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    • 12. 发明申请
    • APPARATUS AND METHOD FOR IN SITU AND EX SITU MEASUREMENTS OF OPTICAL SYSTEM FLARE
    • 用于光系统的现场和现场测量的装置和方法
    • WO2006124707A3
    • 2008-01-17
    • PCT/US2006018606
    • 2006-05-15
    • ZETETIC INSTHILL HENRY A
    • HILL HENRY A
    • G01B9/02
    • G03F7/706G01J2009/0223G03F7/70591G03F7/7085G03F7/70941
    • Apparatus and methods for in situ and ex situ measurements of spatial profiles of the modulus of the complex amplitude and intensity of flare generated by an optical system. Thein situ and ex situ measurements comprise interferometric and non-interferometric measurements that use an array of diffraction sites simultaneously located in an object plane of the optical system to increase signals related to measured properties of flare in a conjugate image plane. The diffraction sites generate diffracted beams with randomized relative phases. In general, the interferometric profile measurements employ phase-shifting point-diffraction interferometry to generate a topographical interference signal and the non-interferometric measurements are based on flare related signals other than topographic interference signals. The topographical interference signal and flare related signals are generated by a detector either as an electrical interference signal or electrical flare related signals or as corresponding exposure induced changes in a recording medium.
    • 用于原位和非原位测量由光学系统产生的光斑的复振幅和强度的模量的空间分布的装置和方法。 原位和非原位测量包括使用同时位于光学系统的物平面中的衍射位置阵列的干涉测量和非干涉测量,以增加与共轭图像平面中的测光特性相关的信号。 衍射点产生具有随机相对相位的衍射光束。 通常,干涉测量轮廓测量采用相移点衍射干涉测量法来产生地形干涉信号,并且非干涉测量基于与地形干扰信号不同的闪光相关信号。 地形干扰信号和火炬相关信号由检测器产生,作为电干扰信号或电眩光相关信号,或作为记录介质中相应的曝光引起的变化。
    • 15. 发明申请
    • VORRICHTUNG ZUR OPTISCHEN VERMESSUNG EINES ABBILDUNGSSYSTEMS
    • 设备中,用于图像系统的光学测量
    • WO2004051206A1
    • 2004-06-17
    • PCT/EP2003/012207
    • 2003-11-03
    • CARL ZEISS SMT AGWEGMANN, Ulrich
    • WEGMANN, Ulrich
    • G01J9/02
    • G01M11/0264G01J9/0215G01M11/0271G03F7/70591G03F7/706G03F7/70941
    • Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems, z.B. durch Wellenfronterfassung mittels Shearinginterferometrie, mit einer objektseitig vor dem Abbildungssystem anzuordnenden Objektstruktur, einer bildseitig nach dem Abbildungssystem anzuordnenden Bildstruktur und einerletzterer nachgeschalteten Detektor- und Auswerteeinheit zur Detektion einer Überlagerungsstruktur aus abgebildeter Objektstruktur und Bildstruktur und Auswertung derselben. Gemäß der Erfindung beinhaltet die Bildstruktur und/oder die Objektstruktur ein periodisches Mehrfrequenzmuster, das in wenigstens einer Richtung mindestens zwei unterschiedliche Periodizitätslängen aufweist und/oder wenigstens ein zweidimensionales Hauptmuster mit periodisch angeordneten Strukturfeldern und mindestens ein Submuster umfasst, das in Strukturfeldern des Hauptmusters gebildet ist. Verwendung z.B. zur hochgenauen ortsaufgelösten Vermessung von Projektionsobjektiven in Mikrolithografieanlagen zur Halbleiterbauelementstrukturierung.
