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21. 发明申请

WO2004077553A1 RELAXATION OF A THIN LAYER AT A HIGH TEMPERATURE AFTER ITS TRANSFER 审中-公开
标题翻译：转移后高温下的薄层放松
公开(公告)号：WO2004077553A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/IB2004/000931
申请日：2004-03-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
发明人： GHYSELEN, Bruno , MAZURE, Carlos , ARENE, Emmanuel
IPC分类号： H01L21/763
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for forming a relaxed or pseudo-relaxed layer on a substrate, the relaxed layer being in a material selected from among semiconductor materials, comprising the following steps: a) growing on a donor substrate (1) an elastically strained layer (2) constituted by at least a material chosen from among the semiconductor materials; b) forming on the strained layer (2), or on a receiver substrate (7), a vitreous layer (4) made of a material which is viscous above a viscosity temperature of more than about 900°C; c) bonding the receiver substrate (7) to the strained layer (2) by means of the vitreous layer (4) formed in step (b); d) removing the donor substrate (1), so as to form a structure (20) comprising the receiver substrate, the vitreous layer (4) and the strained layer (2); e) thermal treating the structure at a temperature close to or above the viscosity temperature, so as to relax at least a part of the constraints in the strained layer (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底上形成松弛或假松弛层的方法，所述松弛层是选自半导体材料的材料，包括以下步骤：a）在施主衬底（1）上生长弹性应变至少由选自半导体材料的材料构成的层（2） b）在应变层（2）上或在接收器基底（7）上形成玻璃质层（4），所述玻璃质层（4）由粘度高于大约900℃的粘度的材料制成; c）通过步骤（b）中形成的玻璃质层（4）将接收器衬底（7）接合到应变层（2）; d）去除施主衬底（1），以形成包括接收衬底，玻璃质层（4）和应变层（2）的结构（20）; e）在接近或高于粘度温度的温度下热处理该结构，以便使应变层（2）中的至少一部分约束松弛。

22. 发明申请

WO2004053961A1 MANUFACTURING PROCESS FOR A MULTILAYER STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：多层结构的制造工艺
公开(公告)号：WO2004053961A1
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：PCT/IB2003/006397
申请日：2003-12-05
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MAZURE, Carlos
发明人： MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The present invention relates to a production process for a multilayer structure made of semiconductor materials, said structure comprising a substrate (20) made of a first semiconductor material and a superficial thin layer made of a second semiconductor material, the two semiconductor materials having substantially different lattice parameters, characterised in that the process comprises the following steps: -producing a layer (110) comprising said superficial thin layer on a support substrate (100), -creating an embrittlement zone in the ensemble (10) formed by said support substrate and said deposited layer, -bonding said ensemble with a target substrate (20), -detaching at the level of this embrittlement zone, -treating the surface of the resulting structure.
摘要翻译：本发明涉及一种由半导体材料制成的多层结构的制造方法，所述结构包括由第一半导体材料制成的衬底（20）和由第二半导体材料制成的表面薄层，所述两种半导体材料具有显着不同晶格参数，其特征在于该方法包括以下步骤： - 在支撑衬底（100）上产生包含所述表面薄层的层（110）， - 在由所述支撑衬底形成的组合（10）中形成脆化区，以及所述沉积层将所述组合物与目标衬底（20）连接， - 在所述脆化区的水平面上取出，从而使所得结构的表面达到最佳状态。

