理基板が搬送される場合、２つの処理室が被処理基板上の層と反応性を有しないガスで満たされるよう構成されていることを特徴とする発光素子の製造装置が開示される。
摘要翻译：公开了一种用于制造发光器件的设备，其包括多个处理室，用于形成具有包括待处理对象上的有机层的多个层的发光器件，并且其中待处理的衬底为依次传送到处理室。该装置的特征在于，处理室基本上线性地连接，并且当待处理的基板在两个相邻的处理室之间传送时，两个处理室被填充有不与基板上的层反应的气体。

22. 发明申请

WO2007088848A1 半導体装置の製造方法及び半導体表面のマイクロラフネス低減方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和减少半导体表面微观的方法
公开(公告)号：WO2007088848A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051487
申请日：2007-01-30
申请人：国立大学法人東北大学 , 財団法人国際科学振興財団 , 大見忠弘 , 森永均
发明人：大見忠弘 , 森永均
IPC分类号： H01L21/304 , G01B11/06
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02074
摘要：　半導体表面に光があたらないように遮光しつつ液による表面処理を行なう。本発明を、半導体表面の洗浄、エッチング、現像などのウェットプロセスの表面処理に用いれば、表面マイクロラフネスの増大を低減する事が出来る。これにより、半導体デバイスの電気的特性や歩留まりが向上する。
摘要翻译：用液体进行表面处理，同时将半导体表面从光屏蔽。当在诸如清洁，蚀刻和半导体表面的显影的湿法中使用该方法进行表面处理时，可以降低表面微粗糙度的增加。因此，提高了半导体器件的电特性和产量。

23. 发明申请

WO2007029671A1 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子装置または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置，薄膜成型系统，薄膜成型方法和制造电子器件或有机电致发光元件的方法
公开(公告)号：WO2007029671A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317499
申请日：2006-09-05
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社豊田自動織機 , 大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56
摘要：　高価な有機ＥＬ原料を無駄なく利用すると共に、有機ＥＬ膜を長時間に亘って均一に成膜できる成膜装置及びそのための治具を提供する。　単一の原料容器部に対して、複数の吹き出し容器を備え、原料容器部の有機ＥＬ原料を気化してキャリアガスと共に各吹き出し容器に供給する配管系を他の吹き出し容器の配管系へ切り替える切替器を備えている。このように、複数の吹き出し容器に対して、単一の原料容器部から有機ＥＬ原料を切り替え供給することにより、有機ＥＬ原料の利用効率を改善できる。
摘要翻译：提供一种成膜装置，通过该成膜设备可以使用昂贵的有机EL材料而不浪费它，并且可以长时间均匀地形成有机EL膜，以及用于这种成膜装置的夹具。单个材料容器部分设置有多个吹出容器。提供了一种开关装置，用于切换管道系统，该管道系统使材料容器部分中的有机EL材料蒸发，并将每个吹出容器中的气化材料与载气供应到其它吹出容器的管道系统。通过切换从单一材料容器部分向吹出容器提供有机EL材料来改善有机EL材料的使用效率。