    • 本发明涉及一种用于成像系统的光学测量,例如 通过波前传感装置Shearinginterferometrie,与对象侧被布置在成像系统的对象结构的前面,像侧由成像系统的图像结构和用于检测成像的相同的对象结构以及图像结构,并且评价的叠加结构的后者的下游检测器和评估单元被布置。 根据本发明,图像结构和/或物体结构包括具有至少一个方向周期性多频图案的至少两个不同的周期性和/或至少与周期性排列的结构域和至少一个子图案包括,形成在所述主图案的结构域的二维主图案。 例如使用 高度精确的空间分辨的投影透镜测量微光刻设备的半导体器件结构。
    • 16. 发明申请
    • A LITHOGRAPHY MODEL FOR 3D FEATURES
    • 3D特征的算术模型
    • WO2016096333A1
    • 2016-06-23
    • PCT/EP2015/077482
    • 2015-11-24
    • ASML NETHERLANDS B.V.
    • LIU, Peng
    • G03F7/20
    • G06F17/5036G03F7/70416G03F7/70433G03F7/705G03F7/70941G06F2217/12
    • Disclosed herein is a computer-implemented method of image simulation for a device manufacturing process, the method comprising: identifying regions of uniform optical properties from a portion or an entirety of a substrate or a patterning device, wherein optical properties are uniform within each of the regions; obtaining an image for each of the regions, wherein the image is one that would be formed from the substrate if the entirety of the substrate or the patterning device has the same uniform optical properties as that region; forming a stitched image by stitching the image for each of the regions according to locations of the regions in the portion or the entirety of the substrate of the patterning device; forming an adjusted image by applying adjustment to the stitched image for at least partially correcting for or at least partially imitating an effect of finite sizes of the regions.
    • 本文公开了一种用于设备制造过程的计算机实现的图像模拟方法,该方法包括:从基板或图案形成装置的一部分或全部识别均匀光学特性的区域,其中光学特性在每个 区域; 获得每个区域的图像,其中如果整个基板或图案形成装置具有与该区域相同的均匀光学特性,则图像是将从基板形成的图像; 通过根据图案形成装置的基板的部分或全部中的区域的位置,针对每个区域拼接图像来形成缝合图像; 通过对缝合图像进行调整以至少部分地校正或至少部分地模仿有限尺寸的区域的效果来形成调整图像。
    • 19. 发明申请
    • METHOD AND APPARATUS FOR QUALIFYING OPTICS OF A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY
    • 用于微型显微投影曝光工具的光学性质鉴定的方法和设备
    • WO2012013320A2
    • 2012-02-02
    • PCT/EP2011/003681
    • 2011-07-22
    • CARL ZEISS SMT GMBHGOEPPERT, Markus
    • GOEPPERT, Markus
    • G03F7/20
    • G01N21/95G03F7/70591G03F7/706G03F7/7085G03F7/70941
    • A method for qualifying optics (16; 14+16) of a projection exposure tool (10) for microlithography is provided. The optics comprise (16; 14, 16) at least one mirror element (14-1 to 14-7, 16-1 to 16-6) with a reflective coating (52) disposed on the latter. The method comprises the following steps: irradiating electromagnetic radiation (13, 42) of at least two different wavelengths onto the optics (16; 14, 16), a penetration depth of the radiation into the coating (52) of the mirror element varying between the individual wavelengths, taking an optical measurement on the optics (16; 14, 16) for each of the wavelengths, and evaluating the measurement results for the different wavelengths taking into consideration a decisive penetration depth of the radiation into the coating (52) of the mirror element for the respective wavelength.
    • 提供了一种用于验证用于微光刻的投影曝光工具(10)的光学器件(16; 14 + 16)的方法。 该光学器件包括(16; 14,16)至少一个反射镜元件(14-1至14-7,16-1至16-6),反射涂层(52)布置在反射涂层上。 该方法包括以下步骤:将至少两个不同波长的电磁辐射(13,42)照射到光学器件(16; 14,16)上,辐射进入反射镜元件的涂层(52)的穿透深度在 对于每个波长在光学器件(16; 14,16)上进行光学测量,并考虑到辐射决定性地穿透进入(52)涂层(52)的不同波长的测量结果, 各个波长的镜面元件。