23. 发明申请

WO03017357A8 METHOD FOR OBTAINING A SELF-SUPPORTED SEMICONDUCTOR THIN FILM FOR ELECTRONIC CIRCUITS 审中-公开
标题翻译：获得电子电路自支撑半导体薄膜的方法
公开(公告)号：WO03017357A8
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/FR0202879
申请日：2002-08-14
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , RAYSSAC OLIVIER , MAZURE CARLOS , GHYSELEN BRUNO
发明人： RAYSSAC OLIVIER , MAZURE CARLOS , GHYSELEN BRUNO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for obtaining a self-supported thin film made of a semiconductor material, supporting at least an electronic component and/or circuit (3) one of its surfaces, from a wafer (1) of said material, the latter including a front side (2), supporting or designed to support at least an electronic component and/or circuit (3) and a rear side (4'). Said method is characterised in that it comprises steps which consist in: a) implanting atomic species inside said wafer (1), from its rear side (4, 4'), so as to obtain a weakened zone (5) delimiting a front part (6) extending from said front side (2) to said weakened zone (5) and a rear part (7) formed by the rest of the wafer (1); d) removing said rear part (7), the front part (6); repeating, if required, steps a) and b) on the rear side of said front part (6) until the latter has the desired thickness for forming said self-supported thin film.
摘要翻译：本发明涉及从所述材料的晶片（1）获得由半导体材料制成的自支撑薄膜的方法，所述半导体材料至少支撑其表面之一的电子部件和/或电路（3），所述晶片包括支撑或设计成支撑至少电子部件和/或电路（3）和后侧（4'）的前侧（2）。所述方法的特征在于其包括以下步骤：a）从其后侧（4,4'）将所述晶片（1）内的原子物质注入，以获得限定前部的弱化区（5）（6）从所述前侧（2）延伸到所述弱化区（5）和由所述晶片（1）的其余部分形成的后部（7）; d）去除所述后部（7），前部（6）; 如果需要，在所述前部（6）的后侧重复步骤a）和b），直到后者具有用于形成所述自支撑薄膜的所需厚度。

24. 发明申请

WO2010072278A1 METHOD OF FABRICATING A BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSOR 审中-公开
标题翻译：制造背照明图像传感器的方法
公开(公告)号：WO2010072278A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/006845
申请日：2009-09-22
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , BOURDELLE, Konstantin , MAZURE, Carlos
发明人： BOURDELLE, Konstantin , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/1464
摘要： The invention relates to a method of fabricating a back-illuminated image sensor comprising the steps of providing a first substrate comprising a semiconductor layer, in particular a silicon layer, forming electronic device structures over the semiconductor layer and, only then, doping the semiconductor layer. By doing so, improved dopant profiles and electrical properties of photodiodes can be achieved such that the final product, namely an image sensor, has a better quality.
摘要翻译：本发明涉及一种制造背照式图像传感器的方法，包括以下步骤：提供包括半导体层，特别是硅层的第一衬底，在半导体层上形成电子器件结构，并且仅仅掺杂半导体层。通过这样做，可以实现改进的光电二极管的掺杂剂分布和电性能，使得最终产品，即图像传感器具有更好的质量。

25. 发明申请

WO2010015401A3 RELAXATION OF STRAINED LAYERS 审中-公开
标题翻译：松弛应变层
公开(公告)号：WO2010015401A3
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/EP2009005694
申请日：2009-08-06
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , LETERTRE FABRICE , MAZURE CARLOS , KRAMES MICHAEL R , MCLAURIN MELVIN B , GARDNER NATHAN F
发明人： LETERTRE FABRICE , MAZURE CARLOS , KRAMES MICHAEL R , MCLAURIN MELVIN B , GARDNER NATHAN F
IPC分类号： H01L21/324 , B01J3/00 , B01J3/06 , H01L21/20 , H01L33/00 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： The present invention relates to a method for relaxing a strained material layer, comprising depositing a first low-viscosity layer comprising a first compliant material on the strained material layer, depositing a second low-viscosity layer comprising a second compliant material on the strained material layer to form a first sandwiched structure and subjecting the first sandwiched structure to a heat treatment such that reflow of the first and the second low-viscosity layers is caused thereby at least partly relaxing the strained material layer.
摘要翻译：本发明涉及用于松弛应变材料层的方法，该方法包括在应变材料层上沉积包括第一柔性材料的第一低粘度层，在应变材料层上沉积包括第二柔性材料的第二低粘度层以形成第一夹层结构并使第一夹层结构经受热处理，从而引起第一和第二低粘度层的回流，从而至少部分地松弛应变材料层。