24. 发明申请

WO2007020810A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2007020810A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315464
申请日：2006-08-04
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 平山昌樹
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192
摘要：　被処理基板が大面積化しても均一処理を可能とするプラズマ処理装置は、導波管１０２に導入されたマイクロ波を、スロット１０３を通して誘電体板１０４に伝搬させ、真空容器１０１中に供給されたガスをプラズマ化させて基板１０７表面にプラズマ処理を施す装置であって、複数の導波管１０２を並列配置し、各導波管１０２毎に複数の誘電体板１０４を設け、隣り合う誘電体板１０４間に導体からなり接地された仕切り部材１０６を配置する。プランジャ１１１を上下に動かして、導波管１０２の管内波長を最適値に調整する。また、誘電体板と隣接する部材との隙間で意図しないプラズマが発生することがなく、安定したプラズマを効率よく発生させることができる。結果として、高速かつ均一なエッチング、成膜、クリーニング、アッシング等の処理を可能とする。
摘要翻译：提供一种等离子体处理装置，即使在待处理基板面积大的情况下也能够进行均匀的处理。等离子体处理装置通过槽（103）将引入导波管（102）的微波传播到电介质板（104），通过将供给到真空容器（101）的气体进行转换，对基板（107）的表面进行等离子体处理）进入等离子体状态。在等离子体处理装置中，多个波导管（102）平行配置，分别配置有用于波导管（102）的多个电介质板（104）和由导体形成的分隔部件（106）布置在相邻的电介质板（104）之间。通过垂直移动柱塞（111）将波导管（102）的管内波长调节为最佳值。此外，在电介质板和相邻构件之间的空间中消除了意外的等离子体产生，并且可以有效地产生稳定的等离子体。结果，可以进行诸如蚀刻，成形，清洁，灰化等高速均匀的处理。

25. 发明申请

WO2007007782A1 多層構造体及びその洗浄方法审中-公开
标题翻译：多层结构和清洗方法
公开(公告)号：WO2007007782A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/JP2006/313831
申请日：2006-07-12
申请人：国立大学法人東北大学 , 株式会社日本セラテック , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 森永均 , 岸幸男 , 大滝浩通 , 傳井美史
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 森永均 , 岸幸男 , 大滝浩通 , 傳井美史
IPC分类号： C23C26/00 , B08B3/12 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C28/04 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C4/00 , B08B3/02 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C16/405 , C23C16/545 , C23C26/00 , C23C28/04 , Y10T428/25 , Y10T428/252
摘要：　大型のセラミックス部材を迅速且つ経済的に提供することは困難な状況になっている。　比較的製作し易い材料によって形成された基材上に、セラミックス膜を製膜することによって多層構造体を構成する。セラミックス膜はプラズマ溶射、ＣＶＤ、ＰＶＤ或いは、ゾル・ゲル法等または溶射膜との組み合わせによる方法によって成膜される。
摘要翻译：很难快速，经济地提供大型陶瓷件。通过在可以相对容易地成形的材料制成的基底上形成陶瓷膜来制造多层结构体。陶瓷膜通过等离子喷涂法，CVD法，PVD法，溶胶 - 凝胶法等形成。或者，陶瓷膜可以通过与喷雾沉积膜结合的方法形成。

26. 发明申请

WO2006109562A1 成膜装置および成膜方法审中-公开
标题翻译：电影形成装置和电影形成方法
公开(公告)号：WO2006109562A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/306276
申请日：2006-03-28
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社豊田自動織機 , 大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/24 , H01L51/0008 , H01L51/0081 , H01L51/56
摘要：　吹き出し容器に有機ＥＬ分子ガスを吹き出す構成を備えた成膜装置において、複数の有機ＥＬ原料容器と、複数の有機ＥＬ原料容器と吹き出し容器とを接続する配管系を有し、複数の有機ＥＬ原料容器は選択的に有機ＥＬ分子供給状態となり、当該配管系は、各有機ＥＬ原料容器内に、成膜時と非成膜時において同じ圧力となるように、輸送ガスを供給するように構成されている。非成膜時、輸送ガスは有機ＥＬ原料容器の一つから他の原料容器に流される。
摘要翻译：本发明提供了一种用于成膜的装置，包括具有吹出有机EL分子气体的结构的吹出容器。该装置包括多个有机EL材料容器和用于将多个有机EL材料容器连接到吹出容器的管道系统。多个有机EL材料容器被构造成选择性地进入有机EL分子进料状态。管道系统被构造成使得输送气体以这样的方式被供给到每个有机EL材料容器中，使得成膜期间的压力和非成膜期间的压力彼此相等。在非成膜期间，允许运输气体从有机EL材料容器之一流动到其他材料容器。