26. 发明申请

WO2010002515A2 LOW-COST SUBSTRATES HAVING HIGH-RESISTIVITY PROPERTIES AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：具有高电阻特性的低成本基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2010002515A2
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/US2009/044810
申请日：2009-05-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MAZURE, Carlos , NGUYEN, Bich-yen
发明人： MAZURE, Carlos , NGUYEN, Bich-yen
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76251
摘要： In one embodiment, the invention provides substrates that are structured so that devices fabricated in a top layer thereof have properties similar to the same devices fabricated in a standard high resistivity substrate. Substrates of the invention include a support having a standard resistivity, a semiconductor layer arranged on the support substrate having a high-resistivity, preferably greater than about 1000 Ohms-cm, an insulating layer arranged on the high-resistivity layer, and a top layer arranged on the insulating layer. The invention also provides methods for manufacturing such substrates.
摘要翻译：在一个实施例中，本发明提供了被构造成使得在其顶层中制造的器件具有与在标准高电阻率衬底中制造的相同器件相似的性质的衬底。本发明的基板包括具有标准电阻率的支撑体，布置在支撑基板上的具有高电阻率，优选地大于约1000欧姆 - 厘米的半导体层，布置在高电阻率层上的绝缘层，以及顶层布置在绝缘层上。本发明还提供了制造这种基底的方法。

27. 发明申请

WO2010002509A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：半导体结构
公开(公告)号：WO2010002509A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/US2009/044372
申请日：2009-05-18
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NGUYEN, Bich-Yen , MAZURE, Carlos
发明人： NGUYEN, Bich-Yen , MAZURE, Carlos
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/70
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76256
摘要： In preferred embodiments, this invention provides a semiconductor structure that has a semi-conducting support, an insulating layer arranged on a portion of the support and a semi-conducting superficial layer arranged on the insulating layer. Electronic devices can be formed in the superficial layer and also in the exposed portion of the semi-conducting bulk region of the substrate not covered by the insulating layer. The invention also provides methods of fabricating such semiconductor structures which, starting from a substrate that includes a semi-conducting superficial layer arranged on a continuous insulating layer both of which being arranged on a semi-conducting support, by transforming at least one selected region of a substrate so as to form an exposed semi-conducting bulk region of the substrate.
摘要翻译：在优选实施例中，本发明提供一种半导体结构，其具有半导电支撑件，布置在支撑件的一部分上的绝缘层和布置在绝缘层上的半导电表面层。电子器件可以形成在表面层中，也可以形成在衬底的半导体本体区域的未被绝缘层覆盖的露出部分中。本发明还提供了制造这样的半导体结构的方法，其从包括布置在连续绝缘层上的半导电表面层的衬底开始，两者均布置在半导电支撑件上，通过将至少一个选定区域基板，以形成基板的暴露的半导体本体区域。

28. 发明申请

WO2009112894A1 SUBSTRATE HAVING A CHARGED ZONE IN AN INSULATING BURIED LAYER 审中-公开
标题翻译：具有绝缘层的充电区的基底
公开(公告)号：WO2009112894A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/IB2008052203
申请日：2008-03-13
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , ALLIBERT FREDERIC , GAUDIN GWELTAZ , LALLEMENT FABRICE , LANDRU DIDIER , LANDRY KARINE , SHAHEEN MOHAMAD , MAZURE CARLOS
发明人： ALLIBERT FREDERIC , GAUDIN GWELTAZ , LALLEMENT FABRICE , LANDRU DIDIER , LANDRY KARINE , SHAHEEN MOHAMAD , MAZURE CARLOS
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L29/32 , H01L29/7841 , H01L31/0248
摘要： The invention relates to a substrate comprising successively a base wafer (1), an insulating layer (2) and a top semiconductor layer (3), characterised in that the insulating layer (2) comprises at least a zone wherein the density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to a process for making such a substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种基板，包括连续的基底晶片（1），绝缘层（2）和顶部半导体层（3），其特征在于绝缘层（2）至少包括电荷密度为绝对值高于1010电荷/ cm2。本发明还涉及制造这种基材的方法。