27. 发明申请

WO2006068002A1 水可溶性有機物の回収方法及び回収システム审中-公开
标题翻译：回收水溶性有机物的方法和系统
公开(公告)号：WO2006068002A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/JP2005/022832
申请日：2005-12-13
申请人：国立大学法人東北大学 , ステラケミファ株式会社 , 大見忠弘 , 菊山裕久 , 二井啓一
发明人：大見忠弘 , 菊山裕久 , 二井啓一
IPC分类号： B01D17/05 , B01D17/00 , C07C29/86 , C07C31/10
CPC分类号： C07C29/86 , C07C31/10
摘要：　水可溶性有機物の回収方法において、アルコール類やケトン類などの水に易溶な有機物を含む被処理水に、溶解度が水に対して３０質量％以上で、且つ回収する水可溶性有機物に対して１質量％以下である塩のうち少なくとも１種類を添加して、前記水可溶性有機物と水とを分離する。
摘要翻译：公开了一种回收水溶性有机物的方法，其中至少一种在水中的溶解度不小于30质量％的盐和在待回收的水溶性有机物中的溶解度不超过1％将质量添加到待处理的原水中，其中含有易溶于水的有机物质如醇或酮，用于将水溶性有机物质与水分离。

28. 发明申请

WO2006038305A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006038305A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2004/014894
申请日：2004-10-01
申请人：大見忠弘 , 森本明大
发明人：大見忠弘 , 森本明大
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/045 , H01L29/41741 , H01L29/456 , H01L29/66734 , H01L29/732 , H01L29/7397 , H01L29/74 , H01L29/744 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05K1/053 , H01L2924/00
摘要：半導体装置用基板として、金属基板を用い、当該金属基板を第１の金属からなる金属基体と、該金属基体を覆う第２の金属からなる接続金属層とによって構成すると共に、接続金属層上に第１の金属の拡散を防止する拡散防止層を設けた構造を有する基板が得られる。
摘要翻译：作为半导体装置的基板，使用金属板，金属基板由金属基体和第二金属构成，金属基体由第一金属构成，金属层由用于覆盖金属基体的第二金属构成。该板具有其中在连接金属层上设置防止第一金属扩散的扩散防止层的结构。

29. 发明申请

WO2006009003A1 半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体器件的工艺液体，制造方法和制造半导体器件
公开(公告)号：WO2006009003A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012784
申请日：2005-07-11
申请人：国立大学法人東北大学 , ステラケミファ株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 菊山裕久 , 二井啓一 , 山本雅士
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 菊山裕久 , 二井啓一 , 山本雅士
IPC分类号： H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02063
摘要：本発明の目的は、半導体表面の原子溶出が少なく、清浄かつ平坦な半導体表面を作成できる処理液、処理方法および半導体製造装置を提供することにある。本発明はアルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液を用いることにより、半導体表面からの溶出の少ない処理および清浄かつ平坦な表面を実現する処理液、処理方法および半導体製造装置が得られる。
摘要翻译：公开了一种处理液体，其仅使半导体表面的原子几乎不溶解，并且能够形成清洁且平坦的半导体表面。还公开了一种用于制造半导体的处理方法和装置。具体公开了一种处理液体，其通过使用含有至少一种醇或酮的水溶液使半导体表面的原子几乎不溶解，从而实现清洁平坦的表面。

30. 发明申请

WO2005067022A1 シャワープレート、プラズマ処理装置、及び製品の製造方法审中-公开
标题翻译：淋浴板，等离子体加工系统以及生产产品的方法
公开(公告)号：WO2005067022A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/JP2004/014421
申请日：2004-09-24
申请人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。
摘要翻译：一种用于通过增加从喷淋板的中心退出的喷淋板的每单位面积排列的排气孔的数量而均匀地处理基板的系统，或者从喷淋中心离开时增加排气孔的半径从而使等离子体激发气体流动均匀。

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