29. 发明申请

WO2007017763A3 METHOD OF PRODUCTION OF A FILM 审中-公开
标题翻译：制作薄膜的方法
公开(公告)号：WO2007017763A3
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/IB2006003071
申请日：2006-07-06
申请人： SOITEC SILICON ON INSULATOR , AULNETTE CECILE , CAYREFOURCQ IAN , MAZURE CARLOS
发明人： AULNETTE CECILE , CAYREFOURCQ IAN , MAZURE CARLOS
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of producing a film intended for applications in electronics, optics or optronics starting from an initial wafer, which includes a step of implanting atomic species through one of the faces of the wafer, which method comprises the following stages: (a) formation of a step of determined height around the periphery of the wafer, the mean thickness of the wafer at the step being less than the mean thickness of the rest of the wafer; (b) protection of said step against the implantation of atomic species; and (c) implantation of atomic species through that face of the wafer having said step, so as to form an implanted zone at a determined implant depth, said film being determined, on one side, by the implanted face of the wafer and, on the other side, by the implanted zone. The invention also relates to a wafer obtained by said method.
摘要翻译：本发明涉及一种从初始晶片开始制造用于电子学，光学或光电子学中的薄膜的方法，其包括通过晶片的一个面注入原子物质的步骤，该方法包括以下阶段：（ a）形成围绕晶片周边的确定高度的步骤，该步骤的晶片的平均厚度小于晶片的其余部分的平均厚度; （b）防止所述步骤抵抗原子物种的植入; 和（c）通过具有所述步骤的晶片的表面植入原子物质，以便在确定的植入深度形成注入区，所述膜的一侧由晶片的植入面确定，并且在另一边，由植入区。本发明还涉及通过所述方法获得的晶片。

30. 发明申请

WO2003017357A1 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE MINCE SEMICONDUCTRICE AUTO-PORTEE POUR CIRCUITS ELECTRONIQUES 审中-公开
标题翻译：用于获得电子电路的自载体半导体薄层的方法
公开(公告)号：WO2003017357A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/FR2002/002879
申请日：2002-08-14
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , RAYSSAC, Olivier , MAZURE, Carlos , GHYSELEN, Bruno
发明人： RAYSSAC, Olivier , MAZURE, Carlos , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince auto-portée d'un matériau semi-conducteur, supportant au moins un composant et/ou circuit électronique (3) sur une de ses faces, à partir d'une plaquette (1) dudit matériau, celle-ci présentant une face avant (2), supportant ou destinée à supporter au moins un composant et/ou circuit électronique (3) et une face arrière (4'). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) implanter des espèces atomiques à l'intérieur de ladite plaquette (1), depuis sa face arrière (4, 4'), de façon à obtenir une zone de fragilisation (5) délimitant une partie avant (6) s'étendant de ladite face avant (2) à ladite zone de fragilisation (5) et une partie arrière (7) formée du reste de la plaquette (1), b) détacher ladite partie arrière (7), la partie avant (6), c) répéter, si nécessaire, les étapes a) et b) sur la face arrière de ladite partie avant (6) jusqu'à ce que celle-ci présente l'épaisseur désirée pour constituer ladite couche mince auto-portée.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法为了获得半导体材料的自支撑薄层，在其一个面上支撑至少一个元件和/或电子电路（3）从所述材料的晶片（1），所述材料具有支撑或预期用作载体的前表面（2）; 支撑至少一个部件和/或电子电路（3）和一个后面（4'）。这个过程是其显着之处在于它包括以下步骤：：a）植入原子种类; 所述晶片（1）的内部从其背面（4,4'），在所述晶片（1）的内侧，从其背面（4,4'），获得限制从所述前表面（2）延伸的前部（6）的脆化区（5）; 所述脆化区（5）和由所述晶片（1）的其余部分形成的后部（7），b）将所述后部（7），所述前部（6），c ）如果需要，将前部（6）的后面上的步骤a）和b）缩回到端部; 它表现出构成所述自磨薄层所需的厚度。

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